| 1 |
1
서로 수직 방향으로 위치한 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하고,상기 제1 트랜지스터는 상기 수직 방향으로 순차적으로 적층된 제1 게이트 전극, 제1 절연층, 제1 일전극, 제1 채널, 및 제1 타전극을 포함하고,상기 제2 트랜지스터는 상기 수직 방향으로 순차적으로 적층된 제2 게이트 전극, 제2 절연층, 제2 일전극, 제2 채널, 및 제2 타전극을 포함하고,상기 제2 게이트 전극과 상기 제1 타전극은 동일한 전극인,수직 적층 트랜지스터
|
| 2 |
2
제1 게이트 전극이 주사 라인과 연결되고, 제1 일전극이 데이터 라인과 연결되는 제1 트랜지스터;유기 발광 다이오드;제2 게이트 전극이 상기 제1 트랜지스터의 제1 타전극과 연결되고, 상기 유기 발광 다이오드와 전원 라인을 연결하는 제2 트랜지스터; 및상기 제2 게이트 전극과 상기 전원 라인을 연결하는 스토리지 커패시터를 포함하고,상기 제1 트랜지스터는 수직 방향으로 순차적으로 적층된 상기 제1 게이트 전극, 제1 절연층, 상기 제1 일전극, 제1 채널, 및 상기 제1 타전극을 포함하고,상기 제2 트랜지스터는 상기 수직 방향으로 순차적으로 적층된 상기 제2 게이트 전극, 제2 절연층, 제2 일전극, 제2 채널, 및 제2 타전극을 포함하고,상기 제2 게이트 전극과 상기 제1 타전극은 동일한 전극인,표시 장치
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 제2 일전극은 상기 전원 라인과 연결되고,상기 제2 타전극은 상기 유기 발광 다이오드의 애노드와 연결되는,표시 장치
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 제2 게이트 전극 및 상기 제2 일전극은 상기 스토리지 커패시터의 각 전극을 구성하는,표시 장치
|
| 5 |
5
제2 항에 있어서,상기 데이터 라인은 상기 제1 일전극과 동일한 물질 및 상기 제2 게이트 전극과 동일한 물질로 적층된 2층 구조인,표시 장치
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서,상기 전원 라인은 상기 제2 일전극과 동일한 물질 및 상기 제2 타전극과 동일한 물질로 적층된 2층 구조인,표시 장치
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 데이터 라인과 상기 전원 라인 사이에 상기 제2 절연층이 위치한,표시 장치
|
| 8 |
8
제5 항에 있어서,상기 주사 라인은 상기 제1 게이트 전극과 동일한 물질로 구성된,표시 장치
|
| 9 |
9
제8 항에 있어서,상기 데이터 라인과 상기 주사 라인 사이에 상기 제1 절연층이 위치한,표시 장치
|
| 10 |
10
제1 게이트 전극 및 주사 라인을 형성하는 단계;상기 제1 게이트 전극 및 상기 주사 라인을 커버하는 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 절연층 상에 데이터 라인의 적어도 일부 및 제1 일전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 일전극 상에 제1 채널을 형성하는 단계를 포함하는표시 장치의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 제1 채널 상에 제1 타전극 및 제2 게이트 전극을 동시에 형성하는 단계를 더 포함하는표시 장치의 제조 방법
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서,상기 제1 일전극을 형성하는 단계에서, 상기 데이터 라인의 일부를 형성하고,상기 제1 타전극 및 제2 게이트 전극을 동시에 형성하는 단계에서, 상기 데이터 라인의 나머지를 형성하는,표시 장치의 제조 방법
|
| 13 |
13
제11 항에 있어서,상기 데이터 라인 및 상기 제1 타전극을 제2 절연층으로 커버하는 단계; 및상기 제1 타전극과 적어도 일부가 중첩되도록 상기 제2 절연층 상에 전원 라인의 적어도 일부 및 제2 일전극을 형성하는 단계를 더 포함하는표시 장치의 제조 방법
|
| 14 |
14
제13 항에 있어서,상기 제1 타전극과 적어도 일부가 중첩되도록 상기 제2 일전극 상에 제2 채널을 형성하는 단계를 더 포함하는표시 장치의 제조 방법
|
| 15 |
15
제14 항에 있어서,상기 제2 채널 상에 제2 타전극을 형성하는 단계를 더 포함하는표시 장치의 제조 방법
|
| 16 |
16
제15 항에 있어서,상기 제2 일전극을 형성하는 단계에서, 상기 전원 라인의 일부를 형성하고,상기 제2 타전극을 형성하는 단계에서, 상기 전원 라인의 나머지를 형성하는,표시 장치의 제조 방법
|
| 17 |
17
제16 항에 있어서,상기 제2 타전극이 노출되는 개구부를 포함하는 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층의 일부 및 상기 제2 타전극 상에 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드의 일부가 노출되는 개구부를 포함하는 화소 정의층을 형성하는 단계;상기 화소 정의층 일부 및 노출된 상기 애노드 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 및 상기 화소 정의층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 더 포함하는표시 장치의 제조 방법
|
| 18 |
18
수직 방향으로 순차적으로 적층된 제1 게이트 전극, 제1 절연층, 제1 일전극, 제1 채널, 및 제1 타전극을 포함하는 보상 트랜지스터;상기 수직 방향으로 순차적으로 적층된 제2 게이트 전극, 제2 절연층, 제2 일전극, 제2 채널, 및 제2 타전극을 포함하는 구동 트랜지스터; 및일전극이 데이터 라인에 연결되고, 타전극이 상기 제2 일전극에 연결되고, 게이트 전극이 주사 라인과 연결된 스위칭 트랜지스터를 포함하고,상기 제1 일전극은 상기 제2 타전극에 연결되고, 상기 제1 타전극과 상기 제2 게이트 전극은 동일한 전극인,표시 장치
|
| 19 |
19
제18 항에 있어서,상기 제1 게이트 전극은 상기 주사 라인에 연결된,표시 장치
|
| 20 |
20
제19 항에 있어서,전원 라인과 상기 제2 게이트 전극을 연결하는 스토리지 커패시터;상기 전원 라인과 상기 제2 일전극을 연결하는 제1 발광 제어 트랜지스터;상기 제2 타전극과 유기 발광 다이오드의 애노드를 연결하는 제2 발광 제어 트랜지스터;상기 제2 게이트 전극과 초기화 전원 라인을 연결하는 제1 초기화 트랜지스터;상기 유기 발광 다이오드의 애노드와 상기 초기화 전원 라인을 연결하는 제2 초기화 트랜지스터를 더 포함하는,표시 장치
|
