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접착력 및 투명전극과 금속 간의 접촉저항이 개선된 태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019014796
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지의 기판에 투명전극을 증착하는 단계, 상기 투명전극과 접하는 적어도 일부 영역 상에 구리를 포함하는 주요 금속층을 증착하는 단계 및 상기 주요 금속층과 접하는 상기 투명전극의 적어도 일부 영역에 표면 처리층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 도금 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) C23C 26/00 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020180006669 (2018.01.18)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0088295 (2019.07.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수홍 경기도 화성시
2 이두원 경기도 용인시 수지구
3 이상희 서울특별시 광진구 동일로**길 **-*, ***호(군
4 무하마드 파하드 보팔 서울특별시 광진구 군
5 이아름 서울특별시 강남구
6 김한준 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0062604-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0053691-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0366462-69
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0747205-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0747206-22
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2019.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0828317-61
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0000398-28
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0000397-83
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0323644-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 기판에 투명전극을 증착하는 단계;상기 투명전극과 접하는 적어도 일부 영역 상에 주요 금속층을 증착하는 단계; 및상기 주요 금속층과 접하는 상기 투명전극의 적어도 일부 영역에 표면 처리층을 형성하는 단계를 포함하는,태양전지 도금 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 주요 금속층은 단일 금속을 포함하고, 상기 단일 금속은 구리(Cu)인,태양전지 도금 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 주요 금속층은, 적어도 50%의 주된 성분으로 구리(Cu)를 포함하고,니켈(Ni), 알루미늄(Al), 주석(Sn) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 더 포함하는,태양전지 도금 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 표면 처리층은 열처리, 전압 또는 전류의 인가, 빛이나 레이저(Laser)의 조사 중 적어도 하나의 방법을 통해 형성되는,태양전지 도금 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 표면 처리층이 상기 열처리를 통해 형성되는 경우, 상기 열처리 온도는 50℃ 내지 200℃인,태양전지 도금 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 주요 금속층의 표면에 캐핑층을 도금하는 단계를 더 포함하는,태양전지 도금 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 캐핑층은, 은(Ag) 또는 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는,태양전지 도금 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 캐핑층은, 비스무트(Bi)를 더 포함하는,태양전지 도금 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 ㈜뉴파워프라즈마 소재부품기술개발 셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발
2 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 신재생에너지핵심기술개발 고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발