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이온성 물질이 수용된 한 쌍의 제1 및 제2이온부; 상기 제1 및 제2이온부의 사이에 마련되며, 복수의 기공(stomata)이 마련되는 멤브레인부; 및 상기 제1 및 제2이온부 중에서 빛이 수광되는 일측에 적층 형성되어, 광전 효과에 의해 전압을 발생시키는 발전부; 를 포함하며, 상기 멤브레인부는 상기 제1 및 제2이온부 사이에 적층되는 플레이트 형상을 가지되, 상기 빛이 수광되는 일면은 광활성 물질에 의해 코팅된 코팅층이 마련되어, 상기 발전부로부터 발생된 전압을 공급받으며, 상기 제1이온부, 상기 멤브레인부, 상기 제2이온부 및 상기 발전부가 순차적으로 적층 형성되며, 상기 발전부는 상기 코팅층과 마주하는 상기 제2이온부의 상면에 적층되는 자가 발전 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 멤브레인부는 폴리 카보네이트 트랙 에치드(Poly Carbonate Track Etched: PCTE)를 포함하는 자가 발전 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 광활성 물질은 아조(AZO)와 PDDA(Poly diallyldimethylammonium chloride)가 1:3, 1:4
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제3항에 있어서, 상기 코팅층은 상기 멤브레인부의 적어도 일면에 적어도 1회 이상 상기 아조 물질이 도포되어 건조된 후, 동결 건조(Freeze drying)되어 마련되는 자가 발전 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 멤브레인부는 6㎛ 내지 11㎛의 두께를 가지며, 상기 기공의 지름은 10 ㎚ 내지 1 ㎛인 자가 발전 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2이온부 사이는 전원부에 의해 전압이 인가되어 전류가 측정되며, 상기 전원부는 상기 발전부와 연결되어 전압을 공급받을 수 있는 자가 발전 이온채널장치
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7
제1항에 있어서, 상기 발전부는 폴리플루오린화비닐리덴(PVDF, Polyvinylidene fluoride), 폴리플루오르에틸렌비닐리덴(poly[(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene][P(VDF-TrFE)]의 물질로 형성되는 자가 발전 이온채널장치
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8
제1항에 있어서, 상기 발전부는 제1이온부의 하면에 적층된 도전층과 연결되어 전류가 흐르는 자가 발전 이온채널장치
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9
제8항에 있어서, 상기 도전층은 ITO 유리를 포함하는 자가 발전 이온채널장치
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이온성 물질이 수용된 제1이온부; 상기 제1이온부의 상면에 적층되며 복수의 기공(stomata)이 마련되는 멤브레인부;상기 멤브레인부의 상면에 적층되며 상기 이온성 물질이 수용된 제2이온부; 빛과 마주하도록 상기 제2이온부의 상면에 적층되어, 광전 효과에 의해 전압을 발생시키는 발전부; 를 포함하며, 상기 발전부는 상기 제2이온부의 하면에 적층된 도전층과 연결되어, 발생된 전압을 상기 제1 및 제2이온부 사이의 전위차 발생을 위해 공급하며, 상기 멤브레인부는 상기 제1 및 제2이온부 사이에 적층되는 플레이트 형상을 가지되, 상기 빛이 수광되는 일면은 광활성 물질에 의해 코팅된 코팅층이 마련되어, 상기 발전부로부터 발생된 전압을 공급받으며, 상기 제1이온부, 상기 멤브레인부, 상기 제2이온부 및 상기 발전부가 순차적으로 적층 형성되며, 상기 발전부는 상기 코팅층과 마주하는 상기 제2이온부의 상면에 적층되고, 상기 제1이온부의 하면에 적층된 도전층과 전기적으로 연결되는 자가 발전 이온채널장치
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제11항에 있어서, 상기 멤브레인부는 폴리 카보네이트 트랙 에치드(Poly Carbonate Track Etched: PCTE)를 포함하여 상기 제1 및 제2이온부 사이에 적층되되, 6㎛ 내지 11㎛의 두께를 가지며, 상기 기공의 지름은 10 ㎚ 내지 1 ㎛인 자가 발전 이온채널장치
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삭제
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제11항에 있어서, 상기 광활성 물질은 아조(AZO)와 PDDA(Poly diallyldimethylammonium chloride)가 1:3, 1:4
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제14항에 있어서, 상기 코팅층은 상기 멤브레인부의 적어도 일면에 적어도 1회 이상 상기 아조 물질이 도포되어 건조된 후, 동결 건조(Freeze drying)되어 마련되는 자가 발전 이온채널장치
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제11항에 있어서, 상기 발전부는 폴리플루오린화비닐리덴(PVDF, Polyvinylidene fluoride) 물질로 형성되는 자가 발전 이온채널장치
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제11항에 있어서, 상기 도전층은 ITO 유리를 포함하는 자가 발전 이온채널장치
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