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기판;상기 기판 상의 반사층;상기 반사층 상의 공진층; 및상기 공진층 상의 입자층을 포함하고,상기 입자층은 서로 이격되는 금속 입자들 및 상기 금속 입자들의 표면을 둘러싸는 리간드를 포함하고,상기 리간드는 인접하는 상기 금속 입자들 사이에 개재되어 이들을 서로 이격시키는 광 흡수체
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제 1 항에 있어서,상기 금속 입자들 사이에 에어갭이 제공되고,상기 에어갭은 공기로 채워지는 광 흡수체
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제 1 항에 있어서,상기 리간드는 SCN-, I-, Br-, Cl-, OLA(Oleic acid) 및 CTAB(Cetyl trimethylammonium bromide) 중 적어도 하나를 포함하는 광 흡수체
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제 1 항에 있어서,상기 공진층은 제1 층 및 상기 제1 층 상의 제2 층을 포함하고,상기 제1 층은 온도 변화 또는 전기적 신호에 따라 결정질과 비정질 간의 상전이가 일어나는 상변화 물질을 포함하는 광 흡수체
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제 4 항에 있어서,상기 제2 층은 산화물 또는 폴리머를 포함하는 광 흡수체
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제 4 항에 있어서,상기 제1 층은 VO2 또는 GeSbTe를 포함하는 광 흡수체
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제 1 항에 있어서,상기 금속 입자들 사이의 이격거리는 0
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제 1 항에 있어서,상기 금속 입자들의 크기는 5nm 내지 50nm인 광 흡수체
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기판 상에 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층 상에 공진층을 형성하는 단계; 및상기 공진층 상에 입자층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 입자층은 서로 이격되는 금속 입자들 및 상기 금속 입자들의 표면을 둘러싸는 리간드를 포함하고,상기 리간드는 인접하는 상기 금속 입자들 사이에 개재되어 이들을 서로 이격시키는 광 흡수체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 공진층을 형성하는 단계는, 상기 공진층의 두께를 조절하여 상기 공진층의 광 흡수도를 조절하는 것을 포함하는 광 흡수체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 입자층을 형성하는 단계는,상기 금속 입자들을 포함하는 용액을 상기 공진층 상에 스핀 코팅하는 것을 포함하는 광 흡수체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 입자층을 형성하는 단계는,베이스층 및 상기 베이스층 상에 뜨는 상기 금속 입자들을 포함하는 용액을 준비하는 것,상기 베이스층 내에 상기 기판, 상기 반사층 및 상기 공진층을 담그는 것, 및상기 기판, 상기 반사층 및 상기 공진층을 상기 베이스층 내에서 빼내는 것을 포함하는 광 흡수체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 입자층을 형성하는 단계는,스프레이를 이용하여 상기 공진층 상에 상기 금속 입자들을 포함하는 용액을 분사하는 것을 포함하는 광 흡수체 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 공진층은 제1 층 및 상기 제1 층 상의 제2 층을 포함하고,상기 제1 층은 온도 변화 또는 전기적 신호에 따라 결정질과 비정질 간의 상전이가 일어나는 상변화 물질을 포함하는 광 흡수체 제조방법
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