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탄소나노튜브 네트워크 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019014290
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브 네트워크 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, a) 게이트와 게이트 절연막의 적층 구조를 형성하는 단계와, b) 상기 게이트 절연막의 상부 일부에 고밀도 탄소나노튜브층과 소스 적층구조 및 고밀도 탄소나노튜브층과 드레인 적층구조를 형성하는 단계와, c) 상기 소스 하부의 고밀도 탄소나노튜브층과 상기 드레인 하부의 고밀도 탄소나노튜브층을 연결하되, 상기 고밀도 탄소나노튜브층의 밀도에 비하여 상대적으로 저밀도인 채널층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020180005782 (2018.01.16)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0087239 (2019.07.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성진 서울특별시 관악구
2 김동명 서울특별시 강남구
3 김대환 경기도 성남시 분당구
4 이용우 경기도 구리시
5 윤진수 서울특별시 성북구
6 최봉식 울산광역시 남구
7 이희성 경기도 광명시 영당로**번길 *
8 한정민 서울특별시 성북구
9 박진희 인천광역시 서구
10 김예민 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0054107-11
2 보정요구서
Request for Amendment		 2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0016030-07
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0110423-26
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0186517-23
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.05 수리 (Accepted) 9-1-2018-0045486-31
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0602998-99
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1065433-06
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1065434-41
10 등록결정서
Decision to grant		 2020.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0083741-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트, 소스 및 드레인과, 소스 및 드레인의 사이에 위치하는 탄소나노튜브 채널층을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 소스 및 드레인의 하부에 위치하며, 상기 채널층의 탄소나노튜브 밀도보다 더 높은 밀도의 고밀도 탄소나노튜브층을 더 포함하되,상기 채널층과 상기 고밀도 탄소나노튜브층은 개별 형성된 것이며,상기 채널층의 탄소나노튜브 밀도는 65 tubes/㎛2 이상 75 tubes/㎛2 이하이고,상기 고밀도 탄소나노튜브층의 밀도는 96 tubes/㎛2 이상 100 tubes/㎛2 이하인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 고밀도 탄소나노튜브층은,상기 소스와 상기 드레인 각각의 마주하는 방향측으로 돌출된 돌출영역을 포함하는 박막 트랜지스터
5 5
a) 게이트와 게이트 절연막의 적층 구조를 형성하는 단계;b) 상기 게이트 절연막의 상부 일부에 고밀도 탄소나노튜브층과 소스 적층구조 및 고밀도 탄소나노튜브층과 드레인 적층구조를 형성하는 단계; 및c) 상기 소스 하부의 고밀도 탄소나노튜브층과 상기 드레인 하부의 고밀도 탄소나노튜브층을 연결하되, 상기 고밀도 탄소나노튜브층의 밀도에 비하여 상대적으로 저밀도인 채널층을 형성하는 단계를 포함하여,상기 고밀도 탄소나노튜브층과 상기 채널층을 각각 개별 형성하되,상기 채널층의 탄소나노튜브 밀도는 65 tubes/㎛2 이상 75 tubes/㎛2 이하이고,상기 고밀도 탄소나노튜브층의 밀도는 96 tubes/㎛2 이상 100 tubes/㎛2 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는박막 트랜지스터 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 b) 단계는,게이트 절연막의 상부 전면에 상기 고밀도 탄소나노튜브층을 형성하는 과정과, 상기 고밀도 탄소나노튜브층의 상부에 상호 소정 거리 이격되는 소스와 드레인을 형성하는 과정과,상기 소스와 드레인을 식각 마스크로하여 노출된 고밀도 탄소나노튜브층을 제거하는 과정을 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 b) 단계는,게이트 절연막의 상부 전면에 상기 고밀도 탄소나노튜브층을 형성하는 과정과,상기 고밀도 탄소나노튜브층의 상부에 상호 소정 거리 이격되는 소스와 드레인을 형성하는 과정과,상기 소스와 드레인의 상호 마주하는 측면에 인접한 상기 고밀도 탄소나노튜브층의 일부에 제1마스크층을 형성하는 과정과,상기 소스와 드레인 및 제1마스크층을 식각 마스크로하여 노출된 고밀도 탄소나노튜브층을 제거하는 과정을 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제5항에 있어서,상기 고밀도 탄소나노튜브층은,상기 채널층을 형성한 후, 상기 채널층에 탄소나노튜브를 부분적 인쇄하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 산업핵심기술개발사업 5 nm 급 이하 차세대 Logic 소자 원천요소기술개발
2 과학기술정보통신부 국민대학교 산학협력단 선도연구센터지원사업 하이브리드 디바이스를 이용한 일주기 ICT 연구센터