| 1 |
1
P형 유기반도체 및 전극으로 이루어진 열전소자로서, 상기 전극은 베이스 금속과 전이금속 산화물 박막의 이중층 구조이되, 상기 전이금속 산화물 박막이 상기 유기반도체와 베이스 금속 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 P형 유기반도체는 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate), PANI(polyaniline), PPY(polypyrole), P3HT(poly(3-hexylthiophene)), PBTTT(poly(2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene), pentacene, DNTT (dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 베이스 금속은 금(Au) 보다 일함수가 작은 금속 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 전이금속 산화물은 MoO3, ReO3, WO3, V2O5 으로부터 선택되는 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 전이금속 산화물 박막의 두께는 10 nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자
|
| 6 |
6
기판을 제공하는 단계;상기 기판의 상면에 유기반도체를 형성하는 단계;상기 유기반도체의 상면에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 전이금속 산화물 박막의 상면에 베이스 금속을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 전이금속 산화물 박막과 상기 베이스 금속이 이중층 구조의 전극을 구성하는 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자의 제조방법
|
| 7 |
7
기판을 제공하는 단계;상기 기판의 상면에 베이스 금속을 형성하는 단계;상기 베이스 금속의 상면에 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 전이금속 산화물 박막 및 기판 위에 유기반도체를 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 전이금속 산화물 박막과 상기 베이스 금속이 이중층 구조의 전극을 구성하는 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자의 제조방법
|
| 8 |
8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 유기반도체의 형성은 진공증착, 용액공정 또는 프린팅 공정 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 전이금속 산화물 박막의 형성은 진공증착, 용액공정, 또는 프린팅 공정 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 베이스 금속의 형성은 진공증착, 용액공정 또는 프린팅 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 전이금속 산화물 박막의 두께는 10 nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기반도체 기반 열전소자의 제조방법
|
