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트렌치가 형성된 트렌치 기판; 및상기 트렌치가 형성된 부분에서는 상기 트렌치 기판과의 접합이 이루어지지 않고, 상기 트렌치가 형성되지 않은 부분에서는 상기 트렌치 기판의 표면과 접합이 이루어지며, 상기 트렌치를 따라 힐(hill)과 밸리(valley)가 교번하게 배치되어 주름을 갖는 멤브레인;을 포함하여 이루어지는 멤브레인 소자
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제1항에 있어서, 상기 멤브레인이 비탄성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자
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제1항에 있어서, 상기 멤브레인이 반도체층, 유전체층, 또는 압전체층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자
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제3항에 있어서, 상기 멤브레인이 상기 반도체층, 유전체층, 또는 압전체층을 지지하기 위한 지지층을 더 포함하여 다층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자
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제1항에 있어서, 상기 트렌치 기판은 실리콘 기판의 표면 일부가 노출되도록 상기 실리콘 기판 상에 실리콘 산화물 패턴층이 형성되어 이루어짐으로써 상기 실리콘 산화물 패턴층 사이의 공간이 상기 트렌치의 역할을 하고, 상기 멤브레인은 단결정 실리콘층과 실리콘 산화물층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자
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제5항에 있어서, 상기 트렌치 기판은 상기 실리콘 산화물 패턴층을 식각마스크로 하여 상기 실리콘 기판을 식각하여 이루어짐으로써 상기 실리콘 기판에 식각된 부위가 상기 트렌치의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자
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7
핸들링 기판 상에 멤브레인을 형성하는 단계;트렌치가 형성되어 있는 트렌치 기판과 상기 핸들링 기판을 접합시키되, 상기 멤브레인이 상기 트렌치 기판 쪽을 향하도록 한 상태에서 상기 트렌치의 내부가 진공이 되도록 진공 분위기 하에서 상기 핸들링 기판과 상기 트렌치 기판을 진공 접합시키는 단계;상기 진공 접합된 결과물을 열처리하는 단계;상기 멤브레인에서 상기 핸들링 기판을 분리 제거하는 단계; 및상기 트렌치 내의 진공을 해제함으로써 상기 멤브레인에 상기 트렌치를 따라 힐(hill)과 밸리(valley)가 교번하게 형성되어 주름이 생기도록 하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 멤브레인이 비탄성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 멤브레인이 반도체층, 유전체층, 또는 압전체층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 멤브레인이 상기 반도체층, 유전체층, 또는 압전체층을 지지하기 위한 지지층을 더 포함하여 다층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 핸들링 기판을 분리 제거하는 단계는 상기 트렌치 내부와 외부의 압력 차에 의해서 상기 멤브레인이 상가 트렌치 내부로 함몰되도록 대기압 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 열처리가 대기압 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 트렌치 내의 진공 해제는 상기 멤브레인 또는 상기 트렌치 기판을 일부 제거하여 상기 트렌치 내부와 외부를 연통하는 연통부를 상기 멤브레인 또는 상기 트렌치 기판에 형성함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 트렌치 내의 진공을 해제하는 단계 이후에 상기 트렌치를 외부와 차단시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 트렌치 기판은 실리콘 기판의 표면 일부가 노출되도록 상기 실리콘 기판 상에 실리콘 산화물 패턴층이 형성되어 이루어짐으로써 상기 실리콘 산화물 패턴층 사이의 공간이 상기 트렌치의 역할을 하고, 상기 핸들링 기판은 단결정 실리콘 기판이며, 상기 멤브레인은 단결정 실리콘층과 실리콘 산화물층을 포함하여 이루어지는 다층구조를 하는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 트렌치 기판은 상기 실리콘 산화물 패턴층을 식각마스크로 하여 상기 실리콘 기판을 식각하여 이루어짐으로써 상기 실리콘 기판에 식각된 부위가 상기 트렌치의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 멤브레인을 형성하는 단계가, 상기 핸들링 기판으로서의 실리콘 기판 상에 단결정 실리콘층을 형성하는 단계; 및상기 단결정 실리콘층 상에 실리콘 산화물층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 멤브레인을 형성하는 단계가, 단결정 실리콘 기판의 표면을 산화시켜 상기 단결정 실리콘 기판의 표면에 실리콘 산화물층을 형성하는 단계;상기 단결정 실리콘 기판의 표면 소정 깊이에 이온 주입하여 상기 단결정 실리콘 기판의 표면 소정 깊이에 스마트 컷 경계를 형성하는 단계;상기 이온 주입된 표면에 있는 실리콘 산화물층이 상기 핸들링 기판에 접하도록 상기 단결정 실리콘 기판과 상기 핸들링 기판을 접합하는 단계; 및상기 스마트 컷 경계를 따라 상기 단결정 실리콘 기판을 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤브레인 소자 제조방법
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제1항의 멤브레인 소자에서 상기 주름의 형상 변화를 통하여 상기 멤브레인 소자 주위의 상황 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는 센서
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제1항의 멤브레인 소자에서 상기 멤브레인이 반도체층을 포함함으로써 상기 반도체층에서 레이저가 출사되도록 하는 레이저 장치
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제1항의 멤브레인 소자에서 상기 멤브레인이 반도체층을 포함함으로써 상기 반도체층의 캐리어 이동도를 향상시킨 고속 반도체 장치
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