1 |
1
(a) 폐탈질촉매에 나트륨 공급원을 첨가하여 소다배소 처리하는 단계;(b) 상기 소다배소 처리된 고상을 수침출하고, 고액분리하는 단계;(c) 상기 고액분리된 고상을 염산침출하는 단계;(d) 상기 염산침출액을 정치하여 실리콘 불순물을 겔화시켜 분리하는 단계; 및(e) 상기 실리콘 불순물이 분리된 침출액을 가수분해하여 이산화타이타늄을 형성시키고, 하소하는 단계;를 포함하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계의 나트륨 공급원은,탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 수산화나트륨 및 이들의 조합으로 이루어진 군 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계의 소다배소 처리는,500 ℃ 내지 1000 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계의 수침출은,30 ℃ 내지 100 ℃ 의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계의 수침출은,2 % 내지 20 %의 고액비(g×100/mL)로 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계의 수침출은,수산화나트륨을 더 첨가하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 (c) 단계의 염산침출은,4 M 내지 8 M의 염산 몰 농도로 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 (c) 단계의 염산침출은,50 ℃ 내지 80 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계의 정치는,1 ℃ 내지 40 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계의 정치는,상기 (c) 단계의 염산침출 시 5 M 내지 8 M의 염산을 사용하고 고액비(g×100/mL)가 10 % 내지 20 %의 조건에서 침출한 용액을 대상으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
11 |
11
청구항 1에 있어서,상기 (e) 단계의 가수분해는,70 ℃ 내지 90 ℃ 의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
12 |
12
청구항 1에 있어서,상기 (e) 단계의 하소는,650 ℃ 내지 900 ℃ 의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 폐탈질촉매로부터 고순도 이산화타이타늄 제조방법
|
13 |
13
(i) 소다배소 처리된 폐탈질촉매를 수침출하고, 고액분리하는 단계;(ii) 상기 고액분리된 고상을 염산침출하는 단계; 및(iii) 상기 염산침출액을 정치하여 실리콘 불순물을 겔화시켜 분리하는 단계;를 포함하는, 고순도 이산화타이타늄 제조를 위한 폐탈질촉매 처리방법
|