1 |
1
실리콘 웨이퍼의 상면부와 저면부에 각각 질화 실리콘층을 형성하는 단계;어느 하나의 상기 질화 실리콘층에 감광액을 도포하는 단계;상기 감광액 상에 광을 조사하여 감광 패턴을 형성하는 단계;상기 감광 패턴에 따라 상기 어느 하나의 질화 실리콘층을 식각하여 패턴을 형성하는 단계;상기 감광액을 상기 어느 하나의 질화 실리콘층 상에서 제거하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼를 역으로 뒤집어 배치하고, 다른 하나의 상기 질화 실리콘층에 다른 감광액을 도포하는 단계;상기 다른 감광액 상에 광을 조사하여 다른 감광 패턴을 형성하는 단계;상기 다른 감광 패턴에 따라 다른 하나의 질화 실리콘층을 식각하여 다른 패턴을 형성하되, 상기 다른 패턴의 하부에 상기 실리콘 웨이퍼를 보호하기 위한 초박막을 마련하는 단계;상기 다른 감광액을 상기 다른 하나의 질화 실리콘층 상에서 제거하는 단계;상기 다른 감광액이 제거된 실리콘 웨이퍼를 두께의 8할 깊이 까지 다이싱하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼를 그래핀 액상셀 제작 보조 장치를 이용하여 수산화칼륨 수용액에서 습식 처리하여 상기 실리콘 웨이퍼에 홈부를 형성하는 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼의 상기 다른 패턴을 갖는 다른 하나의 초박막 질화 실리콘층을 반응성 이온 식각을 통해 제거 하거나 질화실리콘 층상에 그래핀을 전사하는 단계를 포함하는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
2 |
2
제1 항에 있어서,상기 그래핀을 전사하는 단계는,구리 호일 상에 그래핀을 형성하는 단계;상기 그래핀 상에 PMMA를 도포하는 단계;상기 PMMA를 도포한 그래핀에서 구리 호일을 제거하는 단계;상기 PMMA를 도포한 그래핀을 상기 홈부가 형성된 실리콘 웨이퍼의 질화 실리콘층 상으로 전사하여 그래핀이 질화 실리콘 상에 적층된 적층물을 마련하는 단계;상기 전사된 PMMA를 전자빔을 사용하여 스페이서를 형성하는 단계;상기 적층물을 그래핀 액상셀 제작 보조 장치를 이용하여 아세톤에서 습식 처리하여 PMMA를 제거하는 단계; 및상기 PMMA가 제거된 적층물을 건조 처리하는 단계를 포함하는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
3 |
3
제2 항에 있어서,상기 구리 호일 상에 그래핀을 형성하는 단계에서는, 상기 그래핀을 화학적 기상 증착 방식으로 성막하는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
4 |
4
제2 항에 있어서,상기 적층물 상에 스페이서를 형성 하는 단계에서는, 상기 전사된 그래핀/PMMA 상부에 전자빔을 사용하여 스페이서를 형성하는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
5 |
5
제3 항에 있어서,상기 구리 호일을 제거하는 단계에서는, 리터당 0
|
6 |
6
제2 항에 있어서,상기 질화 실리콘층 상으로 그래핀의 전사에서는, 상기 PMMA를 도포한 그래핀을 물에 띄우고, 상기 홈부가 형성된 실리콘 웨이퍼를 물속으로 담가 상기 그래핀을 상기 실리콘 웨이퍼의 질화 실리콘층 상으로 부착시키는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
7 |
7
제1 항에 있어서,상기 질화 실리콘층은 상기 그래핀 하부에 위치하며 그래핀 전사 시 지지대 및 액체 용기 형성의 역할을 겸하는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
8 |
8
제6 항에 있어서,상기 질화 실리콘층에는 수nm ~ 수십um 크기로 홀들이 형성되며, 상기 홀들이 격자 양상으로 배치되는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
9 |
9
제6 항에 있어서,상기 그래핀은 상기 실리콘 웨이퍼 및 질화실리콘 박막의 상부에 전사되며 단일 층 또는 수십 층까지도 형성되는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
10 |
10
제2 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼의 습식 식각 및 그래핀 상부 PMMA의 제거에는, 상기 적층물의 웨이퍼 홀더부를 구비한 그래핀 액상셀 제작 보조 장치를 사용하되, 상기 웨이퍼 홀더부는 별도의 장착 홈이 형성되어 있어 오링 및 실리콘 웨이퍼 원판을 일측 방향으로 수용 가능하며, 실리콘 웨이퍼 원판의 고정 및 액체 용액으로부터 밀봉을 위해 커버 및 오링을 사용하는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
11 |
11
제10 항에 있어서,상기 커버를 고정하는 고정 유닛 혹은 결합 수단을 사용하는 그래핀 액상셀 제작 방법
|
12 |
12
삭제
|
13 |
13
삭제
|
14 |
14
삭제
|