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하기 [화학식 1]로 표시되는 오늄염 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체전해질 합성용 용매;[화학식 1]Q+ㆍA-상기 화학식 1에서, Q+는 오늄 이온을 나타내고, A-는 TFSI-(bis(trifluoromethanesulfonyl)imide anion), NO3-, PF6- 및 AsF6-로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상임
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제1항에 있어서, 상기 Q+는 제4급 암모늄 양이온이며, 상기 A-는 TFSI-(bis(trifluoromethanesulfonyl)imide anion)인 것을 특징으로 하는 고체전해질 합성용 용매
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제1항에 있어서, 상기 Q+는 피롤리디늄 양이온이며, 상기 A-는 TFSI-(bis(trifluoromethanesulfonyl)imide anion)인 것을 특징으로 하는 고체전해질 합성용 용매
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제1항에 있어서, 상기 고체전해질 합성용 용매는 300 ℃ 이하의 온도에서 습식으로 고체전해질의 합성반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 고체전해질 합성용 용매
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제1항에 있어서, 상기 고체전해질 합성용 용매는 100 ℃를 기준으로 5 내지 8 cP의 점도를 보이므로 습식으로 고체전해질의 합성반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 고체전해질 합성용 용매
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하기 [화학식 1]로 표시되는 오늄염 화합물을 포함하는 용매 하에서 300 ℃ 이하의 반응 온도로 고체전해질을 합성하는 방법;[화학식 1]Q+ㆍA-상기 화학식 1에서, Q+는 오늄 이온을 나타내고, A-는 TFSI-(bis(trifluoromethanesulfonyl)imide anion), NO3-, PF6- 및 AsF6-로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상임
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7
제6항에 있어서, 상기 Q+는 피롤리디늄 양이온인 것을 특징으로 하는 고체전해질을 합성하는 방법
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제7항에 있어서, 상기 Q+가 피롤리디늄 양이온인 경우, 하기 [반응식 1]에 따라 [화학식 3]의 염 화합물과 [화학식 4]의 리튬염 화합물을 20 내지 27 ℃에서 20 내지 30시간 동안 교반하여 하기 [화학식 2]로 표시되는 피롤리딘염 화합물을 제조하는 것을 특징으로 하는 고체전해질을 합성하는 방법;[반응식 1][화학식 3] [화학식 4] [화학식 2]상기 반응식 1에서, R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이며, 상기 X-는 Cl-, Br- 및 I-로 이루어진 군에서 선택된 1종임
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제8항에 있어서, 상기 R은 중수소 원자, 시아노기, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 40의 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 알콕시기, 탄소수 1 내지 40의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 40의 아릴아미노기, 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴아미노기, 탄소수 1 내지 40의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 40의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 탄소수 3 내지 40의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 게르마늄기, 인 및 보론으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 치환되는 것을 특징으로 하는 고체전해질을 합성하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 [화학식 3]의 염 화합물은 하기 [반응식 2]에 따라 [화학식 5]의 화합물과 [화학식 6]의 화합물을 -3 내지 1 ℃에서 48 내지 72시간 동안 교반하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고체전해질을 합성하는 방법;[반응식 2][화학식 5] [화학식 6] [화학식 3]
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제6항의 고체전해질을 합성하는 방법으로 합성된 고체전해질
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제11항의 고체전해질을 포함하는 리튬이차전지
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