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누설전류 특성이 개선된 비평탄형 채널을 갖는 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019014247
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 드레인 영역과 소스 영역이 각각 형성된 실리콘 몸체(2) 및 상기 드레인 영역과 상기 소스 영역 사이에서 상기 실리콘 몸체(2)에, 게이트 절연막(7)이 개재된 상태로 소정 부분이 매립된 게이트(8)를 포함하는 비평탄형 채널을 갖는 트랜지스터에 관한 것으로서, 상기 드레인 영역 및 상기 소스 영역은 상기 실리콘 몸체(2) 중 도핑 물질이 도핑된 부분이며, 상기 실리콘 몸체(2)에는 절연체(10)가 매립되되, 상기 실리콘 몸체(2)의 높이 방향(Y축 방향)을 기준으로, 상기 절연체(10)의 상면은 상기 실리콘 몸체(2)에 매립된 상기 게이트 절연막(7)의 하면보다 높은 위치에 있음과 동시에, 상기 드레인 영역 또는 소스 영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 비평탄형 채널을 갖는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01)
출원번호/일자 1020180005910 (2018.01.17)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0087739 (2019.07.25) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명진 대한민국 서울특별시 용산구
2 김용권 대한민국 전라남도 해남군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김경훈 대한민국 광주광역시 북구 첨단과기로 ***번길 **-** 애플지식센터 옐로우A동 제*호(윈특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0055401-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2018-0049392-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0211294-05
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0503610-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0635458-72
8 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
 2019.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0635505-20
9 [출원서 등 보완]보정서
 2019.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0635494-16
10 [출원서 등 보완]보정서
 2019.06.20 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0635081-63
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0635467-83
12 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2019.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0105368-12
13 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2019.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0125879-00
14 등록결정서
Decision to grant		 2019.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0937198-47
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.06 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2020-0125701-13
16 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2020.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0025726-24
17 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2020.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0041514-27
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
드레인 영역과 소스 영역이 각각 형성된 실리콘 몸체(2) 및 상기 드레인 영역과 상기 소스 영역 사이에서 상기 실리콘 몸체(2)에, 게이트 절연막(7)이 개재된 상태로 적어도 일부가 매립된 게이트(8)를 포함하는 비평탄형 채널을 갖는 트랜지스터에 관한 것으로서,상기 드레인 영역 및 상기 소스 영역은 상기 실리콘 몸체(2) 중 도핑 물질이 도핑된 부분이며, 상기 실리콘 몸체(2)에는 절연체(10)가 매립되되, 상기 실리콘 몸체(2)의 높이 방향(Y축 방향)을 기준으로, 상기 절연체(10)의 상면은 상기 실리콘 몸체(2)에 매립된 상기 게이트 절연막(7)의 하면보다 높은 위치에 있음과 동시에, 상기 드레인 영역 또는 소스 영역 내에 위치하며,상기 드레인 영역은 HDD(Highly Dopped Drain) 공정에 의하여 형성되고, 상기 절연체(10)의 상면과 상기 게이트 절연막(7)의 하면 사이의 실리콘 몸체(2)의 높이 방향 거리(y)를 상기 게이트 절연막(7)이 상기 실리콘 몸체(2)에 매립된 깊이(D)로 나눈 α값은 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 절연체(10)와 상기 게이트 절연막(7) 사이의 수평 방향(X축 방향) 최단 거리(x)를, 상기 절연체(10)가 매립되어 있는 쪽의 상기 실리콘 몸체(2)의 측단면과 상기 게이트 절연막(7) 사이의 수평방향(X축 방향) 최단 거리(L)로 나눈 β값은 0
5 5
청구항 1 또는 청구항 4에 있어서, 상기 절연체는 유전체인 것을 특징으로 하는 비평탄형 채널을 갖는 트랜지스터
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 유전체는 SiO2, Si3N4, 및 HfO2, ZrO2중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 비평탄형 채널을 갖는 트랜지스터
7 7
청구항 1 또는 청구항 4에 있어서, 상기 절연체는 진공층에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 비평탄형 채널을 갖는 트랜지스터
8 8
청구항 1 또는 청구항 4에 있어서, 상기 절연체는 육면체 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비평탄형 채널을 갖는 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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