| 1 |
1
양극 전해질이 위치하는 양극 하프 셀, 음극 전해질이 위치하는 음극 하프 셀 및 상기 양극 하프셀과 음극 하프셀 사이에 위치하는 분리막을 포함하는 스택; 및 상기 스택의 외부에 상기 양극 전해질과 음극 전해질을 각각 저장하는 저장조를 포함하는 흐름 전지를 이용한 전해질의 제조 방법에 있어서,(a) 양극 전해질 저장조에 양극 전해질로서 산(acid) 용액을 넣는 단계;(b) 음극 전해질 저장조에 음극 전해질로서 브롬화수소산(HBr) 및 요오드화수소산(HI) 중 하나 이상의 할라이드계 산 용매에 용질로서 1종의 바나듐 옥사이드 화합물이 일부 또는 전부 용해된 용액을 넣는 단계; 및(c) 상기 흐름 전지를 산화환원반응시켜 생성된 음극 전해질을 회수하는 단계를 포함하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 양극 전해질 및 음극 전해질의 초기 몰농도는 각각 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 산 용액은 미네랄산(Mineral acids (inorganic acids)), 술폰산(sulfonic acid), 카르복실산(Carboxylic acids), 할로겐화 카르복실산(Halogenated carboxylic acids) 및 바이닐로거스 카르복실산(Vinylogous carboxylic acids)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산을 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 미네랄산은 HF, HCl, HBr, HI, HClO, HClO2, HClO4, HBrO, HBrO2, HBrO4, HIO, HIO2, HIO4, HFO, 황산(H2SO4), 플루오로황산(HSO3F), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 플루오로안티몬산(HSbF6), 플로오로붕산(HBF4), 헥사플로오로인산(HPF6), 크롬산(H2CrO4) 및 붕산(H3BO3) 중 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서, 상기 술폰산은 CH3SO3H, CH3CH2SO3H, C6H5SO3H, CH3C6H4SO3H, CF3SO3H 및 [CH2CH(C6H4)SO3H]n 중 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 6 |
6
제3항에 있어서, 상기 카르복실산은 CH3COOH, C6H8O7, HCOOH, HOCH2-(CHOH)4-COOH, CH3-CHOH-COOH, HOOC-COOH 및 HOOC-CHOH-CHOH-COOH 중 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 바나듐 옥사이드 화합물은 하기 화학식 1 내지 4로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 VO, VO2, V2O3, V2O4, V2O5, V3O5, V3O7, V4O7, V4O9, V5O9, V6O11, V6O13 및 V7O13 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 화학식 2의 R은 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, iso-프로필, 부틸, n-부틸, iso-부틸, sec-부틸 및 tert-부틸 중 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서, 상기 화학식 3의 R은 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, iso-프로필, 부틸, n-부틸, iso-부틸, sec-부틸 및 tert-부틸 중 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 음극 전해질의 용질의 초기 몰농도는 0
|
| 12 |
12
제1항에 있어서, 상기 음극 전해질의 용질과 용매의 혼합비는 몰비로 1:3~1:5인 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서, 상기 음극 전해질의 용매에 휘발성 억제제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 할라이드 레독스 흐름 전지용 전해질의 제조 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 휘발성 억제제는 (폴리소르베이트)n-1R1-2R2-3R3 이미다졸리움 브로마이드, (폴리소르베이트)n-1R1-3R3 이미다졸리움 브로마이드(여기서 n은 0
|
| 15 |
15
제13항에 있어서, 상기 휘발성 억제제는 0
|
