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메모리 제어 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템

  • 기술번호 : KST2019014893
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 복수의 파티션으로 분할되어 있는 저항 변화 메모리 셀 어레이를 포함하는 제1 메모리 모듈 및 캐시로 사용되는 제2 메모리 모듈에 연결되는 메모리 제어 장치가 제공된다. 룩업 로직은 제2 메모리 모듈의 복수의 캐시 인덱스에 각각 대응하는 복수의 캐시 라인의 태그 정보를 관리한다. 캐시 컨트롤러는, 수신한 읽기 요청의 어드레스로부터 캐시 인덱스와 태그를 분리하고, 캐시 인덱스와 태그를 기초로 룩업 로직을 참조하여 읽기 요청의 캐시 히트 또는 캐시 미스를 판단한다. 또한 읽기 요청이 캐시 미스이고, 제1 파티션으로 진행 중인 쓰기가 있으며, 읽기 요청의 대상이 제2 파티션인 경우, 캐시 컨트롤러는 메모리 컨트롤러로 제1 메모리 모듈로부터 읽기 요청의 대상 데이터를 읽도록 지시한다.
Int. CL G06F 13/16 (2006.01.01) G06F 12/0895 (2016.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180067739 (2018.06.12)
출원인 주식회사 멤레이, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1936951-0000 (2019.01.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180042372   |   2018.04.11
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.06.19)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 멤레이 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정명수 대한민국 인천광역시 연수구
2 박규영 대한민국 인천광역시 연수구
3 권미령 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 멤레이 경기도 성남시 분당구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0578040-96
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0601686-00
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0601687-45
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2018.06.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2018.06.28 수리 (Accepted) 9-1-2018-0030536-86
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0609116-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0900855-00
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0900854-54
9 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0142073-58
10 등록결정서
Decision to grant
2018.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0876857-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5140042-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 파티션으로 분할되어 있는 저항 변화 메모리(resistance switching memory) 셀 어레이를 포함하는 제1 메모리 모듈 및 캐시로 사용되는 제2 메모리 모듈에 연결되는 메모리 제어 장치로서,상기 제1 메모리 모듈 및 상기 제2 메모리 모듈에 액세스하는 메모리 컨트롤러,상기 제2 메모리 모듈의 복수의 캐시 인덱스에 각각 대응하는 복수의 캐시 라인의 태그 정보를 관리하는 룩업 로직, 그리고수신한 읽기 요청의 어드레스로부터 제1 캐시 인덱스와 제1 태그를 분리하고, 상기 제1 캐시 인덱스와 상기 제1 태그를 기초로 상기 룩업 로직을 참조하여 상기 읽기 요청의 캐시 히트 또는 캐시 미스를 판단하며, 상기 읽기 요청이 캐시 미스이고, 상기 복수의 파티션 중 제1 파티션으로 진행 중인 쓰기가 있으며, 상기 읽기 요청의 대상이 상기 복수의 파티션 중 제2 파티션인 경우, 상기 메모리 컨트롤러로 상기 제1 메모리 모듈로부터 상기 읽기 요청의 대상 데이터를 읽도록 지시하는 캐시 컨트롤러를 포함하는 메모리 제어 장치
2 2
제1항에서,상기 읽기 요청이 상기 캐시 미스이고, 상기 제1 파티션으로 진행 중인 쓰기가 있으며, 상기 읽기 요청의 대상이 상기 제1 파티션인 경우, 상기 캐시 컨트롤러는 상기 읽기 요청을 대기시키는 메모리 제어 장치
3 3
제1항에서,상기 읽기 요청이 캐시 히트인 경우, 상기 캐시 컨트롤러는 상기 메모리 컨트롤러로 상기 제2 메모리 모듈로부터 상기 대상 데이터를 읽도록 지시하는 메모리 제어 장치
4 4
제1항에서,상기 캐시 컨트롤러는, 수신한 쓰기 요청의 어드레스로부터 제2 캐시 인덱스와 제2 태그를 분리하고, 상기 제2 캐시 인덱스와 상기 제2 태그를 기초로 상기 룩업 로직을 참조하여 상기 쓰기 요청의 캐시 히트 또는 캐시 미스를 판단하며, 상기 쓰기 요청이 캐시 미스인 경우, 상기 룩업 로직을 참조하여 상기 제2 메모리 모듈에 빈 캐시 라인이 존재하는지를 판단하는 메모리 제어 장치
5 5
제4항에서,상기 빈 캐시 라인이 존재하지 않는 경우, 상기 캐시 컨트롤러는 상기 룩업 로직을 참조하여 상기 복수의 캐시 라인 중 희생 캐시 라인을 찾고, 상기 메모리 컨트롤러로 상기 제2 메모리 모듈의 상기 희생 캐시 라인에서 희생 데이터를 읽고, 상기 제1 메모리 모듈에 상기 희생 데이터를 쓰고, 상기 제2 메모리 모듈의 상기 희생 캐시 라인에 상기 쓰기 요청의 대상 데이터를 쓰도록 지시하는 메모리 제어 장치
6 6
제5항에서,상기 룩업 로직은 복수의 웨이(way)를 포함하고,각 웨이는 상기 복수의 캐시 인덱스에 각각 대응하는 복수의 세트를 포함하며,각 세트는 카운터를 포함하고,상기 캐시 컨트롤러는, 상기 복수의 세트 중 상기 제2 캐시 인덱스에 대응하는 대상 세트에서 소정의 값을 카운터로 가지는 웨이에 의해 지시되는 캐시 라인을 상기 희생 캐시 라인으로 선택하는메모리 제어 장치
7 7
제6항에서,상기 룩업 로직은, 상기 대상 세트에 캐시 액세스가 발생할 때마다 상기 캐시 액세스가 발생한 웨이에 해당하는 카운터를 '0'으로 설정하고, 다른 웨이에 해당하는 카운터를 '1'씩 증가시키며,상기 소정의 값은 상기 복수의 웨이의 개수에서 1을 뺀 값인메모리 제어 장치
8 8
제4항에서,상기 빈 캐시 라인이 존재하는 경우, 상기 캐시 컨트롤러는 상기 메모리 컨트롤러로 상기 제2 메모리 모듈의 상기 빈 캐시 라인에 상기 쓰기 요청의 대상 데이터를 쓰도록 지시하고, 상기 룩업 로직을 갱신하는 메모리 제어 장치
9 9
제4항에서,상기 쓰기 요청이 상기 캐시 히트인 경우, 상기 캐시 컨트롤러는 상기 메모리 컨트롤러로 상기 제2 메모리 모듈에 상기 쓰기 요청의 대상 데이터를 쓰도록 지시하는 메모리 제어 장치
10 10
제1항에서,상기 진행 중인 쓰기는 캐시 방출에 따른 쓰기인 메모리 제어 장치
11 11
제1항에서,상기 진행 중인 쓰기는 캐시 라인 플러시 요청과 펜스 요청에 의한 연속성 동작에 따른 쓰기인 메모리 제어 장치
12 12
제11항에서,상기 캐시 컨트롤러는, 상기 펜스 요청 이후에도 읽기 동작을 수행하는 메모리 제어 장치
13 13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 상기 메모리 제어 장치,상기 제1 메모리 모듈, 그리고상기 제2 메모리 모듈을 포함하는 메모리 시스템
14 14
저항 변화 메모리(resistance switching memory)를 포함하는 제1 메모리 모듈 및 캐시로 사용되는 제2 메모리 모듈에 연결되는 메모리 제어 장치로서,상기 제1 메모리 모듈 및 상기 제2 메모리 모듈에 액세스하는 메모리 컨트롤러,복수의 웨이(way)를 포함하고, 각 웨이는 복수의 캐시 인덱스에 대응하는 복수의 세트를 포함하며, 각 세트는 태그 정보와 카운터를 포함하는 룩업 로직, 그리고수신한 쓰기 요청의 어드레스로부터 제1 캐시 인덱스와 제1 태그를 분리하고, 상기 제1 캐시 인덱스와 상기 제1 태그를 기초로 상기 룩업 로직을 참조하여 상기 쓰기 요청의 캐시 히트 또는 캐시 미스를 판단하며, 상기 쓰기 요청이 캐시 미스이고 상기 제2 메모리 모듈에 빈 캐시 라인이 존재하지 않는 경우, 상기 복수의 세트 중 상기 제1 캐시 인덱스에 대응하는 대상 세트에서 소정의 값을 카운터로 가지는 웨이에 의해 지시하는 캐시 라인을 희생 캐시 라인으로 선택하고, 상기 메모리 컨트롤러로 상기 희생 캐시 라인의 희생 데이터를 상기 제1 메모리 모듈로 쓰도록 지시하는 캐시 컨트롤러를 포함하는 메모리 제어 장치
15 15
제14항에서,상기 룩업 로직은, 상기 대상 세트에 캐시 액세스가 발생할 때마다 상기 캐시 액세스가 발생한 웨이에 해당하는 카운터를 '0'으로 설정하고, 다른 웨이에 해당하는 카운터를 '1'씩 증가시키며,상기 소정의 값은 상기 복수의 웨이의 개수에서 1을 뺀 값인메모리 제어 장치
16 16
제14항에서,상기 제1 메모리 모듈은, 제1 파티션 및 제2 파티션을 포함하는 복수의 파티션으로 분할되어 있는 메모리 셀 어레이를 포함하며,상기 캐시 컨트롤러는, 수신한 읽기 요청의 어드레스로부터 제2 캐시 인덱스와 제2 태그를 분리하고, 상기 제2 캐시 인덱스와 상기 제2 태그를 기초로 상기 룩업 로직을 참조하여 상기 읽기 요청의 캐시 히트 또는 캐시 미스를 판단하며, 상기 읽기 요청이 캐시 미스이고, 상기 제1 파티션으로 진행 중인 쓰기가 있으며, 상기 읽기 요청의 대상이 상기 제2 파티션인 경우, 상기 캐시 컨트롤러는 상기 메모리 컨트롤러로 상기 제1 메모리 모듈로부터 상기 읽기 요청의 대상 데이터를 읽도록 지시하는메모리 제어 장치
17 17
제16항에서,상기 읽기 요청이 상기 캐시 미스이고, 상기 제1 파티션으로 진행 중인 쓰기가 있으며, 상기 읽기 요청의 대상이 상기 제1 파티션인 경우, 상기 캐시 컨트롤로는 상기 읽기 요청을 대기시키는 메모리 제어 장치
18 18
제16항에서,상기 읽기 요청이 캐시 히트인 경우, 상기 캐시 컨트롤러는 상기 메모리 컨트롤러로 상기 제2 메모리 모듈로부터 상기 읽기 요청의 대상 데이터를 읽도록 지시하는 메모리 제어 장치
19 19
제14항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 상기 메모리 제어 장치,상기 제1 메모리 모듈, 그리고상기 제2 메모리 모듈을 포함하는 메모리 시스템
20 20
복수의 파티션으로 분할되어 있는 저항 변화 메모리(resistance switching memory) 셀 어레이를 포함하는 제1 메모리 모듈 및 캐시로 사용되는 제2 메모리 모듈에 연결되는 메모리 제어 장치로서,상기 제1 메모리 모듈 및 상기 제2 메모리 모듈에 액세스하는 메모리 컨트롤러,복수의 웨이(way)를 포함하고, 각 웨이는 상기 제2 메모리 모듈의 복수의 캐시 라인에 각각 대응하는 복수의 캐시 인덱스에 각각 대응하는 복수의 세트를 포함하며, 상기 복수의 캐시 라인의 태그 정보를 관리하는 룩업 로직, 그리고수신한 요청의 어드레스로부터 대상 캐시 인덱스와 대상 태그를 분리하고, 상기 대상 캐시 인덱스와 상기 대상 태그를 기초로 상기 룩업 로직을 참조하여 상기 요청의 캐시 히트 또는 캐시 미스를 판단하는 캐시 컨트롤러를 포함하며,상기 수신한 요청이 캐시 미스인 경우에, 상기 캐시 컨트롤러는,상기 수신한 요청이 읽기 요청일 때, 상기 복수의 파티션 중 제1 파티션으로 진행 중인 쓰기가 있으며, 상기 읽기 요청의 대상이 상기 복수의 파티션 중 제2 파티션인 경우, 상기 메모리 컨트롤러로 상기 제1 메모리 모듈로부터 상기 읽기 요청의 대상 데이터를 읽도록 지시하고,상기 수신한 요청이 쓰기 요청일 때, 상기 제2 메모리 모듈에 빈 캐시 라인이 존재하지 않는 경우, 상기 복수의 세트 중 상기 대상 캐시 인덱스에 대응하는 대상 세트에서 상기 복수의 웨이 중 대상 웨이를 1 클록 사이클로 검출하고, 상기 대상 세트의 상기 대상 웨이의 캐시 라인을 희생 캐시 라인으로 선택하고, 상기 메모리 컨트롤러로 상기 희생 캐시 라인의 희생 데이터를 상기 제1 메모리 모듈로 쓰고, 상기 쓰기 요청의 대상 데이터를 상기 희생 캐시 라인으로 쓰도록 지시하는메모리 제어 장치
21 21
제20항에 기재된 상기 메모리 제어 장치,상기 제1 메모리 모듈, 그리고상기 제2 메모리 모듈을 포함하는 메모리 시스템
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN110362507 CN 중국 FAMILY
2 US10664394 US 미국 FAMILY
3 US20190317895 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN110362507 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US10664394 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2019317895 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2020257624 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.