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인쇄회로기판 상에 실장되는 제1 이미지 센서 모듈 및 제2 이미지 센서 모듈을 포함하고,상기 제1 이미지 센서 모듈은,상기 인쇄회로기판 상에 실장되는 제1 하우징;상기 인쇄회로기판 상에 실장되고, 상기 제1 하우징의 제1 면에 형성되는 제1 이미지 센서; 및상기 제1 하우징의 제2 면에 형성되는 제1 렌즈를 포함하며, 상기 제2 이미지 센서 모듈은,상기 인쇄회로기판 상에 실장되는 제2 하우징;상기 인쇄회로기판 상에 실장되고, 상기 제2 하우징의 제1 면에 형성되는 제2 이미지 센서;상기 제1 하우징의 제2 면에 형성되는 제2 렌즈; 및상기 제2 이미지 센서와 상기 제2 렌즈 사이에 형성되고, 자외선을 흡수하여 가시광으로 발광하는 양자점층을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 듀얼 이미지 센서는 제1 가시광선 및 제2 가시광선을 흡수하고,상기 제1 가시광선은 상기 제1 이미지 센서 모듈 및 상기 제2 이미지 센서 모듈에 흡수되고,상기 제2 가시광선은 양자점층에 의해 입사되어 상기 제2 이미지 센서 모듈에 흡수되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제2항에 있어서, 상기 양자점층은 상기 자외선을 에너지-다운-쉬프트(energy-down-shift)시켜 상기 제2 가시광선을 발광하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 듀얼 이미지 센서는,서로 다른 파장대역의 광을 흡수하여 대상체의 깊이 프로파일(depth pofile)을 측정하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 이미지 센서 모듈 및 상기 제2 이미지 센서 모듈은 대상체로부터의 초점 거리가 상이한 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제2항에 있어서, 상기 양자점층은 청색 양자점층이고,상기 청색 양자점층은 제1 가시광선은 투과시키고, 상기 자외선만 선택적으로 흡수하여 청색의 제2 가시광선을 증폭시키는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제2항에 있어서, 상기 양자점층은 적색 양자점층이고,상기 적색 양자점층은 상기 제1 가시광선은 투과시키고, 상기 자외선만 선택적으로 흡수하여 적색의 상기 제2 가시광선을 증폭시키는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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8
제2항에 있어서, 상기 양자점층은 녹색 양자점층이고,상기 녹색 양자점층은 상기 제1 가시광선은 투과시키고, 상기 자외선만 선택적으로 흡수하여 녹색의 상기 제2 가시광선을 증폭시키는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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9
제1항에 있어서, 상기 양자점층은 양자점 농도에 따라 투과율(transmittance)이 제어되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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10
제1항에 있어서, 양자점층은 섬아연광(zinc blende) 구조의 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlP, AlS, AlSb, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, PbS, PbSe, Si, Ge, MgS, MgSe, MgTe, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, InAlPAs 및 그 조합 중 적어도 어느 하나의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 양자점층은 코어/단일 쉘 구조의 양자점, 코어/다중 쉘 구조의 양자점 및 합금 구조의 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 인쇄회로기판은 상기 제1 이미지 센서 모듈 및 제2 이미지 센서 모듈의 주변에 실장되는 적어도 하나 이상의 광원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 이미지 센서 모듈은 상기 제1 이미지 센서 상에 형성되는 제1 적외선 차단 필터(IR-cut filter)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 이미지 센서 모듈은 상기 제1 이미지 센서 상에 형성되는 제1 블랭크 필터(blank filter)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 제2 이미지 센서 모듈은 상기 양자점층 상에 형성되는 제2 적외선 차단 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 제1 이미지 센서 및 제2 이미지 센서는,기판 상에 복수의 픽셀 영역에 대응되게 형성되는 광전 변환 소자;상기 광전 변환 소자가 형성된 기판 상에 형성되는 배선층; 및상기 배선층 상에 형성되고, 상기 광전 변환 소자에 대응되게 형성되는 RGB 컬러필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제16항에 있어서, 상기 광전 변환 소자는 실리콘 기반의 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제16항에 있어서, 상기 제1 이미지 센서 및 제2 이미지 센서는 상기 RGB 컬러필터 상에 형성되는 마이크로 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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인쇄회로기판 상에 실장되는 렌즈 홀더;상기 인쇄회로기판 상에 실장되고, 상기 렌즈 홀더의 제1 면에 형성되는 제1 이미지 센서 모듈 및 제2 이미지 센서 모듈; 및상기 렌즈 홀더의 제2 면에 형성되는 렌즈를 포함하고,상기 제1 이미지 센서 모듈은,상기 인쇄회로기판 상에 실장되는 제1 하우징; 및상기 인쇄회로기판 상에 실장되고, 상기 제1 하우징의 제1 면에 형성되는 제1 이미지 센서를 포함하며, 상기 제2 이미지 센서 모듈은,상기 인쇄회로기판 상에 실장되는 제2 하우징;상기 인쇄회로기판 상에 실장되고, 상기 제2 하우징의 제1 면에 형성되는 제2 이미지 센서; 및상기 제2 이미지 센서 상에 형성되고, 자외선을 흡수하여 가시광으로 발광하는 양자점층을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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제19항에 있어서, 상기 듀얼 이미지 센서는,제1 이미지 센서 모듈 및 제2 이미지 센서 모듈과 상기 렌즈 사이에 형성되는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 이미지 센서
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