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가요성 태양전지 제작 방법

  • 기술번호 : KST2019013439
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 가요성 광전소자 제작 방법을 개시한다. 본 실시예의 일 측면에 의하면, 추가기판을 이용함으로써, 편리하면서도 안정적으로 가요성 광전소자를 제작하는 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020180010731 (2018.01.29)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1948518-0000 (2019.02.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.03.12)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효진 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 *** A동, ***호(태정특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0100109-15
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0243019-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0066555-20
5 등록결정서
Decision to grant
2019.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0057410-36
6 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5012453-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
가요성(可撓性, Flexibility) 광전소자 제작방법에 있어서,제1 기판 상에 제1 희생층 및 가요성 광전소자층을 성장시키는 제1 성장과정;제2 기판 상에 제2 희생층을 성장시키는 제2 성장과정;상기 제1 기판의 가요성 광전소자층 및 상기 제2 기판의 제2 희생층 상에 각각 전극을 형성하는 전극 형성과정;상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 형성된 각 전극을 결합(Bonding)하는 결합과정;상기 제1 희생층을 이용하여 상기 제1 기판과 상기 가요성 광전소자층을 분리하는 제1 분리과정;상기 가요성 광전소자층 상에 형성된 전극을 직렬 또는 병렬로 연결하고, 상기 가요성 광전소자층 또는 상기 가요성 광전소자층 상에 형성된 전극을 덮는 보호막을 형성하는 광전소자 생성과정; 및상기 제2 희생층을 이용하여 상기 제2 기판과 상기 제2 희생층 상에 형성된 전극을 분리하는 제2 분리과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 기판은,3족 또는 5족에 속하는 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
3 3
제1항에 있어서,상기 전극 형성과정은,상기 제2 희생층 상에 전극을 형성함에 있어, 상기 전극을 상기 제2 희생층을 온전히 덮도록 형성하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제2 분리과정은,상기 제2 희생층을 온전히 덮도록 형성된 전극의 일부분을 제거함으로써, 상기 제2 희생층이 외부로 드러나도록 하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
5 5
제1항에 있어서,상기 광전소자 생성과정은,상기 보호막의 상단에 가요성 시트(Sheet)를 부착하여, 상기 가요성 광전소자층 또는 전극이 말리는(Rolling) 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 분리과정 또는 상기 제2 분리과정은,불산(HF, Hydrofluoric acid)을 이용하여 상기 제1 희생층 또는 상기 제2 희생층을 제거함으로써, 상기 제1 기판과 상기 가요성 광전소자층 또는 상기 제2 기판과 상기 제2 희생층 상에 형성된 전극을 분리하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
7 7
가요성(可撓性, Flexible) 광전소자 제작방법에 있어서,3족 또는 5족 금속을 포함하는 제1 기판 상에 제1 희생층 및 가요성 광전소자층을 성장시키는 제1 성장과정;실리콘을 포함하는 제2 기판 상에 비소 화합물 버퍼층과 알루미늄 화합물 층을 포함하는 제2 희생층을 성장시키는 제2 성장과정;상기 제1 기판의 가요성 광전소자층 및 상기 제2 기판의 제2 희생층 상에 각각 전극을 형성하는 전극 형성과정;상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 형성된 각 전극을 결합(Bonding)하는 결합과정;상기 제1 희생층을 이용하여 상기 제1 기판과 상기 가요성 광전소자층을 분리하는 제1 분리과정;상기 가요성 광전소자층 상에 형성된 전극을 직렬 또는 병렬로 연결하고, 상기 가요성 광전소자층 또는 상기 가요성 광전소자층 상에 형성된 전극을 덮는 보호막을 형성하는 광전소자 생성과정; 및상기 제2 희생층을 이용하여 상기 제2 기판과 상기 제2 희생층 상에 형성된 전극을 분리하는 제2 분리과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
8 8
가요성(可撓性, Flexible) 광전소자 제작방법에 있어서,3족 또는 5족 금속을 포함하는 제1 기판 상에 제1 희생층 및 가요성 광전소자층을 성장시키는 제1 성장과정;실리콘을 포함하는 제2 기판 상에 인 화합물, 비소 화합물 및 안티몬 화합물 중 일부 또는 전부로 구성된 버퍼층과 알루미늄, 비소 및 안티몬이 일정한 몰분율로 구성된 화합물 층을 포함하는 제2 희생층을 성장시키는 제2 성장과정;상기 제1 기판의 가요성 광전소자층 및 상기 제2 기판의 제2 희생층 상에 각각 전극을 형성하는 전극 형성과정;상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 형성된 각 전극을 결합(Bonding)하는 결합과정;상기 제1 희생층을 이용하여 상기 제1 기판과 상기 가요성 광전소자층을 분리하는 제1 분리과정;상기 가요성 광전소자층 상에 형성된 전극을 직렬 또는 병렬로 연결하고, 상기 가요성 광전소자층 또는 상기 가요성 광전소자층 상에 형성된 전극을 덮는 보호막을 형성하는 광전소자 생성과정; 및상기 제2 희생층을 이용하여 상기 제2 기판과 상기 제2 희생층 상에 형성된 전극을 분리하는 제2 분리과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
9 9
가요성(可撓性, Flexible) 광전소자 제작방법에 있어서,3족 또는 5족 금속을 포함하는 제1 기판 상에 제1 희생층 및 가요성 광전소자층을 성장시키는 제1 성장과정;사파이어를 포함하는 제2 기판 상에 유전체 층을 포함하는 제2 희생층을 성장시키는 제2 성장과정;상기 제1 기판의 가요성 광전소자층 및 상기 제2 기판의 제2 희생층 상에 각각 전극을 형성하는 전극 형성과정;상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 형성된 각 전극을 결합(Bonding)하는 결합과정;상기 제1 희생층을 이용하여 상기 제1 기판과 상기 가요성 광전소자층을 분리하는 제1 분리과정;상기 가요성 광전소자층 상에 형성된 전극을 직렬 또는 병렬로 연결하고, 상기 가요성 광전소자층 또는 상기 가요성 광전소자층 상에 형성된 전극을 덮는 보호막을 형성하는 광전소자 생성과정; 및상기 제2 희생층을 이용하여 상기 제2 기판과 상기 제2 희생층 상에 형성된 전극을 분리하는 제2 분리과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 광전소자 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국광기술원 후변화대응 기술개발사업 39% 고효율 플렉서블 IMM III-V 태양전지 개발