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교대로 그리고 반복적으로 적층된 탄소층(carbon layer), 및 금속 화합물층을 포함하되, 상기 금속 화합물층은 몰리브덴 및 셀레늄을 포함하는 복합 소재
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제1 항에 있어서, 상기 탄소층은 그래핀층 또는 그래핀 산화물층을 포함하는 복합 소재
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제1 항에 있어서, 상기 금속 화합물층 사이의 거리는 5~15Å인 것을 포함하는 복합 소재
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제1 항에 있어서, 상기 탄소층은 선천적으로(inherently) 상기 금속 화합물층 사이에 제공되는 것을 포함하는 복합 소재
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제1 항에 있어서, 교대로 그리고 반복적으로 적층된 탄소층(carbon layer), 및 금속 화합물층을 둘러싸는 탄소 쉘층(carbon shell layer)을 더 포함하는 복합 소재
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제1 항에 있어서, 상기 금속 화합물층의 적어도 일부는 monolayer로 제공되는 것을 포함하는 복합 소재
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7
몰리브덴 소스, 셀레늄 소스, 및 메인 탄소 소스를 준비하는 단계;상기 몰리브덴 소스, 상기 셀레늄 소스, 및 상기 메인 탄소 소스를 혼합하고 1차 열처리하여, 중간 생성물을 제조하는 단계; 및상기 중간 생성물을 2차 열처리하여, 교대로 그리고 반복적으로 적층된 탄소층(carbon layer), 및 몰리브덴 및 셀레늄을 포함하는 금속 화합물층을 포함하는 복합 소재를 제조하는 단계를 포함하는 복합 소재의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 중간 생성물은, 몰리브덴 및 셀레늄을 포함하는 상기 금속 화합물층, 및 상기 메인 탄소 소스가 교대로 그리고 반복적으로 적층되고, 상기 중간 생성물에서 상기 금속 화합물층 사이의 간격은, 상기 복합 소재에서 상기 금속 화합물층 사이의 간격보다 넓은 것을 포함하는 복합 소재의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 중간 생성물을 상기 2차 열처리하기 전, 상기 중간 생성물에 보조 탄소 소스를 첨가하여, 보조 열처리하는 단계를 더 포함하고, 상기 보조 탄소 소스의 분자는, 상기 중간 생성물에서 상기 금속 화합물층 사이의 간격, 및 상기 메인 탄소 소스의 분자 크기보다 크고, 상기 중간 생성물은, 상기 금속 화합물층, 및 상기 메인 탄소 소스를 둘러싸는 탄소 쉘층(carbon shell layer)을 더 포함하는 복합 소재의 제조 방법
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10
제7 항에 있어서, 상기 1차 열처리는, 제1 온도에서 수행되고, 상기 2차 열처리는, 질소 가스 또는 불활성 가스 분위기에서, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 수행되는 것을 포함하는 복합 소재의 제조 방법
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제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 따른 복합 소재를 포함하는 양극;상기 양극과 이격되고, 리튬, 나트륨, 또는 마그네슘 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 음극; 및상기 양극 및 상기 음극 사이의 전해질을 포함하는 이차 전지
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제11 항에 있어서, 예비 충방전 되어, 상기 금속 화합물층의 몰리브덴 및 셀레늄이 화학적으로 분리되고, 상기 금속 화합물층에서 화학적으로 분리된 셀레늄이 활물질로 기능하고, 충방전 과정에서 리튬 셀레늄 화합물이 생성되고, 상기 리튬 셀레늄 화합물이 상기 복수의 탄소층에 의해 속박되어, 전해질로의 용출이 감소되는 것을 포함하는 이차 전지
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제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 따른 복합 소재를 포함하는 음극;양극; 및상기 음극 및 상기 양극 사이에 배치된, 분리막 및 리튬염을 포함하는 비수용성 전해질을 포함하는 커패시터
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