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링 오실레이터 셀을 포함하는 센서 장치로서, 상기 링 오실레이터 셀은 복수의 노드를 포함하고, 상기 복수의 노드 중 적어도 하나와 연결되는 감지부; 상기 링 오실레이터 셀의 출력을 측정하는 출력 측정부; 및상기 출력의 변화에 기초하여 상기 감지부와 연결된 외부 회로의 저항 및 캐퍼시턴스 중 적어도 하나의 변화를 판단하는 제어부;를 포함하고,상기 감지부는,상기 외부 회로의 저항의 변화를 판단하는 데 이용되는 제1 감지부; 및 상기 외부 회로의 캐퍼시턴스의 변화를 감지하는 데 이용되는 제2 감지부; 를 포함하는, 센서 장치
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제1 항에 있어서, 상기 링 오실레이터 셀은,적어도 하나의 NAND 게이트; 하나 이상의 인버터; 및상기 NAND 게이트에 전압을 인가하는 전원부; 를 포함하는, 제1 링 오실레이터 셀; 을 포함하는, 센서 장치
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제1 항에 있어서, 상기 링 오실레이터 셀은,적어도 하나의 3상 인버터; 하나 이상의 인버터; 및상기 3상 인버터에 전압을 인가하는 전원부; 를 포함하는, 제1 링 오실레이터 셀; 을 포함하는, 센서 장치
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제2 항 또는 제3 항에 있어서, 복수의 인버터를 포함하는 제2 링 오실레이터 셀; 을 더 포함하는, 센서 장치
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제4 항에 있어서, 상기 센서 장치는, 복수의 상기 제1 링 오실레이터 셀; 및 복수의 상기 제2 링 오실레이터 셀; 을 포함하고, 상기 복수의 제1 링 오실레이터 셀 및 상기 복수의 제2 링 오실레이터 셀은, 프랙탈 구조로 연결되는 것을 특징으로 하는, 센서 장치
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제1 항에 있어서, 상기 제1 감지부는 상기 복수의 노드 중 적어도 하나와 VDD 사이에 연결되고,상기 제2 감지부는 상기 복수의 노드에 포함된 두 노드 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는, 센서 장치
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적어도 하나의 3상 인버터;하나 이상의 인버터; 및상기 3상 인버터에 전압을 인가하는 전원부;를 포함하는, 링 오실레이터 셀;상기 적어도 하나의 3상 인버터 및 상기 하나 이상의 인버터 중 적어도 하나와 연결되는 감지부; 상기 링 오실레이터 셀의 출력을 측정하는 출력 측정부; 및상기 출력의 변화에 기초하여 상기 감지부와 연결된 외부 회로의 저항 또는 캐퍼시턴스 변화를 판단하는 제어부; 를 포함하고,상기 감지부는,상기 외부 회로의 저항의 변화를 판단하는 데 이용되는 제1 감지부; 및 상기 외부 회로의 캐퍼시턴스의 변화를 감지하는 데 이용되는 제2 감지부; 를 포함하는, 링 오실레이터 셀을 포함하는 센서 장치
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적어도 하나의 NAND 게이트;하나 이상의 인버터; 및상기 NAND 게이트에 전압을 인가하는 전원부;를 포함하는, 링 오실레이터 셀;상기 적어도 하나의 NAND 게이트 및 상기 하나 이상의 인버터 중 적어도 하나와 연결되는 감지부; 상기 링 오실레이터 셀의 출력을 측정하는 출력 측정부; 및상기 출력의 변화에 기초하여 상기 감지부와 연결된 외부 회로의 저항 또는 캐퍼시턴스 변화를 판단하는 제어부; 를 포함하고,상기 감지부는,상기 외부 회로의 저항의 변화를 판단하는 데 이용되는 제1 감지부; 및 상기 외부 회로의 캐퍼시턴스의 변화를 감지하는 데 이용되는 제2 감지부; 를 포함하는, 링 오실레이터 셀을 포함하는 센서 장치
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