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반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019014566
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 및 상기 희생층 상에 발광구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법 중 복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계는, 상기 복수의 돌출부를 포함하는 상기 기판 상에 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부가 일부 노출되는 단계; 상기 마스크와 상기 복수의 돌출부 상에 상기 희생층을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 그리고, 상기 희생층 상에 발광구조물을 형성하는 단계는, 상기 복수의 돌출부 사이 및 상기 기판과 상기 희생층 사이의 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 식각용액이 에어 터널에 주입되어 상기 식각 용액이 기판의 복수의 돌출부와 충돌하지 않고 에어 터널로 흐를 수 있어 희생층을 빠르게 식각할 수 있다. 또한, 상기 희생층만은 선택적으로 식각할 수 있다. 상기 희생층만을 선택적으로 식각함에 따라 발광 구조물의 손상을 방지할 수 있어 발광 효율을 향상 시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020180008907 (2018.01.24)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0090254 (2019.08.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임재구 서울특별시 중구
2 송준오 서울특별시 중구
3 정환희 서울특별시 중구
4 변동진 서울특별시 강남구
5 조승희 서울특별시 노원구
6 정우섭 경상남도 김해시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0085072-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부 상에 배치된 상기 희생층이 일부 노출되는 단계;상기 노출된 희생층 및 상기 마스크 상에 발광구조물을 형성하는 단계;상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계; 및상기 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 제거하는 단계에 있어서,상기 복수의 돌출부 상에 배치된 상기 희생층의 일부는 제거되지 않는 발광소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계에 있어서,상기 발광구조물의 측면과 상기 기판의 측면 사이에 배치되는 상기 에어 터널은 노출되는 발광소자의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 희생층과 상기 발광구조물 사이의 상기 마스크를 제거하여 에어 터널을 형성하는 단계에 있어서,상기 희생층의 측면과 상기 발광구조물의 측면 사이에 배치되는 상기 에어 터널은 노출되는 발광소자의 제조방법
5 5
제1도전형 반도체층;상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층;상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고,상기 제1도전형 반도체층은 상기 제1도전형 반도체층에서 상기 활성층 방향으로 오목한 리세스를 포함하며,상기 리세스의 일부 영역에는 AlN 계열층이 배치되는 발광소자
6 6
제6항에 있어서,상기 AlN 계열층은 상기 제1도전형 반도체층의 하면 일부와 접촉하는 발광소자
7 7
제7항에 있어서,상기 리세스는 경사면을 포함하고 상기 AlN 계열층은 상기 리세스의 경사면에 배치되는 발광소자
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