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미세 셀(Cell)에 호스트 물질인 CH3NH3Pb3X13(여기서, X1은 요오드(I), 브롬(Br), 및 염소(Cl) 중 하나)와 CH3NH3Pb3X23(여기서, X2는 X1 과 중복되지 않는 요오드(I), 브롬(Br), 및 염소(Cl) 중 하나)를 균일하게 또는 분리되게 배치하는 물질 가상 배치부; 및상기 CH3NH3Pb3X13와 CH3NH3Pb3X23가 배치되면, 상기 미세 셀의 모양 정보, 크기 정보, 원점 정보, 물질 정보 중 적어도 하나 및 CH3NH3Pb3I3, CH3NH3Pb3Br3, CH3NH3Pb3Cl3각각의 자체 에너지 밴드갭(BandGap) 정보에 기초하여, 상기 미세 셀의 에너지 밴드갭을 산출하는 프로세서를 포함하는, LHP(Lead Halide Perovskite) 합성 시뮬레이션 장치
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제1항에 있어서,상기 프로세서는,균일하게 배치된 경우와 구분되게 배치된 경우의 상기 미세 셀의 에너지 밴드갭을 비교하는, LHP 합성 시뮬레이션 장치
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제1항에 있어서,상기 미세 셀은 양자점이며, 상기 프로세서는,상기 미세 셀의 크기를 3 nm 내지 15 nm 로 설정하거나, 상기 미세 셀의 크기를 3nm로 설정하는, LHP 합성 시뮬레이션 장치
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제1항에 있어서,상기 프로세서는,상기 X1 의 주기율표 상 원소 기호를 X2의 주기율표 상 원소 기호보다 더 높게 설정하는, LHP 합성 시뮬레이션 장치
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제1항에 있어서,상기 프로세서는,상기 CH3NH3Pb3X13와 CH3NH3Pb3X23를 적어도 백회 이상 반복하여 균일하게 배치하는, LHP 합성 시뮬레이션 장치
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제1항에 있어서,상기 프로세서는,상기 X1의 농도를 X2 대비 10% 내지 90%로 설정하거나, 상기 X1의 농도를 X2 대비 90%로 설정하는, LHP 합성 시뮬레이션 장치
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프로세서에 수행되는 LHP(Lead Halide Perovskite) 합성 시뮬레이션 방법에 있어서,소정 크기의 미세 셀에 호스트 물질인 CH3NH3Pb3X13(여기서, X1은 요오드(I), 브롬(Br), 및 염소(Cl) 중 하나) 및 CH3NH3Pb3X23(여기서, X2는 X1 과 중복되지 않는 요오드(I), 브롬(Br), 및 염소(Cl) 중 하나)를 균일하게 배치하는 단계; 및상기 미세 셀의 모양 정보, 크기 정보, 원점 정보, 물질 정보 중 적어도 하나 및 CH3NH3Pb3I3, CH3NH3Pb3Br3, CH3NH3Pb3Cl3의 자체 에너지 밴드갭(BandGap) 정보에 기초하여, 상기 미세 셀의 에너지 밴드갭을 산출하는 단계를 포함하는, LHP 합성 시뮬레이션 방법
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프로세서에 수행되는 LHP(Lead Halide Perovskite) 합성 시뮬레이션 방법에 있어서,소정 크기의 미세 셀에 호스트 물질인 CH3NH3Pb3X13(여기서, X1은 요오드(I), 브롬(Br), 및 염소(Cl) 중 하나) 및 CH3NH3Pb3X23(여기서, X2는 X1 과 중복되지 않는 요오드(I), 브롬(Br), 및 염소(Cl) 중 하나)를 구분되게 배치하는 단계; 및상기 미세 셀의 모양 정보, 크기 정보, 원점 정보, 물질 정보 중 적어도 하나 및 CH3NH3Pb3I3, CH3NH3Pb3Br3, CH3NH3Pb3Cl3의 자체 밴드갭(BandGap) 정보에 기초하여, 상기 미세 셀의 에너지 밴드갭을 산출하는 단계를 포함하는, LHP 합성 시뮬레이션 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 CH3NH3Pb3X13 및 CH3NH3Pb3X23가 균일하게 배치된 경우와 구분되게 배치된 경우의 상기 미세 셀의 에너지 밴드갭(BandGap)을 비교하는 단계를 더 포함하는, LHP 합성 시뮬레이션 방법
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제9항에 있어서,상기 미세 셀은 양자점이며, 상기 미세 셀의 크기가 3 nm 내지 15 nm 로 설정되거나, 상기 미세 셀의 크기가 3nm로 설정되는 단계를 더 포함하는, LHP 합성 시뮬레이션 방법
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제9항에 있어서,상기 X1 의 주기율표 상 원소 기호를 X2의 주기율표 상 원소 기호보다 더 높게 설정하며, X1의 농도를 X2의 농도 대비 90%로 설정하는 단계를 더 포함하는, LHP 합성 시뮬레이션 방법
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컴퓨터상에서 수행하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서, 상기 프로그램은, 프로세서에 의한 실행 시, 상기 프로세서가, 소정 크기의 미세 셀에 호스트 물질인 CH3NH3Pb3X13(여기서, X1은 요오드(I), 브롬(Br), 및 염소(Cl) 중 하나) 및 CH3NH3Pb3X23(여기서, X2는 X1 과 중복되지 않는 요오드(I), 브롬(Br), 및 염소(Cl) 중 하나)를 균일하게 또는 구분되게 배치하는 단계; 및상기 미세 셀의 모양 정보, 크기 정보, 원점 정보, 물질 정보 중 적어도 하나 및 CH3NH3Pb3I3, CH3NH3Pb3Br3, CH3NH3Pb3Cl3의 자체 밴드갭(BandGap) 정보에 기초하여, 상기 미세 셀의 에너지 밴드갭을 산출하는 단계를 수행하도록 하는 실행 가능한 명령을 포함하는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
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