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산화그래핀 분말이 수용되는 반응공간을 내부에 제공하고, 기준방향의 반대방향에 위치하는 기준방향 반대측면이 개방되는 내관;상기 내관을 내부에 수용하고, 반응기체가 상기 기준방향을 따라 유동할 수 있도록 상기 기준방향 측면 및 상기 기준방향 반대측면이 연통되어 형성되는 가열로; 및상기 가열로를 둘러싸고, 상기 가열로를 가열함으로써 상기 산화그래핀 분말을 상기 반응기체와 화학반응시켜 개질시키는 열원을 포함하는 가열부를 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제1항에 있어서,상기 내관의 기준방향 반대측면의 둘레로부터 상기 내관의 기준방향 반대측면의 둘레의 중심을 향해 돌출된 돌출부를 더 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제1항에 있어서,상기 가열로의 기준방향 반대측면에 연통되어, 상기 반응공간으로 상기 반응기체를 유입시키는 반응기체 유입부; 및상기 가열로의 기준방향 측면에 연통되어, 상기 가열로의 내부를 유동하는 상기 반응기체를 상기 가열로의 내부로부터 배출시키는 반응기체 배출부를 더 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제3항에 있어서,상기 가열로의 기준방향 반대측면에는, 상기 가열로에 분리 가능하게 결합되어, 상기 가열로의 기준방향 반대측면을 덮을 수 있는 플랜지가 구비되고,상기 반응기체 유입부는, 상기 플랜지를 관통하여 상기 반응공간에 상기 반응기체를 유입시키는 유입배관을 더 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제3항에 있어서,상기 내관의 기준방향 반대측면과 분리 가능하게 결합되어, 상기 내관의 기준방향 반대측면을 덮을 수 있는 커버를 더 포함하고,상기 내관은, 상기 가열로의 내부와 연통되는 소통공을 포함하고, 상기 반응기체 유입부는, 상기 커버를 관통하여 상기 내관의 반응공간과 연통되는 유입배관을 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제5항에 있어서,상기 커버는, 상기 내관의 반응공간의 압력을 낮출 때, 상기 내관으로부터 분리되고,상기 내관의 반응공간에 상기 반응기체를 주입함으로써 압력을 조성할 때, 상기 내관의 기준방향 반대측면을 덮으며 결합되는, 산화그래핀 개질장치
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제3항에 있어서,상기 반응기체 배출부는, 상기 반응공간에 음압을 형성하는 음압제공부를 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제7항에 있어서,상기 음압제공부는, 상기 반응공간의 압력을 0
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제3항에 있어서,상기 반응기체 배출부는, 상기 배출된 반응기체로부터 오염물질을 분리하고, 정화된 상기 반응기체를 외부로 배출하는 오염물질제거부를 더 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제1항에 있어서,상기 가열부는, 상기 가열로를 300℃ 이상 700℃ 이하의 온도로 가열하는, 산화그래핀 개질장치
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제1항에 있어서,상기 반응기체는, 불활성기체, 질소기체 또는 불활성기체와 질소기체의 혼합기체인, 산화그래핀 개질장치
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제1항에 있어서,상기 반응기체는, 암모니아 또는 암모니아와 불활성기체의 혼합기체인, 산화그래핀 개질장치
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제1항에 있어서,상기 반응기체는, 이산화탄소 또는 이산화탄소와 불활성기체의 혼합기체인, 산화그래핀 개질장치
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14
제1항에 있어서,상기 가열로와 인접하게 위치하여, 상기 가열로의 온도를 측정하는 온도측정부를 더 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제1항에 있어서,상기 반응공간에 배치되어, 상기 반응공간의 압력을 측정하는 압력계를 더 포함하는, 산화그래핀 개질장치
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제1항에 있어서,상기 내관 및 가열로는, 석영 또는 알루미나로 구성되는, 산화그래핀 개질장치
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산화그래핀 분말을 준비하는 단계;상기 산화그래핀 분말에 0
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제17항에 있어서,상기 반응기체 분위기를 제공하는 단계는,상기 산화그래핀 분말의 주변의 기체를 배출해 저진공 상태의 분위기를 형성하는 단계; 및상기 산화그래핀 분말의 주변에 상기 반응기체를 주입하여 0
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제17항 또는 제18항의 방법을 이용하여 생성되는, 상기 개질된 산화그래핀 분말
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