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황산 수용액이 혼합되어 제조되는 술폰화된 무기 입자 및 베이스 수지를 포함하는 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 무기 입자는 술폰화된 이산화티탄인 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제2항에 있어서,상기 이산화티탄은 입자 표면의 티타늄 원자 대비 황 원자의 원자 비율(atomic ratio)이 10 내지 40% 인 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 무기 입자는 평균입경이 10 내지 700 ㎚인 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 베이스 수지는 폴리술폰계 중합체, 할로겐화 중합체, 폴리올레핀계 중합체, 폴리아크릴로니트릴계 중합체 및 폴리이민계 중합체 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제5항에 있어서,상기 베이스 수지는 술폰화된 것인 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제5항에 있어서,상기 폴리술폰계 중합체는 폴리에테르술폰 및 폴리술폰에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물은 수용성 고분자 및 수용성 염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 첨가제를 더 포함하는 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제8항에 있어서,상기 무기 입자 0
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10
제1항 내지 제9항에서 선택되는 어느 한 항의 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물로 제조되는 친수성 분리막
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제10항에 있어서,하기 식 1을 만족하는 친수성 분리막
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제10항에 있어서,한외여과막, 미세여과막, 중공사막 또는 나노여과막인 친수성 분리막
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