| 1 |
1
강자성체로 만들어지고, 대상체에 부착되는 것으로 폭이나 길이에 비해 두께가 얇게 형성된 자기 변형 패치(120); 상기 자기 변형 패치(120)의 폭 방향과 나란하게 정자기장을 형성하는 제1자기장 형성부(110);상기 자기 변형 패치(120) 상에서 상기 제1자기장 형성부(110)가 형성하는 정자기장과 나란한 방향으로 자기장을 형성하도록 상기 자기 변형 패치(120)의 길이 방향에 나란하게 배치된 코일을 포함하는 제2자기장 형성부(130); 및 상기 자기 변형 패치(120)의 양측에 각각 배치되는 제1지지부(142)와 상기 제1지지부(142)들의 상측에 상기 자기변형 패치(120)와 평행하게 배치되는 제1중앙 빔(141)을 포함하는 제1공진 구조물(140)을 포함하고, 상기 제2자기장 형성부의 코일에 흐르는 전류가 변화함에 따라 상기 자기변형 패치가 변형되고, 상기 자기변형 패치가 부착된 대상체에 유도초음파가 전파되며, 상기 자기변형 패치의 양측에서 유도초음파가 제1공진 구조물(141)에 의해 반사되어 파동이 중첩됨으로써 결과적으로 출력이 증가되는 것을 특징으로 하는 자기 변형 트랜스듀서
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 제1자기장 형성부(110)는 서로 다른 극이 마주하도록 간격을 두고 상기 자기 변형 패치(120)의 양측에 배치된 두 개의 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 변형 트랜스듀서
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 제1공진 구조물(140) 상에는, 상기 자기 변형 패치(120)와 나란하고, 상기 제1중앙 빔(141)과 평면 형상이 동일하게 직사각형인 제2중앙 빔(541)과, 상기 제1공진 구조물(140)의 제1중앙 빔(141)의 상면과 상기 제2중앙 빔(541)을 연결하는 제2지지부(542)를 포함하는 제2공진 구조물(540)이 더 설치된 것을 특징으로 하는 자기 변형 트랜스듀서
|
| 4 |
4
강자성체로 만들어지고, 대상체(400)에 부착되는 것으로 평면 형상이 원형인 자기 변형 패치(220); 상기 자기 변형 패치(220) 상에서 상기 자기 변형 패치(220)의 중심(C)으로부터 멀어지는 방향으로 형성되는 정자기장을 형성하는 제1자기장 형성부(210);상기 자기 변형 패치(220) 상에서 상기 제1자기장 형성부(210)가 형성하는 정자기장과 나란한 방향의 동자기장을 형성하는 제2자기장 형성부(230); 및 상기 자기변형 패치의 둘레를 따라 배치되는 제1지지부(242)와 상기 제1지지부(242)의 상측에 상기 자기변형 패치(220)와 평행하게 배치되는 제1중앙부(241)를 포함하는 제1공진 구조물(240)을 포함하고, 상기 제2자기장 형성부의 코일에 흐르는 전류가 변화함에 따라 상기 자기변형 패치가 변형되고, 상기 자기변형 패치가 부착된 대상체에 유도초음파가 전파되며, 유도초음파가 제1공진 구조물(240)에 의해 반사되어 자기변형 패치에 의해 발생되는 유도초음파와 반사파가 중첩됨으로써 결과적으로 출력이 증가되는 것을 특징으로 하는 자기 변형 트랜스듀서
|
| 5 |
5
청구항 4에 있어서, 상기 제1공진 구조물(240) 상에는, 상기 자기 변형 패치(220)와 나란하고, 상기 제1중앙부(241)와 평면 형상이 동일하게 원형인 제2중앙부(346)와, 상기 제1공진 구조물(240)의 제1중앙부(241) 상면과 상기 제2중앙부(346)를 연결하는 제2지지부(347)를 포함하는 제2공진 구조물(345)이 더 설치된 것을 특징으로 하는 자기 변형 트랜스듀서
|
| 6 |
6
청구항 4에 있어서, 상기 제2자기장 형성부(230)는 상기 자기 변형 패치(220)와 나란한 평면상에서 그 원주 방향을 따라 감긴 코일을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 자기 변형 트랜스듀서
|
| 7 |
7
청구항 4에 있어서, 상기 제1자기장 형성부(210)는 하나의 극이 상기 자기 변형 패치(220)를 향하고 다른 극은 상기 자기 변형 패치(220)에 대해 연직 방향을 향하도록 배치된 영구자석을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 자기 변형 트랜스듀서
|
| 8 |
8
대상체(400)에 초음파를 전달하는 트랜스듀서 상에 특정 주파수 영역에서 트랜스듀서의 출력을 향상시키도록 공진 현상을 일으키는 공진 구조물(240)을 트랜스듀서와 물리적으로 연결되도록 설치하는 설치 단계; 상기 설치 단계에서 설치된 트랜스듀서를 작동하여 초음파를 발진하고, 발진된 초음파가 상기 공진 구조물에 의해 반사되어 중첩되도록 하는 발진 단계; 및 상기 발진 단계에서 발진된 초음파를 측정하는 측정 단계를 포함하는 트랜스듀서 출력의 향상 방법
|
