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하기 화학식 1의 반복단위를 갖는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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청구항 1에 있어서,상기 화학식 1에서 m=p이고, n=q인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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청구항 1에 있어서,상기 화학식 1에서 m=p이고, n=q이며,m:n 및 p:q는 각각 1:0
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청구항 1에 있어서,상기 고분자 전해질 막은, 고분자 모체 100 중량부에 대하여 무기산을 10~40 중량부 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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청구항 1에 있어서,상기 중합체는, 모체가 되는 고분자와 무기산이 화학적으로 가교 결합된 형태인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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7
폴리머에 술폰기(-SO3H)를 도입시키는 단계(단계 1);상기 술폰화된 폴리머에 설핀기(-SO2)를 도입시키는 단계(단계 2);폴리머 내에 설핀기(-SO2)와 술폰산염기(-SO2M; M은 금속)가 존재하도록 상기 설핀화된 폴리머를 부분 환원시키는 단계(단계 3);이후 폴리머 내의 카보닐기를 환원시킨 후, 제1 가교제로서 폴리머에 3-(트리에톡시실)프로필 이소시아네이트(ICPTES)를 첨가하여 환원된 부분 가교 사이트를 형성하는 단계(단계 4);단계 4를 거친 폴리머를 용매에 혼합하고, 아이오딘화 알케인과 제2 가교제로서 (3-메르켑토프로필)트리메톡시실레인(MPTMS)와 반응하여 가교 사이트가 형성된 TPA를 첨가하여 캐스팅 용액을 제조하는 단계(단계 5);상기 캐스팅 용액을 코팅하여 막을 제조하는 단계(단계 6); 및상기 제조된 막의 설핀기(-SO2)를 술폰기(-SO3H)로 치환하는 단계(단계 7)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 폴리머는 폴리에테르에테르케톤, 폴리아릴렌에테르케톤, 폴리술폰, 폴리아릴렌에테르술폰, 폴리이미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리벤즈옥사졸, 폴리벤즈시아졸, 폴리피롤론, 폴리포스파젠 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 단계 3은,설핀화된 폴리머에 술폰산나트륨기(-SO2Na)가 존재하도록 부분 환원시키는 단계 a); 및상기 술폰산나트륨기(-SO2Na)를 술폰산리튬기(-SO2Li)로 치환시키는 단계 b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 무기산은, 폴리머 100 중량부에 대하여 10 ~ 40 중량부로 첨가되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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청구항 1 내지 4항, 및 6항 중 어느 한 항의 고분자 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 수전해 장치
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청구항 1 내지 4항, 및 6항 중 어느 한 항의 고분자 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 연료 전지
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청구항 16에 따른 연료 전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 연료 전지 시스템
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