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지문을 향해 광을 방출하는 투명한 발광부;상기 발광부 아래에서 상기 발광부와 수직적으로 중첩되고, 상기 지문에서 반사된 광을 수광하는 수광부; 및상기 발광부 아래에서 상기 발광부와 수직적으로 중첩되고, 상기 발광부 및 상기 수광부를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 발광부는 유기층을 포함하는 광 지문 인식 센서
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제 1 항에 있어서,상기 발광부는 상기 유기층 상의 금속박막층; 상기 금속박막층 상의 캐핑층; 및 상기 캐핑층 상의 반사층을 더 포함하고,상기 캐핑층은 상기 반사층보다 더 두꺼운 광 지문 인식 센서
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제 2 항에 있어서,상기 유기층에서 방출된 광은 상기 금속박막층과 상기 반사층 사이에서 반복적으로 반사되는 광 지문 인식 센서
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제 2 항에 있어서,상기 반사층은 은(Ag)을 포함하는 광 지문 인식 센서
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제 2 항에 있어서,상기 반사층은 15nm 내지 20nm의 두께를 가지고,상기 캐핑층은 10nm 내지 1㎛의 두께를 가지는 광 지문 인식 센서
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제 2 항에 있어서,상기 발광부는 상기 유기층 아래의 제1 전극; 및 상기 유기층 상의 제2 전극을 더 포함하고,상기 제2 전극은 상기 금속박막층을 포함하는 광 지문 인식 센서
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제 1 항에 있어서,상기 발광부는 복수개의 봉지층들을 더 포함하고,낮은 굴절률을 가지는 상기 봉지층 및 높은 굴절률을 가지는 상기 봉지층이 교차하면서 적층되는 광 지문 인식 센서
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제 1 항에 있어서,상기 수광부는 상기 지문의 릿지부에서 반사되는 광을 수광하는 광 지문 인식 센서
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제 1 항에 있어서,상기 수광부는 복수개로 제공되고, 상기 복수개의 수광부들 각각은 상기 지문의 릿지부에서 반사되는 광 또는 상기 지문의 밸리부에서 반사되는 광을 수광하는 광 지문 인식 센서
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제 6 항에 있어서,상기 제2 전극 및 상기 금속박막층은 투명한 광 지문 인식 센서
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