맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

CIGS 박막 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019013307
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 배면전극, CIGS 광흡수층, 버퍼층 및 투명전극을 구비하는 CIGS 박막 태양전지로서, 상기 투명전극은 Nd가 도핑된 ZnO 박막 및 Al이 도핑된 ZnO 박막이 순차적으로 적층된 것인, CIGS 박막 태양전지이 제공된다. 상기 마그네슘 모합금을 제조하는 방법은 순수 마그네슘 용탕 또는 마그네슘 합금 용탕을 제조하는 단계; 상기 용탕에 이산화티탄(TiO2)을 투입하는 단계; 및 상기 이산화티탄(TiO2)이 투입된 용탕을 주조하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020180034086 (2018.03.23)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1951019-0000 (2019.02.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.03.23)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김우경 경상북도 경산시 삼풍
2 박현욱 경상북도 영천시 강

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0294743-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.06.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0027110-79
4 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0089523-81
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.12.07 수리 (Accepted) 4-1-2020-5277862-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 배면전극, CIGS 광흡수층, 버퍼층 및 투명전극을 구비하는 CIGS 박막 태양전지로서,상기 투명전극은 Nd가 도핑된 ZnO 박막 및 Al이 도핑된 ZnO 박막이 순차적으로 적층된 것인,CIGS 박막 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 Nd가 도핑된 ZnO 박막의 두께는 80㎚ 내지 120㎚ 범위를 갖는,CIGS 박막 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서,상기 CIGS 광흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 및 갈륨(Ga)을 포함하는 예비 광흡수층 상에 셀렌화(selenization) 및 황화(sulfurization)를 수행함으로써 형성된,CIGS 박막 태양전지
4 4
배면전극이 구비된 기판 상에 CIGS 광흡수층을 형성하는 단계;상기 CIGS 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 RF 마그네트론 스퍼터링(radio frequency magnetron sputtering) 방법을 이용하여 투명전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 투명전극을 형성하는 단계는 Nd가 도핑된 ZnO 박막 및 Al이 도핑된 ZnO 박막을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는,CIGS 박막 태양전지의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 CIGS 광흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 및 갈륨(Ga)을 포함하는 예비 광흡수층 상에 셀렌화(selenization) 및 황화(sulfurization)를 수행함으로써 형성되는,CIGS 박막 태양전지의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 Nd가 도핑된 ZnO 박막은 상기 RF 마그네트론 스퍼터링 증착시, 25℃ 내지 300℃의 온도 범위로 상기 기판의 온도를 제어하면서 증착되는,CIGS 박막 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소벤처기업부 영남대학교 산학협력단 지역특화산업육성 대경 태양전지/모듈 소재공정 지역혁신센터
2 교육부 영남대학교 이공학학술연구기반구축 청정기술연구소