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전극 및 반도체층을 포함하는 가스센서용 전자소자로서,상기 반도체층에 첨가제가 포함됨으로써 가스에 민감하게 반응하되,상기 첨가제는 ABN이고, 상기 첨가제는 반도체층에서 수분을 제거하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 가스센서용 전자소자
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 반도체 물질 75~98 wt% 및 첨가제 2~25 wt%로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스센서용 전자소자
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기판;상기 기판 상 일부영역에 위치하는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상의 전면에 위치하는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상의 전면에 위치하는 반도체층; 및상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터로서,상기 반도체층에 첨가제가 포함됨으로써 가스에 민감하게 반응하되,상기 첨가제는 ABN이고, 상기 첨가제는 반도체층에서 수분을 제거하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 가스센서용 박막트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 게이트 전극은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo-alloy), 실버나노와이어(silver nanowire), 갈륨인듐유태틱(gallium indium eutectic), PEDOT:PSS 중에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 가스센서용 박막트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 게이트 절연층은 유기절연막 또는 무기절연막을 포함하되,상기 유기절연막은 폴리메타아크릴레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene) 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용하며,상기 무기절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, Al2O3, Ta2O5, BST, PZT 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용하는 것을 특징으로 하는 가스센서용 박막트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 반도체층은 N형 유기반도체 또는 P형 유기반도체를 사용하되, 상기 N형 유기반도체는 아센계 물질, 완전 불화된 아센계 물질, 부분 불화된 아센계 물질, 부분 불화된 올리고티오펜(oligothiophene)계 물질, 플러렌(fullerene)계 물질, 치환기를 갖는 플러렌계 물질, 완전 불화된 프탈로시아닌(phthalocyanine)계 물질, 부분 불화된 프탈로시아닌계 물질, 페릴렌 테트라카르복실릭 디이미드(perylene tetracarboxylic diimide)계 물질, 페릴렌 테트라카르복실 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride)계 물질, 나프탈렌 테트라카르복실릭 디이미드(naphthalene tetracarboxylic diimide)계 물질 또는 나프탈렌 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(naphthalene tetracarboxylic dianhydride)계 물질 또는 이들의 유도체 중에서 선택되며,상기 P형 유기반도체는 아센(acene), 폴리-티에닐렌비닐렌(poly-thienylenevinylene), 폴리-3-헥실티오펜(poly-3-hexylthiophen), 알파-헥사티에닐렌(α-hexathienylene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜(α-6-thiophene), 알파-4-티오펜 (α-4-thiophene), 루브렌(rubrene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리파라페닐렌비닐렌 (polyparaphenylenevinylene), 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene), 폴리플로렌(polyfluorene), 폴리티오펜비닐렌(polythiophenevinylene), 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체(polythiophene-heterocyclicaromatic copolymer), 트리아릴아민(triarylamine)을 포함하는 물질 또는 이들의 유도체 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 가스센서용 박막트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 반도체층은 반도체 물질 75~98 wt% 및 첨가제 2~25 wt%로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스센서용 박막트랜지스터
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