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이온트랩 장치를 위한 필터 및 그 설계방법

  • 기술번호 : KST2019012907
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예들은 종래의 RC 필터를 사용하되, RC 필터에 포함된 커패시터의 커패시턴스 크기에 반비례하는 감소 외에 추가적으로 RF 커플링으로 인해 유발된 서로 반대 방향의 전기장들을 상쇄시킴으로써 이온에 발생하는 미세진동을 억제하여 이온트랩의 집적도를 높일 수 있도록 하는 이온트랩 장치를 위한 필터 및 그 설계방법을 제공한다.
Int. CL H01J 49/42 (2006.01.01) H01J 49/02 (2006.01.01)
CPC H01J 49/424(2013.01) H01J 49/424(2013.01)
출원번호/일자 1020170144292 (2017.10.31)
출원인 에스케이텔레콤 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1881779-0000 (2018.07.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180725) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이텔레콤 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영대 서울특별시 중구
2 김태현 서울특별시 중구
3 조동일 서울특별시 강남구
4 이민재 서울특별시 송파구
5 홍석준 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로**길 **(역삼동) 베리타스빌딩, *-*층(베리타스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
2 아이디 퀀티크 에스.에이. 스위스 씨에이치-**** 까루즈 슈만 드 라 말브러
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-1081554-17
2 공지예외적용주장 증명서류 제출기한 안내문
2017.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0158305-19
3 보정요구서
Request for Amendment
2017.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0158304-63
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1185171-40
5 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1186090-18
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0141234-66
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0029101-76
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0251848-34
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0251832-15
11 등록결정서
Decision to grant
2018.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0349948-68
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상면, 하면 및 기 설정된 두께를 갖도록 형성되는 기판, 상기 상면의 일부 영역에 형성되는 RF 전극 및 상기 상면의 다른 일부 영역에 상기 RF 전극과 전기적으로 분리되어 형성되는 DC 전극을 포함하는 구조물과 외부의 DC 전원 사이를 전기적으로 연결하는 필터에 있어서,상기 상면에 형성되어 상기 DC 전극의 일부와 전기적으로 연결되는 커패시터; 및상기 구조물의 외부에 형성되어 상기 구조물과 전기적으로 연결되는 저항을 포함하고, 상기 커패시터의 정전용량값인 제 1 커패시턴스 및 상기 저항의 저항값인 제 1 저항값은 상기 RF 전극에 인가되는 기 설정된 주파수를 갖는 RF 입력전압, 상기 RF 입력전압에 의해 상기 DC 전극에 커플링되는 RF 결합전압, 상기 RF 전극과 상기 DC 전극 각각의 기생 커패시턴스 및 상기 RF 전극과 상기 DC 전극 사이의 상호 커패시턴스를 고려하여 상기 DC 전극에 발생하는 유도 전하량을 계산함으로써 설계되는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치를 위한 필터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 DC 전극은 적어도 한 쌍의 내부 DC 전극과 적어도 한 쌍의 외부 DC 전극을 포함하며, 상기 제 1 커패시턴스 및 상기 제 1 저항값 각각은 상기 RF 결합전압에 의해 유발되어 상기 적어도 한 쌍의 내부 DC 전극과 상기 적어도 한 쌍의 외부 DC 전극 각각이 형성하는 전기장이 소정의 위치에서 서로 상쇄되도록 하는 값을 갖도록 설정되는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치를 위한 필터
3 3
상면, 하면 및 기 설정된 두께를 갖도록 형성되는 기판, 상기 상면의 일부 영역에 형성되는 RF 전극 및 상기 상면의 다른 일부 영역에 상기 RF 전극과 전기적으로 분리되어 형성되는 적어도 하나의 DC 전극을 포함하는 구조물과 외부의 DC 전원 사이를 전기적으로 연결하는 필터 설계방법에 있어서,상기 RF 전극에 인가되는 기 설정된 주파수를 갖는 RF 입력전압과 상기 RF 입력전압에 의해 상기 적어도 하나의 DC 전극에 커플링되는 RF 결합전압의 관계를 설정하고 계산하는 과정;상기 RF 결합전압에 의해 유발되어 상기 적어도 하나의 DC 전극이 발생시키는 적어도 하나의 전기장을 시뮬레이션하는 과정; 및상기 구조물 주변의 소정 위치에서 상기 적어도 하나의 전기장의 크기가 상쇄되도록 하는 필터의 값을 계산하는 과정을 포함하며, 상기 RF 결합전압의 관계를 설정하고 계산하는 과정은 상기 RF 전극 및 상기 적어도 하나의 DC 전극 각각의 기생 커패시턴스 및 상기 RF 전극과 상기 적어도 하나의 DC 전극 사이의 상호 커패시턴스를 고려하여 상기 적어도 하나의 DC 전극에 발생하는 유도 전하량을 계산하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치를 위한 필터 설계방법
4 4
삭제
5 5
제 3 항에 있어서,상기 필터의 값을 계산하는 과정은,상기 소정 위치에서 상기 적어도 하나의 전기장의 크기와 위상을 계산하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치를 위한 필터 설계방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 필터의 값을 계산하는 과정은,상기 RF결합전압의 값을 계산하기 위해 제 1 커패시턴스 값을 갖는 커패시터를 상기 적어도 하나의 DC 전극과 접지 사이에 연결되도록 상기 상면 또는 상기 하면 중 선택된 한 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치를 위한 필터 설계 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 필터의 값을 계산하는 과정은,상기 구조물과 상기 외부의 DC 전원 사이에 제 1 저항값을 갖는 저항을 추가하고, 상기 제 1 저항값을 변화시켜 상기 적어도 하나의 전기장의 위상을 보정하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치를 위한 필터 설계방법
8 8
제 3 항에 있어서,상기 적어도 하나의 DC 전극은 제 1 내부 DC 전극, 제 1 외부 DC 전극, 제 2 내부 DC 전극 및 제 2 외부 DC 전극을 포함하고, 상기 RF 전극은 제 1 RF 전극 및 제 2 RF 전극을 포함하며, 상기 제 1 RF 전극은 상기 제 1 내부 DC 전극과 상기 제 1 외부 DC 전극 사이에 형성되고, 상기 제 2 RF 전극은 상기 제 2 내부 DC 전극과 상기 제 2 외부 DC 전극 사이에 형성되며,상기 RF 결합전압의 관계를 설정하고 계산하는 과정은,상기 제 1 외부 DC 전극 및 상기 제 2 외부 DC 전극에 발생한 RF 결합전압인 외부 RF 결합전압과 상기 제 1 내부 DC 전극 및 상기 제 2 내부 DC 전극에 발생한 RF 결합전압인 내부 RF 결합전압 각각의 크기와 위상을 계산하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치를 위한 필터 설계방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 필터의 값을 계산하는 과정은,상기 제 1 내부 DC 전극, 상기 제 2 내부 DC 전극, 상기 제 1 외부 DC 전극 및 상기 제 2 외부 DC 전극에 각각 제 1 내부 커패시턴스를 갖는 제 1 내부 커패시터, 제 2 내부 커패시턴스를 갖는 제 2 내부 커패시터, 제 1 외부 커패시턴스를 갖는 제 1 외부 커패시터 및 제 2 외부 커패시턴스를 갖는 제 2 외부 커패시터를 전기적으로 연결하고, 상기 제 1 내부 커패시턴스 및 상기 제 2 내부 커패시턴스가 동일한 제 1 값을 갖고, 상기 제 1 외부 커패시턴스와 제 2 외부 커패시턴스가 동일한 제 2 값을 갖도록 설정하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치를 위한 필터 설계방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 에스케이텔레콤(주) 정보통신.방송 연구개발 사업 통신장비에 적용을 위한 양자이론 기반의 퀸텀리피터 기술연구