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기판;상기 기판 상에 형성되고, 수직 방향으로 성장된 황화 몰리브덴막;상기 황화 몰리브덴막 상에 형성되는 상부 컨택; 및상기 기판 아래에 형성되는 하부 컨택을 포함하는 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 황화 몰리브덴막은 MoS2를 포함하는 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 기판은 Si을 포함하는 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 하부 컨택은 Al 등의 금속을 포함하는 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 상부 컨택은 Al 등의 금속과, 투명 전도층과, 금속 나노선 중 적어도 하나를 포함하는 포토 디텍터
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6
제1 항에 있어서,상기 황화 몰리브덴막은 상면과 측면을 포함하고,상기 황화 몰리브덴막은 상기 상면으로 성장하되, 상기 측면으로는 성장하지 않는 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 상부 컨택은 그리드 형태로 형성된 포토 디텍터
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서로 반대되는 제1 및 제2 면을 포함하는 기판을 제공하고,상기 제2 면 상에 하부 컨택을 형성하고,상기 제1 면 상에 제1 온도로 황화 몰리브덴막을 증착하고,상기 황화 몰리브덴막 상에 상부 컨택을 형성하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 기판은 Si을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 기판과 상기 황화 몰리브덴막은 결합하여 정류 접합을 형성하는 포토 디텍터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 제1 온도는 상온(room temperature) 내지 600℃인 포토 디텍터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극의 결합을 강화시키는 급속 열처리(rapid thermal process, RTP)를 수행하는 것을 더 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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13
제12 항에 있어서,상기 급속 열처리는 제1 시간 동안 수행되고,상기 제1 시간은 5분 내지 60분인 포토 디텍터 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 급속 열처리의 온도는 100 내지 1000℃인 포토 디텍터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 황화 몰리브덴막을 증착하는 것은,상기 황화 몰리브덴막을 수직 방향으로 성장시키는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 황화 몰리브덴막은 상기 수직 방향으로 우선 성장하고,상기 황화 몰리브덴막의 수직 방향의 성장률은 수평 방향의 성장률보다 큰 포토 디텍터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 상부 컨택을 형성하는 것은,상기 상부 컨택을 그리드 형태로 형성하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 상부 컨택의 수평 면적은 상기 하부 컨택의 수평 면적보다 작은 포토 디텍터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 황화 몰리브덴막은 MoS2를 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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