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알루미늄 기재; 및상기 알루미늄 기재 표면에 형성된 복합나노구조체를 포함하는 나노 패턴;을 포함하고, 상기 복합나노구조체는 나노입자 및 상기 나노입자의 주위에 복수의 나노 플레이크를 포함하며,상기 나노입자는 Ti, Au, Ag, Pt, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Al, Si, 이들의 합금, 및 이들의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 친수성 알루미늄 표면체
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제1항에 있어서,상기 나노 플레이크는 판상, 침상 또는 이들이 조합된 형상을 가지며,상기 나노 플레이크가 상기 나노입자의 둘레와 상기 알루미늄 기재 상에 형성되고, 상기 알루미늄 기재 표면의 상부 방향을 향하여 성장된 것인 친수성 알루미늄 표면체
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제1항에 있어서,상기 나노 플레이크는 높이가 10nm 내지 300nm 범위인 친수성 알루미늄 표면체
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제1항에 있어서,상기 나노 플레이크는 보헤마이트(boehmite, AlO(OH)), 산화알루미늄(Al2O3) 또는 이들의 조합을 포함하는 친수성 알루미늄 표면체
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 복수개가 모여 나노클러스터를 이루는 것인 친수성 알루미늄 표면체
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제1항에 있어서,상기 나노입자의 평균직경이 1nm 내지 1000nm 범위인 친수성 알루미늄 표면체
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 기재는 판상 또는 메쉬 형태인 친수성 알루미늄 표면체
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 기재 상에 보헤마이트(boehmite, AlO(OH)), 산화알루미늄(Al2O3) 또는 이들의 조합을 포함하는 알루미늄 산화막을 더 포함하는 것인 친수성 알루미늄 표면체
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 표면체는 순수(純水)를 이용한 접촉각이 10° 이하인 친수성 알루미늄 표면체
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제1항 내지 제5항, 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 친수성 알루미늄 표면체를 포함하는 유수분리장치
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나노입자와 알루미늄 기재를 산화시켜 상기 알루미늄 기재 표면의 일부 또는 전부에 나노입자와 상기 나노입자의 주위에 복수의 나노 플레이크를 포함하는 복합나노구조체를 형성하여 친수성 알루미늄 표면을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 나노입자는 Ti, Au, Ag, Pt, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Al, Si, 이들의 합금, 및 이들의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하고,상기 친수성 알루미늄 표면 제조 단계에서의 산화는 물을 포함하는 70 내지 150 ℃의 반응액 또는 이의 증기와 상기 나노입자와 알루미늄 기재가 접촉하여 이루어지는 것인, 친수성 알루미늄 표면체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 친수성 알루미늄 표면 제조 단계에서의 산화는 1분 내지 100분 동안 수행되는 친수성 알루미늄 표면체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 나노 플레이크는 판상, 침상 또는 이들이 조합된 형상을 가지며,상기 나노입자의 둘레와 상기 알루미늄 기재 상에 형성되고, 상기 알루미늄 기재 표면의 상부 방향을 향하여 상기 나노 플레이크를 성장시켜 복합나노구조체를 형성하는 것인 친수성 알루미늄 표면체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 나노 플레이크는 보헤마이트(boehmite, AlO(OH)), 산화알루미늄(Al2O3) 또는 이들의 조합을 포함하는 친수성 알루미늄 표면체의 제조방법
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