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제1 기판 상에 SnS2 타겟을 열공정을 통해서 SnS를 포함하는 제1 황화 주석막을 형성하되, 상기 열공정은 상기 SnS2 타겟의 황을 공핍시키는 상구조 전이를 통해 상기 제1 황화 주석막을 형성하고, 상기 제1 황화 주석막은 복수의 SnS 판(platelet)을 포함하고,상기 제1 황화 주석막 상에 제2 기판을 배치하고,급속 열처리를 통해서, 상기 복수의 SnS 판 중 일부를 승화시키고, 상기 제2 기판의 표면에 재증착시켜 제2 황화 주석막을 형성하는 것을 포함하는 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 황화 주석막은 상기 제1 황화 주석막의 상에 배치되고,상기 제1 및 제2 황화 주석막의 계면은 상기 제2 기판의 표면과 평행한 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 황화 주석막은 SnS를 포함하는 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 황화 주석막은 제1 방향으로 연장되고,상기 제1 방향은 상기 제1 기판의 상면 방향인 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제5 항에 있어서,상기 제2 황화 주석막은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 방향은 상기 제2 방향과 서로 수직한 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 황화 주석막은 상기 제2 기판과 평행한 제1 단일막과,상기 제1 단일막 상에 형성되고, 상기 제2 기판과 평행한 제2 단일막을 포함하는 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 황화 주석막의 두께는 상기 급속 열처리의 시간에 따라 달라지는 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제10 항에 있어서,상기 제2 황화 주석막은 적층된 복수의 단일막을 포함하고,상기 복수의 단일막의 개수는 상기 급속 열처리의 시간에 따라 달라지는 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 기판 및 상기 제2 황화 주석막을 상기 제1 황화 주석막과 분리하고,상기 제1 황화 주석막 상에 제3 기판을 배치하고,급속 열처리를 통해서, 상기 제1 황화 주석막의 일부를 이동시켜 상기 제3 기판의 표면에 결합된 제3 황화 주석막을 형성하는 것을 더 포함하는 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 기판 및 상기 제2 황화 주석막을 상기 제1 황화 주석막과 분리하고,상기 제2 황화 주석막 상에 제3 기판을 배치하고,급속 열처리를 통해서, 상기 제2 황화 주석막의 일부를 이동시켜 상기 제3 기판의 표면에 결합된 제3 황화 주석막을 형성하는 것을 더 포함하는 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 급속 열처리의 온도는 100 내지 1000℃인 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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제1 항에 있어서,상기 급속 열처리의 시간은 1초 내지 3시간인 황화 주석막 트랜스퍼 방법
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