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히드록실기를 포함하는 열가소성 수지;열경화성 수지; 및무수물을 포함하는 접착 필름
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제 1 항에 있어서,상기 열가소성 수지는 20~70wt%로 포함되고,상기 무수물은 1~70wt%로 포함되는 접착 필름
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제 1 항에 있어서,상기 히드록실기를 포함하는 열가소성 수지는 폴리에틸렌옥사이드, 폴리비닐알코올, 페녹시수지, 폴리아크릴산 및 폴리에틸 아크릴산 중 선택되는 적어도 하나인 접착 필름
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제 1 항에 있어서,상기 히드록실기를 포함하는 열가소성 수지는 폴리스티렌, 폴리메타메틸아클릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이소부틸 메타크릴레이트, 폴리비닐 피리딘, 폴리카프로락톤, 폴리부타디엔, 폴리디메틸실록산, 폴리이소부틸렌, 폴리이소프로펜, 폴리카르보네이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 및 폴리비닐 클로라이드 중 선택되는 적어도 하나의 고분자의 말단이나 메인 체인에 히드록실기가 치환된 것을 특징으로 하는 접착 필름
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제 1 항에 있어서,상기 열경화성 수지는 말레이미드, 에폭시, 페녹시, 비스말레이미드(bismaleimide), 불포화 폴리에스테르, 우레탄, 우레아, 페놀-포름알데히드, 가황고무, 멜라민 수지, 폴리이미드, 에폭시 노볼락 수지, 및 시아네이트 에스테르 중 선택되는 적어도 하나인 접착 필름
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제 1 항에 있어서,상기 무수물은 나딕 말레익 무수물, 도데실 숙시닉 무수물, 말레 무수물, 숙신 무수물, 메틸 테트라하이드로 프탈 무수물, 헥사하이드로 프탈 무수물, 테트라하이드로 프탈 무수물, 피로멜리틱 무수물, 사이클로헥산디카르복실 무수물, 1,2,4-벤젠트리카르복실 무수물, 및 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실 디무수물 중 선택되는 적어도 하나인 접착 필름
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제 1 항에 있어서,절연 필러를 더 포함하되,상기 절연 필러는 상기 히드록실기를 포함하는 열가소성 수지, 상기 열경화성 수지 및 상기 무수물을 합한 중량에 대하여 0~90 wt%로 포함되는 접착 필름
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제 7 항에 있어서,상기 절연 필러는 실리카, 황산바륨, 알루미나, 점토, 고령토, 활석, 망간산화물, 아연산화물, 탄산칼슘, 티타늄산화물, 운모, 규회석 및 현무암 중에 선택되는 적어도 하나인 접착 필름
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제 1 항에 있어서,상기 히드록실기를 포함하는 열가소성 수지는 히드록실기로 치환된 폴리디메틸실록산이고,상기 열경화성 수지는 말레이미드이고,상기 무수물은 숙신 무수물이고,상기 말레이미드와 상기 숙신 무수물은 화학양론비 1:0
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제 1 항에 있어서,상기 히드록실기를 포함하는 열가소성 수지는 폴리비닐 알코올이고,상기 열경화성 수지는 에폭시이고,상기 무수물은 말레 무수물이고,상기 에폭시와 상기 말레 무수물은 화학양론비 1:0
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제 1 항에 있어서,상기 히드록실기를 포함하는 열가소성 수지는 히드록실기로 치환된 폴리에틸렌 테레프탈레이트이고,상기 열경화성 수지는 페놀-포름알데히드이고,상기 무수물은 도데실 숙신 무수물이고,상기 페놀-포름알데히드와 상기 도데실 숙신 무수물은 화학양론비 1:0
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접착 필름을 제조하는 단계;도전 패드를 포함하는 패키지 기판 상에 상기 접착 필름을 올려놓는 단계;솔더볼이 부착된 반도체 칩을 상기 접착 필름에 올려놓는 단계; 및가열 공정을 진행하여 상기 솔더볼을 상기 도전 패드에 부착시키고, 상기 접착 필름을 경화하는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 접착 필름을 제조하는 단계는,히드록시기를 포함하는 열가소성 수지, 열경화성 수지, 무수물 및 유기 용매를 포함하는 접착 조성물을 제조하는 단계;이형 필름 상에 상기 접착 조성물을 코팅하는 단계; 상기 유기 용매를 제거하는 단계; 및상기 이형 필름을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 유기 용매를 제거하는 단계 후에,상기 접착 필름 내에 상기 열가소성 수지는 20~70wt%로 포함되고, 상기 무수물은 1~70wt%로 포함되는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 히드록시기를 포함하는 열가소성 수지는 폴리에틸렌옥사이드, 폴리비닐알코올, 페녹시수지, 폴리아크릴산 및 폴리에틸 아크릴산 중 선택되는 적어도 하나인 반도체 패키지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 히드록시기를 포함하는 열가소성 수지는 폴리스티렌, 폴리메타메틸아클릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이소부틸 메타크릴레이트, 폴리비닐 피리딘, 폴리카프로락톤, 폴리부타디엔, 폴리디메틸실록산, 폴리이소부틸렌, 폴리이소프로펜, 폴리카르보네이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 및 폴리비닐 클로라이드 중 선택되는 적어도 하나의 고분자의 말단이나 메인 체인에 히드록시기가 치환된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 열경화성 수지는 에폭시, 페녹시, 비스말레이미드(bismaleimide), 불포화 폴리에스테르, 우레탄, 우레아, 페놀-포름알데히드, 가황고무, 멜라민 수지, 폴리이미드, 에폭시 노볼락 수지, 및 시아네이트 에스테르 중 선택되는 적어도 하나인 반도체 패키지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 무수물은 나딕 말레익 무수물, 도데실 숙시닉 무수물, 말레 무수물, 숙신 무수물, 메틸 테트라하이드로 프탈 무수물, 헥사하이드로 프탈 무수물, 테트라하이드로 프탈 무수물, 피로멜리틱 무수물, 사이클로헥산디카르복실 무수물, 1,2,4-벤젠트리카르복실 무수물, 및 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실 디무수물 중 선택되는 적어도 하나인 반도체 패키지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 접착 조성물은 절연 필러를 더 포함하되,상기 절연 필러는 상기 히드록시기를 포함하는 열가소성 수지, 상기 열경화성 수지 및 상기 무수물을 합한 중량에 대하여 0~90 wt%로 포함되는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 가열 공정은 100~300℃의 온도에서 진행되는 반도체 패키지의 제조 방법
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