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이종 접합 실리콘 태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019012542
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 도전형 결정질 실리콘 기판과 진성 비정질 실리콘 박막의 사이에 터널링에 의해 전기 전도도가 우수하고 패시베이션 특성이 우수한 터널 산화막을 더 형성하여 효율 특성을 향상시킬 수 있는 이종 접합 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.이를 위해 본 발명은 제1도전형 결정질 실리콘 기판; 상기 제1도전형 결정질 실리콘 기판의 상면에 형성된 상부 터널 산화막; 상기 제1도전형 결정질 실리콘 기판의 하면에 형성된 하부 터널 산화막; 상기 상부 터널 산화막에 형성된 상부 진성 비정질 실리콘 박막; 상기 하부 터널 산화막에 형성된 하부 진성 비정질 실리콘 박막; 상기 상부 진성 비정질 실리콘 박막에 형성된 제2도전형 비정질 실리콘 박막; 상기 하부 진성 비정질 실리콘 박막에 형성된 제1도전형 비정질 실리콘 박막; 상기 제2도전형 비정질 실리콘 박막에 형성된 상부 투명 전극; 및 상기 제1도전형 비정질 실리콘 박막에 형성된 하부 투명 전극을 포함하는 이종 접합 실리콘 태양 전지를 개시한다.
Int. CL H01L 31/072 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180086576 (2018.07.25)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1886818-0000 (2018.08.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2017-0083689 (2017.06.30)
관련 출원번호 1020170083689
심사청구여부/일자 Y (2018.07.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장효식 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0735561-55
2 등록결정서
Decision to grant		 2018.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0514215-47
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번호 청구항
1 1
상면 및 하면에 텍스처 구조를 형성한 제1도전형 결정질 실리콘 기판을 제공하는 단계;상기 제1도전형 결정질 실리콘 기판에 질산, 염산, 황산, 인산 또는 불산을 이용한 화학적 산화 처리를 1분 내지 5분 동안 수행하여 상기 제1도전형 결정질 실리콘 기판의 상면 및 하면에 각각에 화학적 산화막을 형성하는 단계;상기 제1도전형 결정질 실리콘 기판 상면 및 하면의 화학적 산화막에 각각 100℃ 내지 400 ℃의 온도 분위기에서 1차 열처리를 수행하면서 원자층 증착법으로 Al2O3를 증착하여 텍스처 구조의 상부 터널 산화막 및 하부 터널 산화막을 형성하는 단계;150℃ 내지 600 ℃의 온도 분위기에서 10분 내지 30분간 상기 상부 터널 산화막 및 상기 하부 터널 산화막에 2차 열처리를 수행하여 상기 상부 터널 산화막 및 상기 하부 터널 산화막의 표면 커버리지를 증가시키는 단계;상기 상부 터널 산화막에 텍스처 구조의 상부 진성 비정질 실리콘 박막을 형성하고, 상기 하부 터널 산화막에 텍스처 구조의 하부 진성 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 상부 진성 비정질 실리콘 박막에 텍스처 구조의 제2도전형 비정질 실리콘 박막을 형성하고, 상기 하부 진성 비정질 실리콘 박막에 텍스처 구조의 제1도전형 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계; 및상기 제2도전형 비정질 실리콘 박막에 텍스처 구조의 상부 투명 전극을 형성하고, 상기 제1도전형 비정질 실리콘 박막에 텍스처 구조의 하부 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 이종 접합 실리콘 태양 전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 상부 터널 산화막 및 상기 하부 터널 산화막을 형성하는 단계에서,레이어 바이 레이어(layer-by-layer)로 증착시켜 상기 상부 터널 산화막 및 상기 하부 터널 산화막의 표면 커버리지를 증가시키는 이종 접합 실리콘 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 터널 산화막 및 상기 하부 터널 산화막을 0
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1도전형은 n형 불순물을 포함하고, 상기 제2도전형은 p형 불순물을 포함는 이종 접합 실리콘 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)주성엔지니어링 에너지기술개발사업 100MW급 이상의 n형 이종접합 결정질 실리콘 태양전지 핵심 공정장비 기술개발