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이차전지용 음극재, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이차전지용 전극

  • 기술번호 : KST2019013953
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차전지용 음극재, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이차전지용 전극에 관한 것으로서, 리튬(Li) 또는 소듐(Na) 이온과 삽입 반응(Insertion reaction)을 형성하는 바나듐 인화물(Vanadium phosphide)을 포함하며, 상기 바나듐 인화물은 입자의 크기가 나노미터 단위를 가지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01M 4/58 (2015.01.01) H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) H01M 10/054 (2010.01.01) C01B 25/08 (2006.01.01) C01B 32/05 (2017.01.01)
CPC H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01) H01M 4/5805(2013.01)
출원번호/일자 1020180034608 (2018.03.26)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2000196-0000 (2019.07.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.03.26)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성현 서울특별시 서초구
2 김경호 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0299620-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0047793-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0219215-95
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0541759-83
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0655338-60
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0655337-14
10 등록결정서
Decision to grant		 2019.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0482804-79
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리튬(Li) 또는 소듐(Na) 이온과 삽입 반응(Insertion reaction)을 형성하는 바나듐 인화물(Vanadium phosphide)을 포함하며,상기 바나듐 인화물은 적어도 V4P7를 포함하고, 입자의 크기가 나노미터 단위를 가지는, 이차전지용 음극재
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 바나듐 인화물의 표면의 적어도 일부에 탄소를 포함하는 탄소쉘(shell)이 형성되어, 상기 바나듐 인화물과 상기 탄소쉘이 코어-쉘(Core-shell) 구조를 이루는, 이차전지용 음극재
4 4
제 3 항에 있어서,상기 탄소는 비정질 탄소(Amorphous carbon), 카본블랙(carbon black), 그래핀(Graphine) 및 탄소나노튜브(Carbon nano tube)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 인, 이차전지용 음극재
5 5
제 1 항에 있어서,상기 바나듐 인화물은 입자의 크기가 10 nm 내지 500 nm의 범위를 가지는, 이차전지용 음극재
6 6
제 3 항에 있어서,상기 탄소쉘은 두께가 10 nm 내지 30 nm의 범위를 가지는, 이차전지용 음극재
7 7
금속 바나듐(Vanadium) 분말과 적린 분말을 포함하는 혼합 분말을 준비하는 단계; 및상기 혼합 분말을 볼 밀링(ball milling)하여 바나듐 인화물을 제조하는 단계를 포함하는 이차전지용 음극재의 제조방법이고,상기 이차전지용 음극재는, 리튬(Li) 또는 소듐(Na) 이온과 삽입 반응(Insertion reaction)을 형성하는 바나듐 인화물(Vanadium phosphide)을 포함하며,상기 바나듐 인화물은 적어도 V4P7를 포함하고, 입자의 크기가 나노미터 단위를 가지는,이차전지용 음극재의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 금속 바나듐 분말과 적린 분말은 입자의 크기가 10 ㎛ 내지 45 ㎛의 범위를 가지는, 이차전지용 음극재의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 바나듐 인화물을 제조하는 단계에서, 상기 볼 밀링은 200 rpm 내지 600 rpm 범위의 회전속도를 가지는, 이차전지용 음극재의 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 바나듐 인화물의 표면의 적어도 일부에 탄소를 포함하는 탄소쉘을 형성하는 단계를 더 포함하는, 이차전지용 음극재의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 탄소쉘을 형성하는 단계는, 상기 바나듐 인화물과 탄소 전구체를 교반시켜 상기 바나듐 인화물의 표면의 적어도 일부에 상기 탄소 전구체를 포함하는 탄소 외각층을 형성하는 단계; 및상기 탄소 외각층을 탄화(carbonization)시켜 탄소쉘을 형성하는 단계를 포함하는, 이차전지용 음극재의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 탄소 외각층을 탄화시키는 단계는, 450 ℃ 내지 500 ℃에서 2시간 내지 4시간 동안 열처리하여 수행되는, 이차전지용 음극재의 제조방법
13 13
제 1 항, 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 이차전지용 음극재를 포함하는, 이차전지용 전극
14 14
제 7 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 이차전지용 음극재를 포함하는, 이차전지용 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 개인기초연구 차세대 Na-ion 전지용 인화물 기반 음극소재 개발