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(a) 모 기판 상에 플렉서블 디바이스용 기판을 형성하는 단계;(b) 상기 플렉서블 디바이스용 기판의 표면에 무기물질을 증착하여 버퍼층을 형성하는 단계; (c) 스퍼터링 공정을 이용하여, 상기 버퍼층 표면에 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하는 단계; 및(d) 상기 증착된 전이금속 칼코겐화합물에 음전하 에너지빔을 조사하여 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계와 (b) 단계 사이에, 상기 플렉서블 디바이스용 기판의 표면에 이온빔을 조사하여, 상기 플렉서블 디바이스용 기판의 표면에 친수성을 부여하는 표면 처리 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 플렉서블 디바이스용 기판은 폴리이미드 계열의 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이온빔은 75초~300초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이온빔은 0
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제1항에 있어서,상기 이온빔은 10~50sccm의 아르곤 이온빔 및 10~50sccm의 산소 이온빔 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 SiO2, SiO2-x, SiN, SiNx, a-Si(amorphous silicon), Al2O3, Al2O3-x, AlN 및 AlNx 중 1종 이상을 포함하는 단층 또는 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Sn, Zr, Ni, Ga, In, Bi, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되는 하나이고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 공정 및 음전하 에너지빔 조사는 600℃ 이하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 RF 파워 5~20W, 공정 압력 20mTorr 이하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물 박막은 트랜지스터용 박막 또는 포토디텍터용 박막에서 선택되는 전자소자용 박막인 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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