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플라즈마를 발생시키기 위한 챔버,기판을 지지하는 기판 지지부,상기 기판 상에 반도체층을 증착하기 위한 반응가스 또는 전구체를 상기 챔버 내에 주입하는 가스 주입부,상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 제1 RF 전력 공급부,상기 챔버 내에 플라즈마가 발생하는 공간과 상기 기판 사이에 그리드 구조물을 포함하고, 상기 그리드 구조물에 소정의 시간동안 음의 전압을 공급하여 상기 챔버 내의 상기 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 그리드 구조물에 스위치를 연결하여 음의 직류 전압을 공급하는 경우 상기 챔버 내의 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되고, 상기 스위치를 차단하는 경우 결정화된 상기 음전하가 축적된 중성입자가 상기 그리드 구조물을 통과하여 상기 기판에 증착되어 다결정 반도체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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3
제 1 항에 있어서,상기 그리드 구조물에 정전용량부를 통하여 교류 전압이 인가되고, 상기 그리드 구조물에 음의 전압이 공급되는 경우 상기 챔버 내의 상기 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되고, 상기 그리드 구조물에 음의 전압이 해제되거나 양의 전압이 공급되는 경우 결정화된 상기 음전하가 축적된 중성입자가 상기 그리드 구조물을 통과하여 상기 기판에 증착되어 다결정 반도체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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4
제 3 항에 있어서,상기 교류 전압은 펄스 전압이고, 상기 펄스 전압의 듀티비를 조절하여 상기 챔버 내의 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획되고 결정화되는 시간을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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5
플라즈마를 발생시키기 위한 챔버,기판을 지지하는 기판 지지부,상기 기판 상에 반도체층을 증착하기 위한 반응가스 또는 전구체를 상기 챔버 내에 주입하는 가스 주입부,상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 제1 RF 전력 공급부,상기 기판 지지부에 RF 전력을 공급하는 제2 RF 전력 공급부,상기 기판 지지부와 상기 제2 RF 전력 공급부 사이에 연결되는 정전용량부를 포함하고,상기 기판 지지부에 음의 전압이 공급되는 동안 상기 챔버 내의 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 제2 RF 전력 공급부는 펄스 전력 공급부이고, 상기 펄스 전력 공급부에서 공급하는 펄스 전압의 듀티비를 조절하여 상기 챔버 내의 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되는 시간을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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7
제 6 항에 있어서, 상기 기판 지지부에 음의 전압이 해제되거나 양의 전압이 공급되는 동안 결정화된 상기 음전하가 축적된 중성입자가 상기 기판에 증착되어 다결정 반도체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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8
플라즈마를 발생시키기 위한 챔버,기판을 지지하는 기판 지지부,상기 기판 상에 반도체층을 증착하기 위한 반응가스 또는 전구체를 상기 챔버 내에 주입하는 가스 주입부,상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 제1 RF 전력 공급부,상기 기판 지지부에 RF 전력을 공급하는 제2 RF 전력 공급부,상기 기판 지지부와 상기 제2 RF 전력 공급부 사이에 연결되는 정전용량부,상기 챔버 내에 플라즈마가 발생하는 공간과 상기 기판 사이에 그리드 구조물을 포함하고, 상기 그리드 구조물에 소정의 시간동안 음의 전압을 공급하여 상기 챔버 내의 상기 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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9
제 8 항에 있어서,상기 그리드 구조물에 정전용량부를 통하여 교류 전압이 인가되고, 상기 그리드 구조물에 음의 전압이 공급되는 경우 상기 챔버 내의 상기 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되고, 상기 그리드 구조물에 음의 전압이 해제되거나 양의 전압이 공급되는 경우 결정화된 상기 음전하가 축적된 중성입자가 상기 그리드 구조물을 통과하여 상기 기판에 증착되어 다결정 반도체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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10
제 9 항에 있어서,상기 교류 전압은 펄스 전압이고, 상기 펄스 전압의 듀티비를 조절하여 상기 챔버 내의 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되는 시간을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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11
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,제2 RF 전력 공급부에서 공급하는 RF 전력의 주파수는 상기 그리드 구조물에 공급되는 교류 전압의 주파수의 정수배인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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12
제 11 항에 있어서, 상기 제2 RF 전력 공급부는 펄스 전력 공급부이고, 상기 펄스 전력 공급부에서 공급하는 펄스 전압의 듀티비를 조절하여 결정화된 상기 음전하가 축적된 중성입자가 상기 그리드 구조물을 통과한 후 가속시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
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13
챔버 내의 기판 지지부에 기판을 이송하여 위치시키는 단계;상기 기판 상에 반도체층을 증착하기 위한 반응가스 또는 전구체를 상기 챔버 내에 주입하는 단계;상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위하여 제1 RF 전력을 공급하는 단계;상기 챔버 내의 플라즈마가 발생하는 공간과 상기 기판 사이에 설치되는 그리드 구조물에 스위치를 연결하는 경우 음의 직류 전압이 공급되는 단계;상기 음의 직류 전압이 공급되는 단계 동안, 상기 챔버 내의 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되는 단계;상기 그리드 구조물에 공급되는 음의 직류 전압이 차단되는 단계;상기 음의 직류 전압이 차단되는 단계 동안, 결정화된 상기 음전하가 축적된 중성입자가 상기 그리드 구조물을 통과하여 상기 기판에 증착되어 다결정 반도체 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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챔버 내의 기판 지지부에 기판을 이송하여 위치시키는 단계;상기 기판 상에 반도체층을 증착하기 위한 반응가스 또는 전구체를 상기 챔버 내에 주입하는 단계;상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위하여 제1 RF 전력을 공급하는 단계;상기 챔버 내의 플라즈마가 발생하는 공간과 상기 기판 사이에 설치되는 그리드 구조물에 정전용량부를 통하여 교류 전압이 인가되는 단계;상기 그리드 구조물에 음의 전압이 공급되는 경우 상기 챔버 내의 상기 플라즈마가 발생하는 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되는 단계;상기 그리드 구조물에 음의 전압이 해제되거나 양의 전압이 공급되는 경우 결정화된 상기 음전하가 축적된 중성입자가 상기 그리드 구조물을 통과하여 상기 기판에 증착되어 다결정 반도체 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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챔버 내의 기판 지지부에 기판을 이송하여 위치시키는 단계;상기 기판 상에 반도체층을 증착하기 위한 반응가스 또는 전구체를 상기 챔버 내에 주입하는 단계;상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위하여 제1 RF 전력을 공급하는 단계;상기 기판 지지부에 정전용량부를 통하여 제2 RF 전력을 공급하는 단계;상기 제2 RF 전력을 공급하는 단계에서 상기 기판 지지부에 음의 전압이 공급되는 동안 상기 챔버 내의 플라즈마 공간에 생성된 음전하가 축적된 중성입자가 포획된 상태로 결정화되는 단계;상기 제2 RF 전력을 공급하는 단계에서 상기 기판 지지부에 음의 전압이 해제되거나 양의 전압이 공급되는 동안 결정화된 상기 음전하가 축적된 중성입자가 상기 기판에 증착되어 다결정 반도체 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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