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RF(Radio Frequency) 신호를 입력받아 주파수를 하향 변환하여 IF(Intermediate Frequency)) 신호를 출력하는 주파수 혼합기에 있어서,엔모스(NMOS) 트랜지스터와 피모스(PMOS) 트랜지스터의 쌍으로 구성되는 복수의 씨모스(CMOS) 트랜지스터를 포함하여 트랜스컨덕터 스테이지(transconductor stage);상기 복수의 씨모스 트랜지스터 중 일부의 씨모스 트랜지스터의 제1 소스단 및 전원부와 연결되는 제1 스위칭 스테이지(switching stage); 및상기 복수의 씨모스 트랜지스터 중 나머지 씨모스 트랜지스터의 제2 소스단 및 그라운드와 연결되는 제2 스위칭 스테이지를 포함하되,상기 트랜스컨덕터 스테이지의 복수의 씨모스 트랜지스터의 게이트단에 상기 RF 신호가 입력되고, 상기 트랜스컨덕터 스테이지의 상기 복수의 씨모스 트랜지스터의 드레인단에서 상기 IF 신호가 출력되고, 상기 제1 스위칭 스테이지 및 제2 스위칭 스테이지의 게이트단에는 LO(Local Oscillator) 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제1항에 있어서,상기 복수의 씨모스 트랜지스터의 게이트단과 드레인단은 자체 바이어스를 위하여 저항으로 연결되는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제1항에 있어서,상기 트랜스컨덕터 스테이지는 제1 피모스 트랜지스터와 제2 엔모스 트랜지스터로 구성되는 제1 씨모스 트랜지스터, 제3 피모스 트랜지스터와 제4 엔모스 트랜지스터로 구성되는 제2 씨모스 트랜지스터, 제5 피모스 트랜지스터와 제6 엔모스 트랜지스터로 구성되는 제3 씨모스 트랜지스터 및 제7 피모스 트랜지스터와 제8 엔모스 트랜지스터로 구성되는 제4 씨모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제3항에 있어서,상기 제1 씨모스 트랜지스터와 상기 제4 씨모스 트랜지스터의 게이트단에는 VRF+ 신호가 입력되고, 상기 제2 씨모스 트랜지스터와 상기 제3 씨모스 트랜지스터의 게이트단에는 VRF- 신호가 입력되며,상기 제1 씨모스 트랜지스터와 상기 제3 씨모스 트랜지스터의 드레인단에서는 VIF- 신호가 출력되고, 상기 제2 씨모스 트랜지스터와 상기 제4 씨모스 트랜지스터의 드레인단에서는 VIF+ 신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제3항에 있어서,상기 제1 씨모스 트랜지스터의 제1 소스단과 상기 제2 씨모스 트랜지스터의 제1 소스단이 제1 노드에서 연결되고, 상기 제1 씨모스 트랜지스터의 제2 소스단과 상기 제2 씨모스 트랜지스터의 제2 소스단이 제2 노드에서 연결되고,상기 제3 씨모스 트랜지스터의 제1 소스단과 상기 제4 씨모스 트랜지스터의 제1 소스단이 제3 노드에서 연결되고, 상기 제3 씨모스 트랜지스터의 제2 소스단과 상기 제4 씨모스 트랜지스터의 제2 소스단이 제4 노드에서 연결되는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제5항에 있어서,상기 제2 스위칭 스테이지는,상기 제2 노드에 드레인단이 연결되고, 상기 그라운드에 소스단이 연결되는 제9 엔모스 트랜지스터; 및상기 제4 노드에 드레인단이 연결되고, 상기 그라운드에 소스단이 연결되는 제10 엔모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제6항에 있어서,상기 제1 스위칭 스테이지는,상기 제1 노드에 드레인단이 연결되고, 상기 전원부에 소스단이 연결되는 제11 피모스 트랜지스터; 및상기 제3 노드에 드레인단이 연결되고, 상기 전원부에 소스단이 연결되는 제12 피모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제7항에 있어서,상기 제1 스위칭 스테이지 및 상기 제2 스위칭 스테이지의 트랜지스터들의 게이트단에는 LO (Local Oscillator) 신호가 입력되되,상기 제1 스위칭 스테이지에 입력되는 LO 신호와 상기 제2 스위칭 스테이지에 입력되는 LO 신호는 180도의 위상차를 가지는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제7항에 있어서,상기 제1 스위칭 스테이지의 상기 제11 피모스 트랜지스터의 게이트단에는 VLO+ 신호가 입력되고, 상기 제2 스위칭 스테이지의 상기 제9 엔모스 트랜지스터의 게이트단에는 VLO- 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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제9항에 있어서,상기 제1 스위칭 스테이지의 상기 제12 피모스 트랜지스터의 게이트단에는 상기 VLO- 신호가 입력되고, 상기 제2 스위칭 스테이지의 상기 제10 엔모스 트랜지스터의 게이트단에는 상기 VLO+ 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 저전력 CMOS를 이용한 주파수 혼합기
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