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플라즈마 발생부에 의해 생성된 플라즈마의 상태를 진단하도록 플라즈마 챔버의 내부에 제공되는 플라즈마 진단 시스템에 있어서,진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치에서 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되는 제1평면기판; 상기 제1평면기판의 하부에 배치되는 제2평면기판; 상기 제1평면기판에 공동(cavity)이 형성되고, 상기 형성된 공동에 배치되어 상기 발생된 플라즈마의 플라즈마 파라미터를 측정하며 제1 절연체로 감싸져 상기 제1평면기판과 전기적으로 절연된 센서부; 및 상기 센서부에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 전자 장치;를 포함하고,상기 전자 장치는, 상기 센서부에 의해 센싱된 전기 신호를 수신하는 연결부; 및 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판 사이에 위치하며, 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판과 각각 접지 플레이트(Ground plate)를 통해 차폐되며 상기 플라즈마 파라미터에 의해 상기 센서부인 한 쌍의 전극들에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 진단부;를 포함하며,상기 센서부의 양측에 상기 센서부와 이격되어 위치하는 제2 절연체가 배치되며, 상기 접지 플레이트는 상기 센서부의 측면에 위치한 제2 절연체들까지 연장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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제1항에 있어서, 상기 전기 신호는, 상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 임피던스의 변화로 인한 전압임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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제1항에 있어서,상기 전기 신호는, 상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 정전 용량의 변화임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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제3항에 있어서,상기 전자 장치는, 상기 연결부를 통해 수신된 상기 전기 신호의 크기가 미리 결정된 기준보다 클 경우, 상기 전기 신호의 크기를 제한하는 보호 회로부;상기 보호 회로부부터 전달된 전기 신호의 정전 용량을 측정하는 플라즈마 특성 측정부;상기 측정된 정전 용량에 따라 상기 플라즈마 특성을 나타내는 신호를 생성하고, 상기 센서부로 전송될 스위칭 신호를 생성하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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제4항에 있어서,상기 센서부는,적어도 한 쌍 이상의 전극들; 및상기 스위칭 신호에 의해 상기 전극들 중 상기 플라즈마 파라미터를 측정할 전극들을 선택하는 스위칭부를 포함하는 플라즈마 진단 시스템
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제5항에 있어서,상기 적어도 한 쌍의 전극은 공면(Coplannar) 상에 동일 크기로 존재함을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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제5항에 있어서,상기 전극의 두께는 20㎛와 40㎛를 가지며, 전극의 너비는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극의 길이는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극들 간의 거리는 0
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 파라미터는,전자(Electron), 이온(Ion), 전자 온도(Electron Temperature), 이온 플럭스(Ion flux) 중 적어도 하나임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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제1항에 있어서,상기 플라즈마의 특성값은,상기 플라즈마의 밀도임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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제1항에 있어서,상기 공동은, 미세 전자 기계 시스템(Micro Electro Mechanical System : MEMS)를 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1평면기판 또는 상기 제2평면기판은 글라스(Glass), 절연체 또는 반도체로 이루어짐을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템
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플라즈마 발생부에 의해 생성된 플라즈마의 상태를 진단하도록 플라즈마 챔버의 내부에 제공되는 플라즈마 진단 시스템의 플라즈마 진단 방법에 있어서,진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치로 플라즈마를 발생시키는 단계; 상기 플라즈마를 진단하기 위한 플라즈마 진단 시스템을 상기 플라즈마에 노출시키는 단계; 상기 플라즈마로부터 발생된 전기 신호를 측정하는 단계; 및 상기 측정된 전기 신호로부터 상기 플라즈마의 특성 값을 측정하는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마 진단 시스템은, 진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치에서 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되는 제1평면기판; 상기 제1평면기판의 하부에 배치되는 제2평면기판; 상기 제1평면기판에 공동(cavity)이 형성되고, 상기 형성된 공동에 배치되어 상기 발생된 플라즈마의 플라즈마 파라미터를 측정하며 제1 절연체로 감싸져 상기 제1평면기판과 전기적으로 절연된 센서부; 및 상기 센서부에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 전자 장치;를 포함하고,상기 전자 장치는, 상기 센서부에 의해 센싱된 전기 신호를 수신하는 연결부; 및 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판 사이에 위치하며, 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판과 각각 접지 플레이트(Ground plate)를 통해 차폐되며 상기 플라즈마 파라미터에 의해 상기 센서부인 한 쌍의 전극들에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 진단부;를 포함하며,상기 센서부의 양측에 상기 센서부와 이격되어 위치하는 제2 절연체가 배치되며, 상기 접지 플레이트는 상기 센서부의 측면에 위치한 제2 절연체들까지 연장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법
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제12항에 있어서, 상기 전기 신호는, 상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 임피던스의 변화로 인한 전압임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법
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제12항에 있어서,상기 전자 장치는, 상기 연결부를 통해 수신된 상기 전기 신호의 크기가 미리 결정된 기준보다 클 경우, 상기 전기 신호의 크기를 제한하는 보호 회로부;상기 보호 회로부부터 전달된 전기 신호의 정전 용량을 측정하는 플라즈마 특성 측정부;상기 측정된 정전 용량에 따라 상기 플라즈마 특성을 나타내는 신호를 생성하고, 상기 센서부로 전송될 스위칭 신호를 생성하는 제어부를 포함하는 플라즈마 진단 방법
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제14항에 있어서,상기 센서부는,적어도 한 쌍 이상의 전극들;및상기 스위칭 신호에 의해 상기 전극들 중 상기 플라즈마 파라미터를 측정할 전극들을 선택하는 스위칭부를 포함하며,상기 플라즈마의 특성값은,상기 플라즈마의 밀도임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법
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제15항에 있어서,상기 전극의 두께는 20㎛와 40㎛를 가지며, 전극의 너비는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극의 길이는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극들 간의 거리는 0
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제12항에 있어서,상기 플라즈마 파라미터는,전자(Electron), 이온(Ion), 전자 온도(Electron Temperature), 이온 플럭스(Ion flux) 중 적어도 하나이고,상기 플라즈마의 특성값은,상기 플라즈마의 밀도임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법
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