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옥세틱 구조체를 포함하는 옥세틱 복합체; 및옥세틱 복합체의 양면에 배치되는 전극부;를 포함하는, 캐패시터형 스트레인 센서
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제1항에 있어서, 옥세틱 복합체는 필러에 옥세틱 구조체가 삽입되는 것인,캐패시터형 스트레인 센서
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제2항에 있어서, 필러의 푸아송비(Poisson's ratio)는 0
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제2항에 있어서, 옥세틱 구조체의 평면 방향으로의 푸아송비는 음의 값이고, 두께 방향으로의 푸아송비는 양의 값인,캐패시터형 스트레인 센서
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제2항에 있어서, 캐패시터형 스트레인 센서의 적어도 일측으로 인장력이 가해질 때,필러의 두께 방향으로의 고유한 푸아송비보다, 옥세틱 복합체의 두께 방향의 푸아송비가 더 커지는,캐패시터형 스트레인 센서
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제2항에 있어서,필러 및 옥세틱 구조체 구성재질의 탄성계수(Young's modulus)는 0
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제1항에 있어서,옥세틱 복합체는 필러 및 옥세틱 구조체 구성재질의 탄성계수(Young's modulus)가 1000배 이상 차이가 나는 것인,캐패시터형 스트레인 센서
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제1항에 있어서,전극부는 전도성 고분자 젤 전극인,캐패시터형 스트레인 센서
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제1항에 있어서,스트레인 센서의 게이지 팩터(Gauge Factor, GF)는 3
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제1항에 있어서,전극부와 옥세틱 구조체가 각각 커버하는 평면 상의 영역이 중첩되지 않는,캐패시터형 스트레인 센서
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(a) 옥세틱 구조체를 포함하는 옥세틱 복합체를 형성하는 단계; 및(b) 옥세틱 복합체의 양면에 전극부를 형성하는 단계;를 포함하는,캐패시터형 스트레인 센서의 제조방법
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제11항에 있어서, (a) 단계는,(a1) 패터닝된 옥세틱 구조체를 제조하는 단계; 및(a2) 필러 내에 옥세틱 구조체를 삽입하는 단계;를 포함하는,캐패시터형 스트레인 센서의 제조방법
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제11항에 있어서, 필러의 푸아송비(Poisson's ratio)는 0
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제11항에 있어서, 옥세틱 구조체의 평면 방향으로의 푸아송비는 음의 값이고, 두께 방향으로의 푸아송비는 양의 값인,캐패시터형 스트레인 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,필러 및 옥세틱 구조체 구성재질의 탄성계수(Young's modulus)는 0
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제11항에 있어서,전극부는 전도성 고분자 젤 전극인,캐패시터형 스트레인 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,(b) 단계는,(b1) 옥세틱 복합체의 양면에 전극을 부착하는 단계; 및(b2) 전극을 필러로 몰딩하여 캡슐화(encapsulation)하는 단계;를 포함하는,캐패시터형 스트레인 센서의 제조방법
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평면 방향 및 두께 방향으로의 푸아송비(Poisson's ratio)가 양의 값인 필러; 및필러에 삽입되며, 평면 방향으로의 푸아송비가 음의 값이고, 두께 방향으로의 푸아송비가 양의 값인 옥세틱 구조체를 포함하는 옥세틱 복합체
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