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에폭시 수지;하기의 화학식 1로 표시되는 화합물; 및가교제;를 포함하고, 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대해 상기 가교제 15 중량부 내지 40 중량부;를 포함하고, 가교결합에 의해 유리전이온도 107 ℃ 내지 136 ℃, 충격강도 55 J/m 내지 80 J/m 및 신도 20 % 내지 40 % (유리전이온도 + 20 ℃에서)의 형상기억 고분자를 형성하고,상기 형상기억 고분자는, 80 % 이상의 회복율을 갖는 것인, 형상기억 고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 에폭시 수지는, 비스페놀 A 디글리시딜 에테르, 비스페놀 F 디글리시딜 에테르 및 비스페놀 S 디글리시딜 에테르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인,형상기억 고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 가교제는, 방향족 디아민 화합물이며, 상기 방향족 디아민 화합물은, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐설폰, 디에틸톨루엔디아민(DETDA), 3,3'-에틸-4,4'-디아미노페닐메탄, 테트라클로로-p-크실렌디아민, m-크실렌디아민, p-크실렌디아민, m-페닐렌디아민, o-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,4-디아미노아니솔, 2,4-톨루엔디아민, 2,4-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-1,2-디페닐에탄 및 2,4-디아미노디페닐술폰으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인,형상기억 고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 에폭시 수지 100 중량부에 대해, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 중량부 내지 80 중량부; 를 포함하는 것인,형상기억 고분자 조성물
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에폭시 수지;하기의 화학식 1로 표시되는 화합물; 및가교제; 를 포함하는 형상기억 고분자 조성물의 가교결합에 의한 생성물이고,상기 에폭시 수지 100 중량부에 대해 상기 가교제 15 중량부 내지 40 중량부;를 포함하고, 가교결합에 의해 유리전이온도 107 ℃ 내지 136 ℃, 충격강도 55 J/m 내지 80 J/m 및 신도 20 % 내지 40 % (유리전이온도 + 20 ℃에서)의 형상기억 고분자를 형성하고,상기 형상기억 고분자는, 80 % 이상의 회복율을 갖는 것인,형상기억 고분자
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에폭시 수지를 가열하는 단계;상기 가열된 에폭시 수지와 하기의 화학식 1의 화합물을 혼합한 이후에 가교제를 첨가하여 반응 혼합물을 형성하는 단계; 및 상기 반응 혼합물을 가열하여 경화하는 단계; 를 포함하고,상기 에폭시 수지 100 중량부에 대해 상기 가교제 15 중량부 내지 40 중량부;를 포함하고, 가교결합에 의해 유리전이온도 107 ℃ 내지 136 ℃, 충격강도 55 J/m 내지 80 J/m 및 신도 20 % 내지 40 % (유리전이온도 + 20 ℃에서)의 형상기억 고분자를 형성하고,상기 형상기억 고분자는, 80 % 이상의 회복율을 갖는 것인,형상기억 고분자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 반응 혼합물은, 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대해, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 중량부 내지 80 중량부; 를 포함하는 것인, 형상기억 고분자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 에폭시 수지를 가열하는 단계는, 30 ℃내지 100 ℃로 가열하는 것인, 형상기억 고분자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 경화하는 단계는, 100 ℃이상의 온도에서 열경화하는 것인, 형상기억 고분자의 제조방법
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제6항의 형상기억 고분자를 포함하는,성형체
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제13항에 있어서,상기 성형체는, 가변형 형상기억 필름인 것인, 성형체
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제6항의 형상기억 고분자를 포함하고, 우주구조물에 장착되는, 접이식 가변형 안테나
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