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기판;상기 기판 상에 형성된 전면 전극;상기 전면 전극 상에 형성된 전자 전도층;상기 전자 전도층 상에 형성된 페로브스카이트 광흡수층;상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 형성된 정공 전도층; 및상기 정공 전도층 상에 형성된 후면 전극;을 포함하며,상기 페로브스카이트 광흡수층은, 전면층 구간, 후면층 구간 및 상기 전면층 구간과 후면층 구간 사이에 배치된 에너지 밴드갭 경사층 구간(grading)을 포함하고,상기 페로브스카이트 광흡수층은, 전면층 구간에서 에너지 밴드갭 경사층 구간 방향으로 점진적으로 에너지 밴드갭이 작아지다가, 에너지 밴드갭 경사층 구간에서 후면층 구간 방향으로 다시 점진적으로 에너지 밴드갭이 커지는, 우물형 에너지 밴드갭 구조인 것인,페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층은,하기 화학식 1의 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인,페로브스카이트 태양전지
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제2항에 있어서,상기 A는 메틸암모늄 양이온 또는 포름아미디니움인 것인,페로브스카이트 태양전지
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제2항에 있어서,상기 B는 Pb양이온, Sn양이온, Ge양이온, Ca양이온 또는 Sr양이온인 것인,페로브스카이트 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 X는, Br-, Cl-, I- 또는 이들의 조합인 것인,페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전면층 구간 및 상기 후면층 구간은, 각각, 에너지 밴드갭이 1
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제 1항에 있어서,상기 에너지 밴드갭 경사층 구간(grading)은, 에너지 밴드갭이 1
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 전면층 구간은, 0
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제1항에 있어서,상기 에너지 밴드갭 경사층 구간은, 상기 후면층 구간에서 만들어진 전자가 전기장(electric field)을 받아 상기 전면층 구간으로 재결합 없이 이동하도록 하는 것인,페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전면층 구간의 두께는, 5 nm 내지 100 nm 인 것인,페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 에너지 밴드갭 경사층 구간의 두께는, 40 nm 내지 1000 nm 인 것인,페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 후면층 구간의 두께는, 40 nm 내지 1000 nm 인 것인,페로브스카이트 태양전지
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전도성 투명 기재를 포함하는 전면 전극에 전자 전도층을 형성하는 단계;상기 전자 전도층 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 정공 전도층을 형성하는 단계; 및상기 정공 전도층에 후면 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계는,상기 전자 전도층에 하기 화학식 1로 표시되는 제1 페로브스카이트 함유 용액을 코팅하여 전면층 구간을 형성하고, 상기 전면층 구간에 화학식 2로 표시되는 제2 페로브스카이트 용액을 코팅하여 에너지 밴드갭 경사층 구간을 형성하고, 상기 에너지 밴드갭 경사층 구간에 화학식 3으로 표시되는 제3 페로브스카이트 용액을 코팅하여 페로브스카이트 3구간층 광흡수층을 형성하는 것이고,상기 페로브스카이트 광흡수층은, 전면층 구간에서 에너지 밴드갭 경사층 구간 방향으로 점진적으로 에너지 밴드갭이 작아지다가, 에너지 밴드갭 경사층 구간에서 후면층 구간 방향으로 다시 점진적으로 에너지 밴드갭이 커지는, 우물형 에너지 밴드갭 구조로 형성하는 것인,페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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