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형성하고자 하는 홀로그램의 패턴에 대응되는 나노마이크로 구조체가 형성되어 있는 기판; 및상기 나노마이크로 구조체에 경사증착되어 상기 나노마이크로 구조체의 상면과 측면에 증착되는 기능층;을 포함하며,상기 나노마이크로 구조체의 상면은 원형 또는 꼭지점이 만곡지게 이루어진 다각형 또는 이들의 집합체 형상으로 형성되고,상기 나노마이크로 구조체의 상면과 상기 나노마이크로 구조체의 측면이 이루는 각도는 45° 내지 85°로 형성되며,상기 기판의 상기 나노마이크로 구조체 사이에는 오목부가 형성되고,상기 오목부에는 상기 기능층이 증착되지 않는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자
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제1항에 있어서,상기 나노마이크로 구조체의 주기는 200nm 내지 50μm의 범위를 가지며,상기 나노마이크로 구조체의 높이는 10nm 내지 10μm의 범위를 가지고,상기 기능층의 두께는 1nm 내지 1,000nm의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자
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제2항에 있어서,상기 기능층 중 상기 나노마이크로 구조체의 상면에 증착된 상면기능층의 두께는 5nm 내지 1,000nm의 범위를 가지며,상기 기능층 중 상기 나노마이크로 구조체의 측면에 증착된 측면기능층의 두께는 1nm 내지 1,000nm의 범위를 가지고,상기 측면기능층의 상기 상면으로부터의 길이는 상기 상면기능층의 두께의 절반 내지 상기 나노마이크로 구조체의 높이의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기능층은 알루미늄, 은, 금, 티타늄, 주석, 백금, 텅스텐, 티타늄-텅스텐, 실리콘 산화물, 질화규소, 폴리실리콘, 알루미늄 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물, 불화 마그네슘 및 유기물 중 어느 하나의 물질로 구성된 단일막 또는 상술된 물질 중 금속으로 이루어진 금속박막층과 비금속으로 이루어진 비금속박막층이 적층되어 적층막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자
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제4항에 있어서,상기 기능층이 적층막으로 형성되는 경우, 상기 기능층은 상기 금속박막층과 상기 비금속박막층이 교대로 적층되는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자
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형성하고자 하는 홀로그램 패턴에 대응되도록 일면에 나노마이크로 구조가 가공된 스탬프를 준비하는 스탬프 준비단계;상기 스탬프의 상기 나노마이크로 구조가 기판의 상부에 압입 및 분리됨에 따라 상기 기판에 홀로그램 패턴에 대응되는 나노마이크로 구조체가 형성되는 기판 몰딩단계; 및상기 기판 중 상기 나노마이크로 구조체가 형성된 면에 기능층을 형성하는 기능층 형성단계;를 포함하되,상기 기판 몰딩단계에서 형성된 상기 나노마이크로 구조체의 상면과 상기 나노마이크로 구조체의 측면이 이루는 각도는 45° 내지 85°로 형성되고, 상기 기판의 상기 나노마이크로 구조체 사이에는 오목부가 형성되며,상기 기능층 형성단계에서의 상기 기능층은 서로 다른 다수의 방향에서 경사 증착되어 상기 나노마이크로 구조체 각각의 상면과 측면에 증착되며, 상기 오목부에는 상기 기능층이 증착되지 않는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자 형성방법
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형성하고자 하는 홀로그램 패턴에 대응되도록 일면에 나노마이크로 구조가 가공된 스탬프를 준비하는 스탬프 준비단계;기판 상부에 수지층을 도포하는 수지층 도포단계;상기 스탬프의 상기 나노마이크로 구조가 상기 수지층의 상부에 압입, 경화 및 분리됨에 따라 상기 수지층에 홀로그램 패턴에 대응되는 나노마이크로 구조체가 형성되는 수지층 몰딩단계; 및상기 수지층 중 상기 나노마이크로 구조체가 형성된 면에 기능층을 형성하는 기능층 형성단계;를 포함하되,상기 수지층 몰딩단계에서 형성된 상기 나노마이크로 구조체의 상면과 상기 나노마이크로 구조체의 측면이 이루는 각도는 45° 내지 85°로 형성되고, 상기 수지층의 상기 나노마이크로 구조체 사이에는 오목부가 형성되며,상기 기능층 형성단계에서의 상기 기능층은 서로 다른 다수의 방향에서 경사 증착되어 상기 나노마이크로 구조체 각각의 상면과 측면에 증착되며, 상기 오목부에는 상기 기능층이 증착되지 않는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자 형성방법
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 나노마이크로 구조체의 주기는 200mm 내지 50μm의 범위를 가지고,상기 나노마이크로 구조체의 높이는 10nm 내지 10μm의 범위를 가지며,상기 기능층의 두께는 1nm 내지 1,000nm의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자 형성방법
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 기능층 형성단계는 상기 나노마이크로 구조체에 금속박막층을 증착하는 금속박막층 증착단계와, 상기 나노마이크로 구조체에 비금속박막층을 증착하는 비금속박막층 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자 형성방법
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