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친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조하는 단계;기재 표면 상에 친수성 채널과 소수성 채널을 포함하는 패턴을 형성하는 단계;상기 친수성 채널에 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계; 및상기 기재 표면 상에 금속전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조하는 단계는,이황화 몰리브덴 플레이크를, 벤젠고리의 일단에 카르복시(-COOH)기가 결합되고 타단에 싸이올(-SH)기가 결합된 벤조산과 반응시켜 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크를 형성하는 단계를 포함하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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제 1항에 있어서,상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조하는 단계는:이황화 몰리브덴 플레이크를 용매와 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계;상기 혼합용액에 탈 이온수를 첨가하여 기 설정된 시간 동안 초음파 처리하는 단계;상기 초음파 처리된 혼합용액에 머캅토벤조산(MPB)을 첨가하여 기 설정된 시간 동안 초음파 처리하는 단계;상기 초음파 처리된 혼합용액을 원심분리하는 단계; 및상기 원심분리된 혼합용액의 상층액을 탈 이온수에 분산시켜 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조 단계;를 포함하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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제 2항에 있어서,상기 용매는 헥산에 n-부틸리튬이 혼합된 용매인 것을 특징으로 하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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제 1항에 있어서,상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크는, 상기 이황화 몰리브덴 플레이크의 단원자층에서 황 원자가 떨어져 나간 원자결함으로 인해 생성되는 공공에 상기 벤조산의 싸이올(-SH)기가 결합되어 형성되는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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제 1항에 있어서,상기 패턴을 형성하는 단계는:상기 기재 표면 상에 감광 고분자 화합물을 패턴화하는 단계;기재를 트리클로로옥타데실실란(OTS)과 헥산을 혼합한 용액에 기 설정된 시간 동안 침지시키는 단계;상기 트리클로로옥타데실실란(OTS)이 상기 기재 표면 상에 자기조립단층을 이루어 상기 소수성 채널을 형성하는 단계; 및상기 감광 고분자 화합물을 아세톤으로 제거하여 상기 친수성 채널을 형성하는 단계;를 포함하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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제 4항에 있어서,상기 기재 표면 상에 상기 친수성 채널은 수산(-OH)기를 가지는 것을 특징으로 하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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제 1항에 있어서,상기 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계는:상기 기재를 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액에 침지시키는 단계;상기 침지된 기재를 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액으로부터 기 설정된 속도로 잡아 당기는 단계;상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크가 상기 친수성 채널에 흡착되어 상기 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계; 및상기 당겨진 기재 표면 상에 디클로로 벤젠과 탈 이온수를 교대로 도포하는 단계;를 포함하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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제 6항에 있어서,상기 이황화 몰리브덴 나노시트는 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 기반 자기조립단층으로 이루어지는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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제 6항에 있어서,상기 친수성 채널의 크기에 따라 상기 이황화 몰리브덴 나노시트의 폭이 조절되도록 이루어지는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
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