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주석(Sn)을 함유하는 산화물 반도체를 선별 분석 대상으로 하는 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재의 선별방법에 있어서,금속산화물 반도체 소재 또는 이를 사용하여 제작된 소자에 양성자를 조사하여 금속산화물 반도체 소재 내 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도를 확인하는 단계; 및산화물 반도체 소재에 원하는 방사선 저항성 정도를 부여하기 위해 주석(Sn)을 함유하는 산화물 반도체 소재의 결정구조 및 주석(Sn)의 함량을 결정하는 단계를 포함하는 것이 특징인 선별방법
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제1항에 있어서, 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도는 분석하고자 하는 산화물 반도체 소재(박막) 내에 산소의 빈격자점(oxygen vacancy)이 있을 시 이로 인해 생성되는 자유전자들의 양을 확인하는 것이 특징인 선별방법
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제1항에 있어서, 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도는 양성자 조사 전후 전자스핀공명(electron spin resonance; ESR)을 통해 산화물 반도체 소재 내의 산소의 빈격자점에서 야기된 자유전자로부터 발생되는 ESR 피크를 분석하고/분석하거나, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)을 통해 O vacancy peak, M-OH peak 또는 둘다를 분석하여 수행하는 것이 특징인 선별방법
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제1항에 있어서, 추가로 분석대상 금속산화물 반도체 소재를 채널층으로 사용하는 산화물 반도체 TFT 소자를 제작 후 양성자 전후에 따른 turn-on voltage(Von)의 변화 정도를 확인하는 단계를 더 포함하는 것이 특징인 선별방법
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방사선 노출시 오작동을 감소시키기 위해 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 선별된 주석(Sn) 함유 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재를 채널층으로 사용하는 것으로,상기 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재는 원하는 방사선 저항성 정도를 발휘하는 주석(Sn) 함유산화물 반도체 소재의 결정구조 및 주석(Sn)의 함량을 가진 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 산화물 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)
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방사선 노출시 오작동을 감소시키기 위해 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 선별된 주석(Sn) 함유 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재를 사용하는 것으로,상기 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재는 원하는 방사선 저항성 정도를 발휘하는 주석(Sn) 함유산화물 반도체 소재의 결정구조 및 주석(Sn)의 함량을 가진 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 전자기기
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제8항에 있어서, 방사선 노출용 전자기기는 우주공간 또는 원자력 발전소에서 사용되는 전자기기인 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 전자기기
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제8항에 있어서, 선별된 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재를 채널층으로 사용하는 산화물 박막 트랜지스터를 구비한 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 전자기기
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방사선 노출시 오작동을 감소시키기 위해 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 선별된 주석(Sn) 함유 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재를 사용하여 제작된 전자기기의 방사선 내구성 평가방법에 있어서, 금속산화물 반도체 소재를 사용하여 제작된 소자에 양성자를 조사하여 금속산화물 반도체 소재 내 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도를 확인하는 단계를 포함하는 것이 특징인 평가방법
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제7항에 있어서, 방사선 저항성 채널층으로 사용하는 주석(Sn) 함유 산화물 반도체 소재는 ZTO(Zinc tin oxide), AZTO(Aluminium zinc tin oxide), IZTO(Indium zinc tin oxide) 또는 GZTO(Gallium zinc tin oxide)로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 산화물 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)
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