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가스 내 오염 물질의 제거 방법으로서,광 촉매를 제공하는 단계; 및가스 상, 입자 및 미세 액적 중 적어도 하나가 선택되는 형태의 오염 물질이 함유된 가스를 자외선 조사 하에서 상기 광 촉매와 접촉시켜 상기 가스 내 오염 물질을 산화 제거하는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 광 촉매는,표면에 복수 개의 나노포어가 형성된 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체; 상기 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체의 표면에 형성된 복수 개의 나노포어 내부에 도핑된, 0
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제1항에 있어서, 상기 전자전달 매개체는 그래핀, 그래핀 산화물 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 방법
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제3항에 있어서, 금속 나노입자 : 전자전달 매개체의 중량 비는 10 내지 150 : 1의 범위인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노포어의 깊이는 40 내지 200 nm 범위인 것을 특징으로 하는 가스 내 오염 물질의 제거 방법
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제1항에 있어서, 상기 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체에 형성된 나노포어의 밀도는 100 내지 500개/㎛2 범위인 것을 특징으로 하는 가스 내 오염 물질의 제거 방법
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제1항에 있어서, 나노포어의 사이즈 : 금속 나노입자의 사이즈의 비는 1 내지 10 : 1의 범위인 것을 특징으로 하는 가스 내 오염 물질의 제거 방법
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제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 은(Ag), 티타늄(Ti), 이의 혼합물 및 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 가스 내 오염 물질의 제거 방법
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제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오염 물질은 환원 황 화합물, 알데히드계 화합물 및 VOC로 이루어진 군으로부터 적어도 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 가스 내 오염 물질의 제거 방법
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제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자외선의 조사 강도는 0
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제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오염 물질이 함유된 가스와 광 촉매의 접촉 온도는 4 내지 40 ℃ 범위인 것을 특징으로 하는 가스 내 오염 물질의 제거 방법
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제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오염 물질이 함유된 가스의 상대 습도는 적어도 15 %인 것을 특징으로 하는 가스 내 오염 물질의 제거 방법
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제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오염 물질이 함유된 가스와 광 촉매의 접촉은 오존의 존재 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 내 오염 물질의 제거 방법
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반응기;가스 상, 입자 및 미세 액적 중 적어도 하나가 선택되는 형태의 오염 물질이 함유된 가스를 반응기 내로 도입하기 위한 적어도 하나의 포트;상기 반응기 내에서 가스를 혼합하기 위한 팬 부재; 상기 반응기 내에서 상기 오염 물질이 함유된 가스와 접촉하도록 배치된 적어도 하나의 광 촉매; 및 상기 광 촉매에 자외선을 조사하도록 반응기 내에 구비된 자외선 램프;를 포함하며,상기 광촉매는, 표면에 복수 개의 나노포어가 형성된 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체; 상기 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체의 표면에 형성된 복수 개의 나노포어 내부에 도핑된, 0
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제15항에 있어서, 상기 적어도 하나의 광 촉매는 실린더 형의 반응기 내에 플레이트형 구조물 형태로 서로 대향하도록 배치된 한 쌍의 광 촉매이며, 그리고상기 자외선 램프는 상기 반응기의 중앙 부위에 연장된 길이를 갖는 형상으로 반응기 바닥 면을 기준으로 종 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 내에 함유된 오염 물질의 제거 장치
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제16항에 있어서, 상기 장치는 오존을 반응기 내로 도입하기 위한 오존 유입구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 내에 함유된 오염 물질의 제거 장치
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표면에 복수 개의 나노포어가 형성된 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체; 상기 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체의 표면에 형성된 복수 개의 나노포어 내부에 도핑된, 0
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a) 표면에 복수 개의 나노포어가 형성된 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체를 제공하는 단계;b) 이와 별도로, 전자전달 매개체를 함유하는 수계 용액 또는 수계 분산물을 제공하는 단계;c) 상기 전자전달 매개체를 함유하는 수계 용액 또는 수계 분산물에 상기 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체를 침적시킴으로써 상기 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체의 표면에 전자전달 매개체를 도핑하는 단계;d) 상기 전자전달 매개체가 도핑된 스테인리스 스틸 나노튜브 지지체의 나노포어에 금속 나노입자를 담지하는 단계;를 포함하며,상기 단계 b)는 전자전달 매개체의 전구체를 200 내지 300℃의 온도에서 열 분해하여 전자전달 매개체로 전환시키는 단계를 포함하고,상기 전자전달 매개체는 그래핀, 그래핀 산화물 또는 이의 조합인, 가스 내에 함유된 오염 물질의 제거를 위한 광 촉매의 제조방법
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제19항에 있어서, 상기 전자전달 매개체의 전구체는 시트르산, 락트산 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 광 촉매의 제조방법
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