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실리콘 기판 상에 제1 황화주석막을 증착하고,상기 제1 황화주석막을 가열하여 제2 황화주석막을 수직 방향으로 성장시켜 형성하는 것을 포함하되,상기 제2 황화주석막의 황의 함량은 상기 제1 황화주석막의 황의 함량보다 작고,상기 실리콘 기판은 n형이고, 상기 제2 황화주석막은 p형인 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 황화주석막은 SnS2를 포함하는 광전 소자 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 제2 황화주석막은 SnS를 포함하는 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 황화주석막의 두께는 상기 제2 황화주석막의 두께보다 작은 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 황화주석막을 가열하는 것은,상기 제1 황화주석막을 250 내지 300도에서 가열하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 황화주석막을 증착하는 것은,상기 제1 황화주석막을 상온에서 증착하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
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삭제
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제1 항에 있어서,상기 실리콘 기판 및 상기 제2 황화주석막은 서로 이종접합을 이루는 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 실리콘 기판은 웨이퍼 스케일을 가지고,상기 제2 황화주석막을 형성하는 것은 상기 제2 황화주석막이 상기 웨이퍼 스케일로 형성되는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 실리콘 기판의 상면은 (001) 평면인 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,제2 황화주석막을 형성하는 것은,상기 제2 황화주석막이 수직방향으로 성장하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
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실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 형성되고, 수직 방향으로 성장된 황화주석막;상기 황화주석막 상에 형성되는 투명 전도체 컨택; 및상기 실리콘 기판 아래에 형성되는 메탈 컨택을 포함하고,상기 실리콘 기판 및 상기 황화주석막은 서로 이종 접합을 이루는 광전 소자
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삭제
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제12 항에 있어서,상기 황화주석막은 SnS를 포함하는 광전 소자
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제12 항에 있어서,상기 투명 전도체 컨택은 FTO(fluorine doped tin oxide), ITO(Indium tin oxide) 및 금속 나노선 중 적어도 하나를 포함하는 광전 소자
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제12 항에 있어서,상기 메탈 컨택은 Al을 포함하는 광전 소자
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