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제1 HTCC 층을 형성하는 단계;상기 제1 HTCC 층을 펀칭하여 어레이 구멍을 형성하는 단계;상기 펀칭된 제1 HTCC 층 하부에 제2 HTCC 층을 라미네이션하여 제1 및 제2 HTCC 복합체를 형성하는 단계;상기 어레이 구멍에 필러를 주입하여 어레이 소자를 형성하는 단계;상기 어레이 소자가 형성된 제1 및 제2 HTCC 복합체를 900 ℃ 내지 1000 ℃에서 소결하는 단계;상기 어레이 소자가 형성된 제1 및 제2 HTCC 복합체 상에 상부 에폭시층을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 HTCC 복합체를 제거하는 단계; 상기 상부 에폭시층의 하면에, 상기 어레이 소자를 덮도록 하부 에폭시층을 형성하는 단계; 및상기 어레이 소자가 드러나도록 상기 상부 에폭시층 및 하부 에폭시층을 폴리싱하는 단계;를 포함하고,상기 제1 및 제2 HTCC 복합체는 1100 ℃ 이상의 소결온도를 가지는 것인,HTCC(고온 동시 소성 세라믹)를 이용한 지문 인식용 압전 어레이 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 어레이 구멍을 형성하는 단계에서,상기 어레이 구멍의 간격은, 5 nm 내지 1 ㎛ 이고,상기 어레이 구멍의 직경은 5 nm 내지 100 ㎛인 것인,HTCC(고온 동시 소성 세라믹)를 이용한 지문 인식용 압전 어레이 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 HTCC 층 및 제2 HTCC 층은,동일 또는 상이한 조성을 가지는 것이고,알루미나, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물 및 붕소 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을, 각각, 포함하는 것인,HTCC(고온 동시 소성 세라믹)를 이용한 지문 인식용 압전 어레이 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 어레이 구멍에의 필러 주입은, 초음파 분말 주입으로 수행되는 것인,HTCC(고온 동시 소성 세라믹)를 이용한 지문 인식용 압전 어레이 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 상부 에폭시층 및 하부 에폭시층을 폴리싱하는 단계 이후에,전기적 폴링(poling)하는 단계;를 더 포함하는, HTCC(고온 동시 소성 세라믹)를 이용한 지문 인식용 압전 어레이 소자 제조방법
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