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저온 플라즈마 수처리 발생 장치

  • 기술번호 : KST2019014933
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 형성공간의 상부에 위치하는 전극을 이용하여 전극의 마모 및 전극물질의 오염을 미연에 방지할 수 있으며, 피처리수와 대향하며 위치하는 유전체를 이용하여 플라즈마를 피처리수에 대면적으로 제공하고자 한다. 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치는 소스 가스가 주입되는 본체부, 본체부의 내부에 위치하고 소스 가스가 통과하는 유전체, 유전체의 하부에 위치하고 피처리수와 접지된 파워전극, 파워전극의 하부에 위치하고 피처리수의 상부에 위치하고 외면에 공급홀을 포함하는 접지전극, 파워전극과 접지전극의 사이에 위치하고 유전체를 통과한 소스 가스에 의해 플라즈마가 발생되는 생성부를 포함하고, 플라즈마는 공급홀을 통과하여 피처리수를 정화할 수 있다.
Int. CL C02F 1/467 (2006.01.01) H05H 1/24 (2006.01.01) C02F 1/461 (2006.01.01)
CPC C02F 1/4672(2013.01) C02F 1/4672(2013.01) C02F 1/4672(2013.01) C02F 1/4672(2013.01) C02F 1/4672(2013.01)
출원번호/일자 1020180101423 (2018.08.28)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1950414-0000 (2019.02.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.08.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍용철 경기도 고양시 일산동구
2 김강일 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0854095-93
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0859058-75
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2018.08.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2018.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0048547-43
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2018.09.13 수리 (Accepted) 9-1-2018-0048688-72
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2018.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2018-0048932-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0661394-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1065399-06
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1065398-50
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0889853-40
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.01.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0044207-23
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0044206-88
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0080697-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 가스가 주입되는 본체부,상기 본체부의 내부에 위치하고 상기 소스 가스가 통과하는 유전체,상기 유전체의 하부에 위치하고 전원이 인가되는 파워전극,상기 파워전극의 하부에 위치하고 피처리수의 상부에 위치하고 외면에 공급홀을 포함하고 상기 피처리수와 접지된 접지전극,상기 파워전극과 상기 접지전극의 사이에 위치하고 상기 유전체를 통과한 상기 소스 가스에 의해 플라즈마가 발생되는 생성부,를 포함하고,상기 플라즈마는 상기 공급홀을 통과하여 상기 피처리수를 정화하고,상기 접지전극은 상기 피처리수와 접촉하고 상기 생성부에서 발생된 플라즈마를 통과시켜 상기 피처리수를 정화하고,상기 피처리수는 전극이고 상기 접지전극은 상기 피처리수와 회로를 구성하고 ,상기 접지전극은 상기 피처리수와 접지되어 상기 유전체를 통과한 소스 가스에 의해 발생된 상기 플라즈마는 상기 공급홀을 통과하여 상기 피처리수를 정화하고,상기 파워전극은 삼각기둥형 형상을 가지는 제4 전극을 포함하고, 상기 제4 전극은 삼각형의 꼭짓점 단부가 상기 공급홀과 대향하며 위치하고,상기 소스 가스와 상기 제4 전극의 삼면이 맞닿으며 상기 생성부에서 플라즈마가 발생되어 상기 제4 전극의 양측 모서리를 타고 상기 꼭짓점 단부로 이동되고,상기 제4 전극은 상기 꼭짓점 단부에 위치하고, 상기 꼭짓점 단부의 외측 방향으로 돌출된 톱니부를 포함하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치
2 2
제1항에서,상기 접지전극은 상기 접지전극의 하단면이 상기 피처리수와 대향하는 판형 형상을 가지고 상기 플라즈마가 상기 피처리수를 전면적으로 정화하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치
3 3
제1항에서,상기 파워전극은 상기 피처리수와 대향하는 판형 형상을 가지는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치
4 4
제3항에서,상기 파워전극은 상기 본체부의 일측과 연결되는 제1 전극, 상기 본체부의 타측과 연결되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상호 이격되어 위치하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치
5 5
제4항에서,상기 본체부로 주입된 상기 소스 가스는 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 위치하는 이격공간을 통과하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치
6 6
제1항에서,상기 파워전극은 상기 피처리수와 대향하는 원통형 형상을 가지는 제3 전극을 포함하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1항에서,상기 유전체는 소스 가스가 주입되고 외면에 주입홀을 포함하고 상기 소스 가스가 상기 주입홀을 통과하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 국가핵융합연구소 국가핵융합연구소 연구운영비지원사업 플라즈마 융합 원천 연구사업