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(a) 탈이온수에 실리카 졸을 분산시키는 단계;(b) 실란 커플링제(silane coupling agent)를 투입하고 실란반응을 수행하여 실리카 나노입자의 표면을 개질하는 단계; (c) 증류수에 여과하고 투석하여 실리카 나노입자를 수득하는 단계; 및 (d) 상기 실리카 나노입자를 5 내지 20 wt%의 염분을 함유하는 염수에 분산시키는 단계를 포함하여 실리카 나노유체를 제조하되, 상기 실리카 나노입자는 염분의 농도가 증가할수록 평균입자의 크기는 증가하나, 콜로이드 분산안정성을 유지하며, 상기 실리카 나노유체는 25 내지 90 ℃온도 조건에서 상기 실리카 나노입자의 분산 안정성이 유지되는 것을 특징으로 하는 실리카 나노유체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리카 졸은콜로드이성 실리카(colloidal silica)인 것을 특징으로 하는 실리카 나노유체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실란 커플링제는(3-글리시딜옥시프로필)트리메톡실란[(3-Glycidyloxypropyl)trimethoxysilane]인 것을 특징으로 하는 실리카 나노유체 제조방법
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제3항에 있어서,상기 (3-글리시딜옥시프로필)트리메톡실란은 0
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제1항에 있어서,상기 실란반응은65 내지 75 ℃에서 24 내지 26시간 동안 반응시켜 실리카 나노입자에 실란을 부착하는 것을 특징으로 하는 실리카 나노유체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리카 나노입자는평균 입자 크기가 35 내지 55 nm인 것을 특징으로 하는 실리카 나노유체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리카 나노유체는 0
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나노유체를 이용한 석유회수증진방법에 있어서, (i) 탄산염 저류층을 확인하고, 상기 탄산염 저류층의 암석에 주입정을 생성하는 단계;(ii) 탈이온수에 실리카 졸을 분산시키는 단계;(iii) 실란 커플링제(silane coupling agent)를 투입하고 실란반응을 수행하여 실리카 나노입자의 표면을 개질하는 단계; (iv) 증류수에 여과하고 투석하여 실리카 나노입자를 수득하는 단계; (v) 상기 실리카 나노입자를 지층수에 분산시켜 실리카 나노유체를 제조하는 단계; 및(vi) 상기 주입정을 통하여 암석의 공극 사이로 실리카 나노유체를 주입하여 암석 내부의 석유를 회수하는 단계를 포함하되, 상기 탄산염 저류층은 5 내지 20 wt%의 염분을 함유하고, 상기 실리카 나노입자는 염분의 농도가 증가할수록 평균입자의 크기는 증가하나, 콜로이드 분산안정성을 유지하며, 상기 (v) 단계에서, 제조된 실리카 나노유체는 25 내지 90 ℃온도 조건에서 상기 실리카 나노입자의 분산 안정성이 유지되는 것을 특징으로 하는 실리카 나노유체를 이용한 석유회수증진방법
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제10항에 있어서,상기 (iii) 단계에서, 상기 실란 커플링제는 0
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제10항에 있어서,상기 (iii) 단계에서, 상기 실란 반응은 65내지 75 ℃에서 24 내지 26시간 동안 반응시켜 실리카 나노입자에 실란을 부착하는 것을 특징으로 하는 실리카 나노유체를 이용한 석유회수증진방법
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제10항에 있어서,상기 (vi) 단계에서, 상기 실리카 나노유체는 0
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