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역전기투석장치에 있어서,교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성하는 제1 셀 스택; 및상기 고체염 챔버에 채워지는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염을 포함하며,상기 제1 수용성 고체염 및 상기 제2 수용성 고체염은, 상기 고체염 챔버에 교대로 채워지며, 수분이 공급되면 상호 반응하여 상기 침전 챔버에서 앙금을 생성하는 역전기투석장치
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제1항에 있어서,상기 수분이 공급되면, 상기 제1 수용성 고체염의 양이온과 상기 제2 수용성 고체염의 음이온, 그리고 상기 제1 수용성 고체염의 음이온과 상기 제2 수용성 고체염의 양이온은 이웃하는 침전 챔버에서 앙금을 형성하며 침전하는 역전기투석장치
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제1항에 있어서,상기 앙금은,Ac(OH)2, Al(OH)3, As2S3, AgN3, AgBr, AgCl, AgCN, Ag2C2O4, Ba3(AsO4)2, BaCO3, BaCrO4, Ba2Fe(CN)6, BaSO4, BiAsO4, Bi(OH)3BiI3, BiPO4, Bi2S3, Cd3(AsO4)2, CdCO3, Cd2Fe(CN)6, Cd(OH)2, Cd3(PO4)2, CdS, Ca3(AsO4)2, CaCO3, CaC2O4, Ce(OH)3, CePO4, Ce(OH)4, CoC2O4, CuCN, CuOH, CuI, Cu2S, CuSCN, CuCO3, Cu(OH)2, CuC2O4, CuS, Er(OH)3, Eu(OH)3, Ga(OH)3, Hf(OH)3, Ho(OH)3, In(OH)3, In2S3, FeCO3, Fe(OH)2, FeAsO4, Fe(OH)3, PbCO3, PbCrO4, PbFe(CN)6, PbHPO4, Pb(OH)2, Pb(IO3)2, PbMoO4 , PbC2O4, PbS, Pb(OH)4, Lu(OH)3, Mg(OH)2, Mg3(PO4)2, MnCO3, Mn(OH)2, Hg2Br2 , Hg2CO3, Hg2Cl2, Hg2(CN)2 , HgS, NiCO3, Ni2P2O7, Pd(OH)2, Pd(OH)4, Pt(OH)2, PtBr4, PuF3, PoS, KB(C6H5)4, RaSO4, AgN3, AgBr, AgCl, AgCN, Ag2C2O4, SrF2, Sb2S3, SrWO4, ZnCO3, ZnC2O4 중 2개를 포함하는 역전기투석장치
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제1항에 있어서,상기 역전기투석장치는,상호 마주보는 애노드와 캐소드;를 더 포함하며,상기 애노드와 상기 제1 셀 스택의 일면 사이 및 상기 캐소드와 상기 제1 셀 스택의 타면 사이에 형성된 산화 챔버 및 환원 챔버;를 더 포함하는 역전기투석장치
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제1항에 있어서,상기 역전기투석장치는,교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성하는 제2 셀 스택; 및상기 제2 셀 스택의 고체염 챔버에 채워지는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염을 더 포함하며,상기 제1 셀 스택의 일면 및 상기 제2 셀 스택의 일면은, 동일 평면상에서 일정 간격 이격되게 놓여지며,상기 제1 셀 스택의 타면 및 상기 제2 셀 스택의 타면은 고체염 챔버 또는 침전 챔버 중 어느 하나를 공유하는 역전기투석장치
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제5항에 있어서,상기 역전기투석장치는,애노드와 캐소드;를 더 포함하며,상기 애노드와 상기 제1 셀 스택의 일면 사이 및 상기 캐소드와 상기 제2 셀 스택의 타면 사이에 형성된 산화 챔버 및 환원 챔버;를 더 포함하는 역전기투석장치
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7
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 수분의 공급은, 상기 역전기투석장치의 상기 고체염 챔버 및 상기 침전 챔버를 완전히 채우도록 공급되는 역전기투석장치
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제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염 간의 앙금 생성 반응을 통해 전류를 발생시키는 역전기투석장치; 및전하 또는 극성을 가지는 물질을 포함하고, 상기 역전기투석장치에 의해 발생된 전류에 의해 상기 전하 또는 극성을 가지는 물질을 피부에 주입하는 물질 주입부;를 포함하고,상기 역전기투석장치는, 교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성하는 제1 셀 스택; 및 상기 고체염 챔버에 채워지는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염을 포함하고,상기 제1 수용성 고체염 및 상기 제2 수용성 고체염은, 상기 고체염 챔버에 교대로 채워지며, 수분이 공급되면 상호 반응하여 상기 침전 챔버에서 앙금을 생성하는 약물 주입 장치
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제8항에 있어서,상기 수분이 공급되면, 상기 제1 수용성 고체염의 양이온과 상기 제2 수용성 고체염의 음이온, 그리고 상기 제1 수용성 고체염의 음이온과 상기 제2 수용성 고체염의 양이온은 이웃하는 침전 챔버에서 앙금을 형성하며 침전하는 약물 주입 장치
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10
제8항에 있어서,상기 앙금은,Ac(OH)2, Al(OH)3, As2S3, AgN3, AgBr, AgCl, AgCN, Ag2C2O4, Ba3(AsO4)2, BaCO3, BaCrO4, Ba2Fe(CN)6, BaSO4, BiAsO4, Bi(OH)3BiI3, BiPO4, Bi2S3, Cd3(AsO4)2, CdCO3, Cd2Fe(CN)6, Cd(OH)2, Cd3(PO4)2, CdS, Ca3(AsO4)2, CaCO3, CaC2O4, Ce(OH)3, CePO4, Ce(OH)4, CoC2O4, CuCN, CuOH, CuI, Cu2S, CuSCN, CuCO3, Cu(OH)2, CuC2O4, CuS, Er(OH)3, Eu(OH)3, Ga(OH)3, Hf(OH)3, Ho(OH)3, In(OH)3, In2S3, FeCO3, Fe(OH)2, FeAsO4, Fe(OH)3, PbCO3, PbCrO4, PbFe(CN)6, PbHPO4, Pb(OH)2, Pb(IO3)2, PbMoO4 , PbC2O4, PbS, Pb(OH)4, Lu(OH)3, Mg(OH)2, Mg3(PO4)2, MnCO3, Mn(OH)2, Hg2Br2 , Hg2CO3, Hg2Cl2, Hg2(CN)2 , HgS, NiCO3, Ni2P2O7, Pd(OH)2, Pd(OH)4, Pt(OH)2, PtBr4, PuF3, PoS, KB(C6H5)4, RaSO4, AgN3, AgBr, AgCl, AgCN, Ag2C2O4, SrF2, Sb2S3, SrWO4, ZnCO3, ZnC2O4 중 2개를 포함하는 약물 주입 장치
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제8항에 있어서,상기 물질 주입부는,상기 제1 셀 스택의 일면 또는 타면 중 적어도 하나에 형성되는 약물 주입 장치
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12
제8항에 있어서,상기 역전기투석장치는,교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성하는 제2 셀 스택; 및상기 제2 셀 스택의 고체염 챔버에 채워지는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염을 더 포함하며,상기 제1 셀 스택의 일면 및 상기 제2 셀 스택의 일면은, 동일 평면상에서 일정 간격 이격되게 놓여지며,상기 제1 셀 스택의 타면 및 상기 제2 셀 스택의 타면은 고체염 챔버 또는 침전 챔버 중 어느 하나를 공유하는 약물 주입 장치
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제12항에 있어서,상기 물질 주입부는,상기 제1 셀 스택의 일면 및 상기 제2 셀 스택의 일면 중 적어도 하나에 형성되는 약물 주입 장치
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제8항 또는 제12항에 있어서,상기 수분의 공급은, 상기 역전기투석장치의 상기 고체염 챔버 및 상기 침전 챔버를 완전히 채우도록 공급되는 약물 주입 장치
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