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무선 통신 시스템의 송수신기에서 고주파 신호를 증폭하는 증폭기로서,상기 고주파 신호가 입력되는 입력단;상기 입력단과 연결됨으로써 상기 입력단으로부터 상기 고주파 신호를 획득하고, 상기 고주파 신호에 기초하여 제1 차동 신호 및 제2 차동 신호를 출력하는 발룬(balun);상기 발룬과 연결됨으로써 상기 발룬으로부터 상기 제1 차동 신호 및 상기 제2 차동 신호를 획득하고, 상기 제1 차동 신호 및 상기 제2 차동 신호에 기초하여 증폭된 고주파 신호를 출력하는 트랜지스터(transistor);상기 트랜지스터와 연결된 부하(load); 및상기 트랜지스터와 연결됨으로써 상기 증폭된 고주파 신호를 획득하고, 상기 증폭된 고주파 신호를 출력하는 출력단을 포함하며,상기 제1 차동 신호와 상기 제2 차동 신호 간의 위상 차이는 180도인, 증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 발룬은 인덕터(inductor) #1, 인덕터 #2, 커패시터(capacitor) #1 및 커패시터 #2를 포함하고,상기 인덕터 #1의 일단은 상기 입력단과 연결되고, 상기 인덕터 #1의 타단은 상기 트랜지스터의 게이트(gate)와 연결되며,상기 커패시터 #1은 상기 인덕터 #1과 병렬적으로 구성되고, 상기 커패시터 #1의 일단은 상기 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 상기 커패시터 #1의 타단은 그라운드(ground)에 연결되며,상기 커패시터 #2의 일단은 상기 입력단과 연결되고, 상기 커패시터 #2의 타단은 상기 트랜지스터의 소스(source)와 연결되며,상기 인덕터 #2는 상기 커패시터 #2와 병렬적으로 구성되고, 상기 인덕터 #2의 일단은 상기 트랜지스터의 소스와 연결되고, 상기 인덕터 #2의 타단은 그라운드에 연결되는, 증폭기
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3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 트랜지스터는 NMOS(n-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터인, 증폭기
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무선 통신 시스템의 송수신기에서 고주파 신호를 증폭하는 증폭기로서,상기 고주파 신호가 입력되는 입력단;상기 입력단과 연결됨으로써 상기 입력단으로부터 상기 고주파 신호를 획득하고, 상기 고주파 신호에 기초하여 출력 신호를 출력하는 트랜지스터(transistor) #1;상기 트랜지스터 #1과 연결됨으로써 상기 트랜지스터 #1로부터 상기 출력 신호를 획득하고, 상기 출력 신호에 기초하여 제1 차동 신호 및 제2 차동 신호를 출력하는 발룬(balun);상기 발룬과 연결됨으로써 상기 발룬으로부터 상기 제1 차동 신호 및 상기 제2 차동 신호를 획득하고, 상기 제1 차동 신호 및 상기 제2 차동 신호에 기초하여 증폭된 고주파 신호를 출력하는 트랜지스터 #2;상기 트랜지스터 #2와 연결된 부하(load); 및상기 트랜지스터 #2와 연결됨으로써 상기 증폭된 고주파 신호를 획득하고, 상기 증폭된 고주파 신호를 출력하는 출력단 포함하며,상기 제1 차동 신호와 상기 제2 차동 신호 간의 위상 차이는 180도인, 증폭기
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5
청구항 4에 있어서,상기 발룬은 인덕터(inductor) #1, 인덕터 #2, 커패시터(capacitor) #1 및 커패시터 #2를 포함하고,상기 커패시터 #1의 일단은 상기 트랜지스터 #1의 드레인(drain)과 연결되고, 상기 커패시터 #1의 타단은 상기 트랜지스터 #2의 게이트(gate)와 연결되며,상기 인덕터 #1은 상기 커패시터 #1과 병렬적으로 구성되고, 상기 인덕터 #1의 일단은 상기 트랜지스터 #2(의 게이트와 연결되며,상기 인덕터 #2의 일단은 상기 트랜지스터 #1의 드레인과 연결되고, 상기 인덕터 #2의 타단은 상기 트랜지스터 #2의 소스(source)와 연결되며,상기 커패시터 #2는 상기 인덕터 #2와 병렬적으로 구성되고, 상기 커패시터 #2의 일단은 상기 트랜지스터 #2의 소스와 연결되고, 상기 커패시터 #2의 타단은 그라운드에 연결되는, 증폭기
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6 |
6
청구항 5에 있어서,상기 트랜지스터 #2의 바이어스 전류는 상기 인덕터 #2에 의해 상기 트랜지스터 #1로 유입되며, 상기 바이어스 전류는 상기 트랜지스터 #1에서 재사용되는, 증폭기
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7
청구항 4에 있어서,상기 트랜지스터 #1 및 상기 트랜지스터 #2 각각은 NMOS(n-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이고, 상기 트랜지스터 #1 및 상기 트랜지스터 #2는 상기 증폭기 내에서 스택(stack) 형태로 구성되는, 증폭기
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8
무선 통신 시스템의 송수신기에서 고주파 신호를 증폭하는 증폭기로서,상기 고주파 신호가 입력되는 입력단;상기 입력단과 연결됨으로써 상기 입력단으로부터 상기 고주파 신호를 획득하고, 상기 고주파 신호에 기초하여 차동 신호 #11 및 차동 신호 #12를 출력하는 발룬(balun) #1;상기 발룬 #1과 연결됨으로써 상기 발룬 #1로부터 상기 차동 신호 #11 및 상기 차동 신호 #12를 획득하고, 상기 차동 신호 #11 및 상기 차동 신호 #12에 기초하여 증폭된 고주파 신호 #1을 출력하는 트랜지스터(transistor) #1;상기 트랜지스터 #1과 연결됨으로써 상기 증폭된 고주파 신호 #1을 획득하고, 상기 증폭된 고주파 신호 #1에 기초하여 차동 신호 #21 및 차동 신호 #22를 출력하는 발룬 #2;상기 발룬 #2와 연결됨으로써 상기 발룬 #2로부터 상기 차동 신호 #21 및 상기 차동 신호 #22를 획득하고, 상기 차동 신호 #21 및 상기 차동 신호 #22에 기초하여 증폭된 고주파 신호 #2를 출력하는 트랜지스터 #2;상기 트랜지스터 #2와 연결된 부하(load); 및상기 트랜지스터 #2와 연결됨으로써 상기 증폭된 고주파 신호 #2를 획득하고, 상기 증폭된 고주파 신호 #2를 출력하는 출력단을 포함하는, 증폭기
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9
청구항 8에 있어서,상기 차동 신호 #11 및 상기 차동 신호 #12 간의 위상 차이는 180도이고, 상기 차동 신호 #21 및 상기 차동 신호 #22 간의 위상 차이는 180도인, 증폭기
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청구항 8에 있어서,상기 발룬 #1은 인덕터(inductor) #11, 인덕터 #12, 커패시터(capacitor) #11 및 커패시터 #12를 포함하고,상기 인덕터 #11의 일단은 상기 입력단과 연결되고, 상기 인덕터 #11의 타단은 상기 트랜지스터 #1의 게이트(gate)와 연결되며,상기 커패시터 #11은 상기 인덕터 #11과 병렬적으로 구성되고, 상기 커패시터 #11의 일단은 상기 트랜지스터 #1의 게이트와 연결되고, 상기 커패시터 #11의 타단은 그라운드(ground)에 연결되며,상기 커패시터 #12의 일단은 상기 입력단과 연결되고, 상기 커패시터 #12의 타단은 상기 트랜지스터 #1의 소스(source)와 연결되며,상기 인덕터 #12는 상기 커패시터 #12와 병렬적으로 구성되고, 상기 인덕터 #12의 일단은 상기 트랜지스터 #1의 소스와 연결되고, 상기 인덕터 #12의 타단은 그라운드에 연결되는, 증폭기
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청구항 8에 있어서,상기 발룬 #2는 인덕터 #21, 인덕터 #22, 커패시터 #21 및 커패시터 #22를 포함하고,상기 커패시터 #21의 일단은 상기 트랜지스터 #1의 드레인(drain)과 연결되고, 상기 커패시터 #21의 타단은 상기 트랜지스터 #2의 게이트와 연결되며,상기 인덕터 #21은 상기 커패시터 #21과 병렬적으로 구성되고, 상기 인덕터 #21의 일단은 상기 트랜지스터 #2의 게이트와 연결되며,상기 인덕터 #22의 일단은 상기 트랜지스터 #1의 드레인과 연결되고, 상기 인덕터 #22의 타단은 상기 트랜지스터 #2의 소스와 연결되며,상기 커패시터 #22는 상기 인덕터 #22와 병렬적으로 구성되고, 상기 커패시터 #22의 일단은 상기 트랜지스터 #2의 소스와 연결되고, 상기 커패시터 #22의 타단은 그라운드에 연결되는, 증폭기
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청구항 11에 있어서,상기 트랜지스터 #2의 바이어스 전류는 상기 인덕터 #22에 의해 상기 트랜지스터 #1로 유입되며, 상기 바이어스 전류는 상기 트랜지스터 #1에서 재사용되는, 증폭기
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청구항 8에 있어서,상기 트랜지스터 #1 및 상기 트랜지스터 #2 각각은 NMOS(n-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이고, 상기 트랜지스터 #1 및 상기 트랜지스터 #2는 상기 증폭기 내에서 스택(stack) 형태로 구성되는, 증폭기
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